KR940001475A - 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 두개의 초전도체 사이에 2차원전자기체(two dimensional electron gas)가 수십 내지 수백의 적층을 이루는 초격자(superlattice)구조를 갖는 조셉슨 소자(Josephson device)을 제조하는 방법에 관한 것으로 절연 GaAs 상에 밴드갭이 낮은 GaAs와, 상대적으로 밴드값이 높은 AlGaAs및, 실리콘이 도핑된 AlGaAs 순차로 반복 성장시켜 초격자구조를 형성하는 단계와, 포토레지스를 코팅하고 소자모양을 형성한 후 순메사에칭을 수행하여 초격자메사를 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하는 단계와, 초격자메사 양측면에 전극이 형성된 부분만을 선택적으로 식각한 후 초전도 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 의한 초격자 접합구조를 개략적으로 나타낸 도면.
제 3 도의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조공정도
Claims (1)
- 조셉슨 접합소자를 제조하는 방법에 있어서, 절연 GaAs 상에 밴드갭이 낮은 GaAs와, 상대적으로 밴드값이 높은 AlGaAs 및, 실리콘이 도핑된 AlGaAs 순차로 반복 성장시켜 초격자 구조를 형성하는 단계와, 포토레지스트를 코팅하고 소자모양을 형성한 후 순 메사에칭을 수행하여 초격자 메사를 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 초격자 메사 양측면에 전극이 형성될 부분만을 선택적으로 식각한 후 초전도 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011451A KR950003956B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011451A KR950003956B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940001475A true KR940001475A (ko) | 1994-01-11 |
| KR950003956B1 KR950003956B1 (ko) | 1995-04-21 |
Family
ID=19335489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011451A KR950003956B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 초격자 접합구조 조셉슨 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950003956B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-29 KR KR1019920011451A patent/KR950003956B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950003956B1 (ko) | 1995-04-21 |
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