KR940003055A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 소자특성의 열화를 초래하지 않고서 제1 및 제2게이트전극간의 용량을 크게하여 더욱 기록전압의 절감화를 달성하기 위한 것이다.
본 발명은 제1게이트절연막(30)과 제1측벽재(29) 및 제3산화막(26)상에 제2다결정실리콘막(31)을 퇴적시키고, 상기 제2다결정실리콘막(31)상에 제5산화막(32)을 형성한다. 그리고, 제2실리콘질화막(33)상에 제6산화막(34)을 퇴적시키고, 제3다결정실리콘막(35)과, 제6산화막(34), 제2실리콘질화막(33), 제5산화막(32) 및 제2다결정실리콘막(31)을 사진식각법에 의해 패터닝하는 것에 의해 제1게이트전극(36) 및 제2게이트절연막(43)을 형성한다. 그리고, 제1 및 제2접촉구멍(39, 40) 내와 제3다결정실리콘막(35) 및 제2측벽제(38)상에 제4다결정실리콘막(41)을 퇴적시키고, 제2게이트전극(42)을 형성한다. 따라서, 제1 및 제2게이트전극간의 용량을 크게할 수 있게 된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 나타낸 것으로, 제어게이트전극으로서의 제2게이트전극(42)을 형성하는 공정을 나타낸 단면도.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 나타낸 것으로, 제3산화막과, 제1실리콘질화막, 제2산화막 및, 제1다결정실리콘막을 이방성 에칭에 의해 패터닝하는 공정을 나타낸 단면도.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 나타낸 것으로, 소자분리영역을 형성하는 공정을 나타낸 단면도.
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 나타낸 것으로, 부유게이트전극으로서의 제1게이트전극 및 제2게이트절연막을 형성하는 공정을 나타낸 단면도.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 나타낸 것으로, 제1게이트전극의 측면에 제2측벽재(側壁材)를 형성하고, 제1 및 제3산화막과 제1실리콘질화막에 제1 및 제2접촉구멍을 설치하는 공정을 나타낸 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체기판(21)과, 이 반도체기판(21)의 표면상에 설치된 소자분리막(22), 이 소자분리막(22)상에 설치된 도전막(23), 이 도전막(23)상에 설치된 절연막(24∼26), 상기 소자분리막(22)과 상기 도전막(23) 및 상기 절연막(24∼26)의 측면에 설치된 제1측벽재(29), 상기 반도체기판(21)의 표면상에 설치된 제1게이트절연막(30), 상기 절연막(24∼26)과 제1측벽재(29) 및 상기 제1게이트절연막(30)상에 설치된 제1게이트전극(36), 이 제1게이트전극(36)상에 설치된 제2게이트절연막(43), 이 제2게이트절연막(43) 및 상기 제1게이트전극(36)의 측면에 설치된 제2측벽재(38), 상기 절연막(24∼26)에 상기 제2측벽재(38)에 의해 자기정합적으로 형성된 접촉구멍(39) 및, 이 접촉구멍(39)내와 상기 제2측벽재(38) 및 상기 제2게이트 절연막(43)상에 설치된 상기 도전막(23)과 접속되는 제2게이트전극(42)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 반도체기판(21)의 표면상에 소자분리막(22)을 설치하고, 이 소자분리막(22)상에 도전막(23)을 설치하며, 이 도전막(23)상에 절연막(24∼26)을 설치하는 공정과, 상기 소자분리막(22)과 상기 도전막(23) 및 상기 절연막(24∼26)의 측면에 제1측벽재(29)를 설치하는 공정, 상기 반도체기판(21)의 표면상에 제1게이트절연막(30)을 설치하는 공정, 상기 절연막(24∼26)과 상기 제1측벽재(29) 및 제1게이트절연막(30)상에 제1게이트전극(36)을 설치하는 공정, 상기 제1게이트전극(36)상에 제2게이트절연막(43)을 설치하는 공정, 상기 제2게이트절연막(43) 및 상기 제1게이트전극(36)의 측면에 제2측벽재(38)를 설치하는 공정, 상기 절연막(24∼26)에 상기 제2측벽재(38)에 의해 자기정합적으로 접촉구멍(39)을 형성하는 공정 및, 상기 접촉구멍(39)내와 상기 제2측벽재(38) 및 상기 제2게이트절연막(43)상에 상기 도전막(23)과 접속되는 제2게이트전극(42)을 설치하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1절연막(22)과, 이 제1절연막(22)상에 설치된 제1도전층(23), 이 제1도전층(23)상에 설치된 제2절연막(24∼26), 상기 제1 및 제2절연막(22,24∼26)과 상기 제1도전층(23)의 측면에 설치된 제1측벽재(29), 이 제1측벽재(29) 및 상기 제2절연막(24∼26)상에 일단이 설치된 제2도전층(31), 이 제2도전층(31)상에 설치된 제3절연막(32∼34), 상기 제2도전층(31) 및 상기 제3절연막(32∼34)의 측면에 설치된 제2측벽재(38), 상기 제2절연막(24∼26)에 상기 제2측벽재(38)에 의해 자기정합적으로 형성된 접촉 구멍(39) 및, 이 접촉구멍(39)내와 상기 제2측벽재(38) 및 상기 제3절연막(32∼34)상에 설치된 상기 제1도전층(23)과 접속되는 제3도전층(41)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1절연막(22)상에 제1도전층(23)을 설치하고, 이 제1도전층(23)상에 제2절연막(24∼26)을 설치하는 공정과, 상기 제1 및 제2절연막(22,24∼26)과 상기 제1도전층(23)의 측면에 제1측벽재(29)를 설치하는 공정, 상기 제1측벽재(29) 및 상기 제2측벽재(38)상에 제2도전층(31)의 일단을 설치하는 공정, 상기 제2도전층(31)상에 제3절연막(32∼34)을 설치하는 공정, 상기 제2도전층(31) 및 상기 제3절연막(32∼34)의 측면에 제2측벽재(38)를 설치하는 공정, 상기 제2절연막(24∼26)에 상기 제2측벽재(38)에 의해 자기정합적으로 접촉구멍(39)을 형성하는 공정 및, 상기 접촉구멍(39)내와 상기 제2측벽재(38) 및 상기 제3절연막(32∼34)상에 상기 제1도전층(23)과 접속되는 제3도전층(41)을 설치하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도전막(23)이 다결정실리콘, 비결정실리콘 또는 실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트전극(36)이 다결정실리콘, 비결정실리콘 또는 실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2게이트전극(42)이 다결정실리콘, 비결정실리콘 또는 실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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