KR930017092A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 및 그 제조방법에 관한 것으로, 금속배선을 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 금속 배선은 제1금속층, 층간반응층 및 제2금속층이 적층구조로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체장치를 제공하며 상기 금속배선을 포함하는 반도체장치를 실현하기 위해 금속배선을 포함하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판위에 형성된 절연막상에 제1금속층, 층간반응층 및 제2금속층을 순차적층한후 금속배선패턴으로 패터닝한 다음 얼로이시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 따라서 본 발명에 의하면, EM특성을 향상시킬수 있게 되어 반도체장치의 금속배선의 신뢰성의 향상을 도모할 수 있게된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 형성된 금속배선구조를 나타낸 것이며, 제3A도 및 제3B도는 본 발명에 의해 형성된 금속배선구조의 MTTF를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
Claims (12)
- 금속배선을 포함하는 반도체장치에 있어서, 상기 금속배선은 제1금속층, 층간반응층 및 제2금속층의 적층구조 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속층 및 제2금속층은 A ℓ또는 Aℓ계 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간반응층은 천이금속 또는 천이금속화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제3항에 있어서, 상기 층간반응층은 Ti 또는 TiN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간반응층은 상기 제1금속층과 제2금속층을 합한 총금속층 높이의 1/5 내지 1/2의 높이에 위치함을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속층 및 제2금속층은 2000Å∼4000Å의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 층간반응층은 100Å∼300Å의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 반도체장치.
- 그속배선을 포함하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판위에 형성된 절연막상에 제1금속층, 층간반응층 및 제2금속층을 순차적층한후 금속배선패턴으로 패터닝한 다음 얼로이 시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1금속층과 제2금속층은 Aℓ계 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1금속층과 제2금속층은 각각 실온에서 압력 7mTorr이하의 Ar분위기의 리액터내에서 스퍼터링에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 층간반응층은 Ti 또는 TiN을 250℃이하 에서 압력 7mTorr이하의 Ar분위기의 리액터내에서 스퍼터링에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 얼로이는 300℃∼500℃의 온도에서 20∼40분간 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000513A KR930017092A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000513A KR930017092A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930017092A true KR930017092A (ko) | 1993-08-30 |
Family
ID=65515443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920000513A KR930017092A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930017092A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100556346B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 금속 배선 형성방법 |
| KR100823648B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2008-04-21 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-01-15 KR KR1019920000513A patent/KR930017092A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100556346B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 금속 배선 형성방법 |
| KR100823648B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2008-04-21 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조 방법 |
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