KR930022462A - 열처리장치 - Google Patents

열처리장치

Info

Publication number
KR930022462A
KR930022462A KR1019930006001A KR930006001A KR930022462A KR 930022462 A KR930022462 A KR 930022462A KR 1019930006001 A KR1019930006001 A KR 1019930006001A KR 930006001 A KR930006001 A KR 930006001A KR 930022462 A KR930022462 A KR 930022462A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
lid
treatment apparatus
heating device
exhaust
Prior art date
Application number
KR1019930006001A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100198144B1 (ko
Inventor
와타루 오오카세
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
이노우에 다케시
도오교오 에레구토론 도오호쿠 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤, 이노우에 다케시, 도오교오 에레구토론 도오호쿠 가부시끼가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR930022462A publication Critical patent/KR930022462A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100198144B1 publication Critical patent/KR100198144B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber

Abstract

프로세스 튜브의 개구부를 개폐하는 뚜껑체의 안쪽면에 가열체, 혹은 가열가스의 순환로를 형성한다. 순환로는 프로세스 튜브안에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 석영보트를 회전하는 회전기구의 축과, 뚜껑체와의 틈을 지나서 뚜껑체의 안쪽면부분으로 유도되도록 형성한다. 이 순환로에는 반응생성물의 기화온도 이상으로 가열된 가열가스를 순환시킨다.
뚜껑체의 안쪽면이 가열되기 때문에 반응생성물을 뚜껑체 및 프로세스 튜브의 아래편 부분 내벽에 부착하지 않는다. 오염원이 발생하지않기 때문에 반도체 웨이퍼나 클림툼을 오염하지 않는다. 또한, 틈으로 순환가스가 반대방향으로 흐르고 있기 때문에, 이곳으로부터 반응가스가 누설하지 않는다. 이리하여 클린툼을 오염하지 않고, 반도체 웨이퍼를 생산수율이 좋게 제조할 수 있다.

Description

열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 가열장치를 구비한 열처리장치의 종단단면도.
제2도는 가열장치를 구비한 뚜껑체의 종단부분단면도.
제3도는 제2도의 A부(베기시일부)의 1실시예의 부분단면도.
제4도는 제2도의 A부(배기시일부)의 다른 실시예의 사시도.

Claims (10)

