KR940001289A - 위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents
위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940001289A KR940001289A KR1019920009717A KR920009717A KR940001289A KR 940001289 A KR940001289 A KR 940001289A KR 1019920009717 A KR1019920009717 A KR 1019920009717A KR 920009717 A KR920009717 A KR 920009717A KR 940001289 A KR940001289 A KR 940001289A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- phase shift
- phase
- mask
- openings
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
노광공정에서 위상반전을 연속적으로 일으키기 위한 투명한 기판, 상기 기펀상에 형성되고, 하나 또는 2이상의 광 투과성 개구부를 포함하는 차광층으로 구성된 마스크에 있어서, 상기 개구부는 위상비반전영역, 위상반전영역 및 위상비반전영역과 위상반전영역 사이에 존재하는 위상전이 영역을 포함항을 특징으로 하는 위상반전마스크 및 그의 제조방법이 개시되어 있다.
본 발명의 위상반전 마스크를 사용하여 노광하는 경우 위상전이영역에 의해 위상반전이 연속적으로 일어나기 때문에 시프터의 존재에 의하여 시프터 경계면에서 광량 “0”부위가 형성되지 않는다.
따라서, 포지티브형 레지스트를 노광하는 경우 양호한 레지스트프로필을 수득할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도는 상기 재2A도의 AA´선에 대응하는 본 발명의 위상반전 마스크의 단면도이고,
제4B도는 본 발명의 위상 반전마스크를 사용하여 노광하는 경우 웨이퍼상의 레지스트 상에 형성된 광도프로필을 나타내고,
제5A도 내지 5D도는 본 발명의 위상반전마스크의 제조방법의 일예를 나타내는 개략도이다.
Claims (5)
- 투명한 기판, 상기 기판상에 형성되고, 하나 또는 2이상의 광 투과성 개구를 포함하는 차광층으로 구성된 마스크에 있어서, 상기 개구부는 위상비반전영역, 우싱반전영역 및 위상비반전영역과 위상반전영역 사이에 존재하는 위상전이 영역을 포함함을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상반전영역은 상기 기판의 식각부위임을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상전이영역의 기울기(α)가 30-60˚임을 특징으로 하는 위상반전마스크.
- 하나 또는 2이상의 광투과성 개구부를 포함하는 차과층 형성된 투명한 기판상에, 상기 개구부의 일부를 노출하도록 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴 및 투명한 기판을 Resist의 선택비를 이용 식각하여 위상 반전영역, 위상전이 영역 및 위상비반전 영역을 포함하는 개구부를 형성함을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 전자빔 레지스트를 도파하고, 전자빔에 노광하여 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920009717A KR100269273B1 (ko) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920009717A KR100269273B1 (ko) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940001289A true KR940001289A (ko) | 1994-01-11 |
KR100269273B1 KR100269273B1 (ko) | 2000-12-01 |
Family
ID=19334199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920009717A KR100269273B1 (ko) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100269273B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-04 KR KR1019920009717A patent/KR100269273B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100269273B1 (ko) | 2000-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970048985A (ko) | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR940001289A (ko) | 위상 반전 마스크 및 그의 제조방법 | |
KR100223940B1 (ko) | 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법 | |
KR20040068863A (ko) | 하프톤 위상 시프트 마스크 및 그를 이용한 레지스트 노광방법 및 레지스트 노광 장치 | |
KR910010424A (ko) | 광회절격자 소자의 제조방법 | |
KR980003795A (ko) | 위상반전 마스크의 결함 수정방법 | |
KR970016789A (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
KR100334978B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
KR930018675A (ko) | 위상반전마스크 및 그의 제조방법 | |
KR100272656B1 (ko) | 반도체 소자의 레티클 구조 | |
KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
KR100277896B1 (ko) | 반도체소자의 마스크 제작방법 | |
KR970016762A (ko) | 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법 | |
KR980010603A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
KR100464385B1 (ko) | 패턴의변형이발생되는부분주위에더미패턴이형성된포토마스크 | |
KR890011047A (ko) | 차광성 박막의 에칭방법 | |
KR100277933B1 (ko) | 위상반전마스크제조방법 | |
KR970016796A (ko) | 포토 마스크의 제작 방법 | |
KR980011708A (ko) | 하프톤 위상방전 마스크 제조방법 | |
KR980003882A (ko) | 위상반전 마스크 제조방법 | |
KR970016755A (ko) | 마스크 제조방법 | |
KR970028805A (ko) | 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
KR950030230A (ko) | 크롬 마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작 방법 | |
KR970012000A (ko) | 패턴 형성방법, 이에 사용되는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
KR950019907A (ko) | 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080701 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |