KR950019907A - 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 패턴형성을 위한 사진식각기술에 사용되는 마스크에 관한 것으로, 위상반전층을 갖는 마스크에 있어서 위상반전층의 두께에 차이를 두어 패턴전사가 더욱 정밀하게 형성될 수 있도록 한 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크 제조방법에 관한 것으로서 투명기판상에 위상반전층, 차광층을 차례로 형성하는 단계와, 상기 차광층이 광개구부와 다수의 소개구부를 갖도록 사진식각방법으로 차광층을 패터닝하는 단계와, 선택적으로 소개구부를 마스킹하여 개구부내의 드러난 위상반전 층을 식각하여 개구부에서 서로 다른 두께를 갖는 위상반정층을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a) 내지 제1도(c)는 종래의 위상반전층을 갖는 마스크 제조수순을 보인 공정도.
제2도(a),(b),(c) 각각은 마스크 거리에 대한 투과광에 대한 진폭, 웨이퍼상의 광진폭, 웨이퍼상의 광강도를 나타낸 그래프이며,

Claims (5)

  1. 투명기판상에 위상반전층, 차광층을 차례로 형성하는 단계 ; 상기 차광층에 투과영역에 대한 개구부와, 소개구부 및 더미(dummy) 소개구부를 갖는 위상이동영역을 위한 개구부를 형성하도록 사진식각 방법으로 차광층을 패터닝하는 단계 ; 상기 위상이동영역의 소개구부를 마스킹하여 투과영역과 더미 소개구부내의 드러난 위상반전층을 식각하여 투과영역은 투명기판이 노출되게 하고 소개구부는 위상반전층이 형성되며, 더미 개구부는 위상반전층보다 얇은 두께의 위상이동층을 갖도록 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 위상반전층은 PMMA(Polymethyl Methacrylate), SOG(Spin On Glass) 또는 SiO2등의 재료를 사용하여 투명기판인 석영기판상에 형성되고, 그 위의 차광층은 크롬 또는 알루미늄등으로 형성하고, 차광층위의 사진식각방법을 위해 유기 감광제를 사용하고 이 유기 감광제는 자외선 빛, 원자외선 또는 전자빔등에 감광되는 레지스트인 구성되는 것을 특징으로 하는 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 더미 소개구부는 투과영역에 인접하여 형성되고 투과영역의 에칭에 의해 마이크로 로딩 효과로 위상반전층의 두께보다 얇아진 두께를 갖는 영역으로 구성됨을 특징으로 하는 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소개구부의 위상반전층은 입사광의 위상을 180°이동시키는 두께이며, 상기 위상이동층은 입사광이 90°위상이동되는 두께인 것을 특징으로 하는 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투과영역에 대한 개구부 폭보다 이에 인접하여 형성된 더미 소개구부의 폭은 투과영역의 위상반전층이 모두 에칭되어 제거될때 더미 소개구부의 반전층은 반의 두께로 형성되는 폭으로 형성됨을 특징으로 하는 위상반전층을 갖는 사진식각용 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100355231B1 (ko) * 2000-02-15 2002-10-11 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 소자 개구부 제조용 포토마스크, 이를 사용한 사진 식각 방법 및 이 방법에 의해 제조된 개구부를 포함하는 반도체 메모리 소자

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100355231B1 (ko) * 2000-02-15 2002-10-11 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 소자 개구부 제조용 포토마스크, 이를 사용한 사진 식각 방법 및 이 방법에 의해 제조된 개구부를 포함하는 반도체 메모리 소자
US6582860B2 (en) 2000-02-15 2003-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask having small pitch images of openings for fabricating openings in a semiconductor memory device and a photolithographic method for fabricating the same
US6872510B2 (en) 2000-02-15 2005-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask having small pitch images of openings for fabricating openings in a semiconductor memory device and a photolithographic method for fabricating the same

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