KR930018789A - 반도체 레이저 다이오드 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로 종래에는 활성층위에 InGaAIP청과 n+형 GaAs 전류 차단층을 선택적 식각후 p+형 GaAs접촉층을 성장시켜 p의 높은 휘발성으로 InGaAIP층과 p+형GaAs 접촉층 사이에 GaAsP층이 형성되어 소장의 수명 및 성능을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 전류 차단층을 InGaP-ZnGaAIP으로 10주기 정도 성장시켜 초격자 구조를 형성하여 반도체 레이저 다이오드의 수명 및 성능을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가) 내지 (다)는 종래의 반도체 레이저 다이오드 제조 공정도.
제2도의 (가) 내지 (라)는 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조 공정도.
Claims (2)
- n형 GaAs기판(1)위에 n+형 GaAs버퍼층(2), n+형 InGaP버퍼층(2-1), n형 InGaAIP층(3), 진성 InGaP 활성층(4), p형 InGaAIP층(53), p형 InGaP버퍼층(5-1) 및 진성 GaAs에칭 방지층(8)을 연속적으로 성장시킨 후 InGap-ZnGaAIP 격자층(9)으로 전류차단층을 형성하고 n형 InGaP-ZnGaAIP층(11)을 성장시킨 후 사진식각 공정으로 상기 n형 InGaAIP층(11)과 InGaP-ZnGaAIP격자층(9) 및 진성 GaAs에칭 방지층(8)을 선택적 식각한 후 p+형 GaAs접촉층(7)을 성장시켜 제조하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법.
- 제1항에 있어서, InGaP-ZnGaAIP 격자층(9)은 In0.5Ga0.5P(15Å) - In0.5(Ga0.3AI0.7)0.5P(30Å)를 10주기로 성장시켜 제작하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930018789A true KR930018789A (ko) | 1993-09-22 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100261957B1 (ko) * | 1996-11-18 | 2000-07-15 | 오우라 히로시 | 수평 반송 테스트 핸들러 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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