KR940010875A - 싱글 인 라인 메모리 모듈(simm : single in line memory module) - Google Patents

싱글 인 라인 메모리 모듈(simm : single in line memory module) Download PDF

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KR940010875A
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황덕종
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김광호
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor

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Abstract

본 발명은 안정적인 입력 전압의 공급과 입력 잡음을 방지시킨 싱글 인 라인 메모리 모듈(SINGLE IN LINE MEMORY MODULE)에 관한 것으로서, 싱글 인 라인 방식의 외부 접속 단자와 복수의 메모리 소자들이 다층 회로 기판을 통해서 상호 접속된 싱글 인 라인 메모리 모듈에 있서, 상기 다층 회로 기판은 신호선층과 전원선층이 교호적으로 배치되며, 상기 외부 접속 단자와 복수의 메모리 소자들 사이에는 슈미트 트리거형 입력 버퍼 수단이 마련되는 것을 특징으로 한다.

Description

싱글 인 라인 메모리 모듈(SIMM : SINGLE IN LINE MEMORY MODULE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 싱글 인 라인 메모리 모듈의 개략적 분리 사시도,
제2도는 슈미트 트리거형 입력 버퍼 소자의 실시예를 나타낸 것으로서, (가)는 핀 배치도이며, (나)는 그 내부 구성도.

Claims (2)

  1. 싱글 인 라인 방식의 외부 접속 단자와 복수 메모리 소자들이 다층 회로 기판을 통해서 상호 접속된 싱글인 라인 메모리 모듈에 있어서, 상기 다층 회로 기판은 신호선층과 전원선층이 교호적으로 배치되며, 상기 외부 접속 단자와 복수의 메모리 소자들 사이에는 슈미트 트리거형 입력 버퍼 수단이 마련되는 것을 특징으로 하는 싱글 인 라인 메모리 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다층 회로 기판은 일곱 개의 기판층이 결합되어 이루어져 있으며, 상기 일곱개의 기판층은 네개의 제1, 제2, 제3, 제4신호선층(1) (3) (5) (7)과, 상기 제1, 제2신호선층(1)(3) 사이에 삽입되는 제1접지선층(2)과, 상기 제2, 제3신호선층(3)(5) 사이에 삽입되는 제2접지선층(4), 그리고 상기 제3, 제4신호선층(5)(7) 사이에 삽입되는 공급 전압선층(VCC LINE LAYER;6)으로 구성되며, 아울러 메모리 소자들이 실장되는 메모리소자 실장 영역(8) 이 마련되며, 상기 메모리소자 실장 영역(8) 사이에 슈미트 트리거형 입력 버퍼 소자(9)가 마련되는 것을 특징으로 하는 싱글 인 라인 메모리 모듈.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920019739A 1992-10-26 1992-10-26 싱글 인 라인 메모리 모듈(simm; single in line memory module) KR950004845B1 (ko)

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