  1. 여러 장의 피처리체를 수평으로 적층하여 지지하는 지지체를 아래편으로부터 장채해 넣는 개구부(23)를 가지며, 또한 도입하는 반응가스에 의한 상기 피처리체(W)의 열처리를 하는 통형상 반등용기(1)와, 상기 통형상 반응용기(1)의 개구부(23)를 폐쇄하고, 그 속을 기밀하게 유지하는 뚜껑체(26)와, 상기 통형상 반응용기를 포위하듯이 설치된 가열부와, 상기 통형상 반응용기(1)의 하부 내벽면을 가열하여 반응생성물의 부착을 방지하기 위하여 상기 뚜껑체(26)에 설치한 가열장치(40)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열장치(40)가 상기 뚜껑체(26)안에 매설된 시이즈 히터(22)인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가열장치(40)가 Sci로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 시이즈히터(22)가 저항 발열체인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지체(29)가 회전축(38)에 의하여 회전가능하고, 상기 뚜껑체(26)와 상기 회전축(38)사이의 틈새에 순환로(41)를 형성하여 순환로(41)에 가열가스를 흐르게 한 열처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 통형상 반응용기(1)의 개구부의 끝단면 또는 상기 뚜껑체(26)의 상면의 어느 곳에 원주홈(26a)을 형성하여 이 홈(26a)을 배기하는 배기시일수단을 설치한 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 뚜껑체(26)는 상부플레이트(26b)와 베이스플레이트(25d)의 중간부에 가열장치(40)가 설치죄어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 뚜껑체(26)는, 수냉 냉각된 베이스플레이트(26d)상면에 재치된 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 배기시일수단은 플랜지면을 가지는 배기관과 탄성 시일부쟁를 통하여 기밀하게 접속된 것을 특징으로 한느 열처리 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 베이스플레이트(26d)는 스프링부재(27)를 통하여 승강수단에 재치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930006001A 1992-04-09 1993-04-09 열처리장치 KR100198144B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-88976 1992-04-09
JP08897692A JP3230836B2 (ja) 1992-04-09 1992-04-09 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930022462A true KR930022462A (ko) 1993-11-24
KR100198144B1 KR100198144B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=13957835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930006001A KR100198144B1 (ko) 1992-04-09 1993-04-09 열처리장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5329095A (ko)
JP (1) JP3230836B2 (ko)
KR (1) KR100198144B1 (ko)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3121915B2 (ja) * 1992-06-01 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 封止装置
JP3292540B2 (ja) * 1993-03-03 2002-06-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3125199B2 (ja) * 1993-03-18 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP3190165B2 (ja) * 1993-04-13 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
US5497727A (en) * 1993-09-07 1996-03-12 Lsi Logic Corporation Cooling element for a semiconductor fabrication chamber
JPH088194A (ja) * 1994-06-16 1996-01-12 Kishimoto Sangyo Kk 気相成長機構および熱処理機構における加熱装置
JP3188967B2 (ja) * 1994-06-17 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR0135840B1 (ko) * 1994-07-26 1998-04-29 김광호 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법
US5461011A (en) * 1994-08-12 1995-10-24 United Microelectronics Corporation Method for reflowing and annealing borophosphosilicate glass to prevent BPO4 crystal formation
US5928427A (en) * 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US5662470A (en) * 1995-03-31 1997-09-02 Asm International N.V. Vertical furnace
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6168426B1 (en) 1996-02-19 2001-01-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Batch-type kiln
JP2787914B2 (ja) * 1996-06-27 1998-08-20 日本電気株式会社 半導体ウェーハの保管方法及び保管容器
US5746591A (en) * 1996-08-15 1998-05-05 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor furnace for reducing particulates in a quartz tube and boat
US5883364A (en) * 1996-08-26 1999-03-16 Frei; Rob A. Clean room heating jacket and grounded heating element therefor
US6054684A (en) * 1996-11-05 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Ultra fast temperature ramp up and down in a furnace using interleaving shutters
KR100224727B1 (ko) * 1996-11-30 1999-10-15 윤종용 웜웰형 반응챔버 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
US5846073A (en) * 1997-03-07 1998-12-08 Semitool, Inc. Semiconductor furnace processing vessel base
US5900177A (en) * 1997-06-11 1999-05-04 Eaton Corporation Furnace sidewall temperature control system
JPH1197446A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
KR100286330B1 (ko) * 1998-01-30 2001-05-02 김영환 반도체의유체접촉방식복사가열장치
JPH11354516A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法
JP3598032B2 (ja) * 1999-11-30 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット
JP3479020B2 (ja) 2000-01-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4633269B2 (ja) * 2001-01-15 2011-02-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2002289603A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法
US6902395B2 (en) * 2002-03-15 2005-06-07 Asm International, N.V. Multilevel pedestal for furnace
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
KR20040069449A (ko) * 2003-01-29 2004-08-06 삼성전자주식회사 화학기상증착을 위한 퍼니스 장치
JP4268069B2 (ja) * 2003-10-24 2009-05-27 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US7128570B2 (en) * 2004-01-21 2006-10-31 Asm International N.V. Method and apparatus for purging seals in a thermal reactor
US7651569B2 (en) * 2006-02-28 2010-01-26 Asm International N.V. Pedestal for furnace
DE102007063363B4 (de) * 2007-05-21 2016-05-12 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck
US20100133325A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-03 Xerox Corporation Unified metal alloying in a diffusion furnace
US7980447B2 (en) 2008-12-12 2011-07-19 Xerox Corporation Jet stack brazing in a diffusion furnace
JP5549552B2 (ja) * 2010-11-12 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置の組み立て方法及び真空処理装置
US20120244684A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Kunihiko Suzuki Film-forming apparatus and method
JP6019792B2 (ja) * 2012-06-20 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101750633B1 (ko) * 2012-07-30 2017-06-23 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101430752B1 (ko) * 2012-12-31 2014-08-19 (주)피앤테크 태양전지 웨이퍼용 도핑 프로세스 튜브 도어
US10214806B2 (en) * 2013-06-25 2019-02-26 Veeco Instruments Inc. Bellows-free retractable vacuum deposition sources
SG11202003438QA (en) * 2017-11-16 2020-05-28 Applied Materials Inc High pressure steam anneal processing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU734497A1 (ru) * 1977-10-06 1980-05-15 Восточный научно-исследовательский и проектный институт огнеупорной промышленности Высокотемпературна электропечь сопротивлени
DE8801785U1 (ko) * 1988-02-11 1988-11-10 Soehlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried, De
DE3906075A1 (de) * 1989-02-27 1990-08-30 Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
JP3230836B2 (ja) 2001-11-19
US5329095A (en) 1994-07-12
KR100198144B1 (ko) 1999-06-15
JPH05291158A (ja) 1993-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930022462A (ko) 열처리장치
KR100191851B1 (ko) 액체 화학제품을 통해 운반가스를 기포화시켜서 액체 화학제품을 증발시키기 위한 기포관 장치
KR100250010B1 (ko) 종형 열처리장치
KR940022749A (ko) 열처리장치
US6756566B2 (en) Convection heating system for vacuum furnaces
KR950004380A (ko) 열처리장치
JP2000003918A (ja) 半導体熱処理装置及びその方法
JPS63502548A (ja) シリコンウエフア−の如き薄い部品の熱処理の為の装置
JP5394292B2 (ja) 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体
KR100238851B1 (ko) 열 처리 장치
JP4607678B2 (ja) 熱処理装置、ヒータ及びヒータの製造方法
KR100353499B1 (ko) 급속 열처리(ｒｔｐ) 시스템용 팽창성 엘라스토머 요소
JPWO2014148057A1 (ja) 培養装置
US6538237B1 (en) Apparatus for holding a quartz furnace
JP2004214283A (ja) 半導体製造装置
JP6560786B2 (ja) 高温処理チャンバリッド
KR930003289A (ko) 종형 열 처리장치
US3223492A (en) Pressure vessel
KR0145601B1 (ko) 고진공 소결 및 열처리장치
KR970065408A (ko) 캐리어 본체(Cerrier body)를 가열하는 방법 및 그 장치
ATE116052T1 (de) Vorrichtung zum erwärmen oder kühlen von flüssigkeiten.
JP4448238B2 (ja) 縦型熱処理装置
SU908361A1 (ru) Устройство дл стерилизации газов
JP2723110B2 (ja) 熱処理装置
KR900005572A (ko) 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120130

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term