KR930011435A - 반도체 집적회로에서의 신호출력회로 - Google Patents

반도체 집적회로에서의 신호출력회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 출력변화시에는 AC 사양으로부터 자동적으로 결정되는 출력저항을 갖추고, 출력정시시에는 DC사양만으로부터 결정되는 상대적으로 큰 값의 출력저항을 갖추어, 출력변화시의 전원전위나 접지전위의 변동이 출력노드에 영향을 주기 어려워 출력노이즈가 억제되도록 된 출력 버퍼회로를 제공한다.
본 발명은, 출력노드가 신호출력단자(11)에 공통으로 접속된 DC 버퍼회로(12) 및 AC 버퍼회로(13)와, 상기 DC 버퍼회로(12)의 출력변화시에는 AC 버퍼회로(13)를 구동시키고, DC 버퍼회로(12)의 출력정지시에는 AC버퍼회로(13)의 출력을 고임피던스상태로 제어하는 AC 버퍼 제어회로(15)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 집적회로에서의 신호출력회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 신호출력회로의 블록도.
제2도는 제1도중의 제어회로에 의한 AC 버퍼회로의 제어순서의 일예를 나타낸 회로도.
제3도는 제1도중의 제어회로에 의한 AC 버퍼회로의 제어순서의 다른 예를 나타낸 회로도.

Claims (12)

  1. 신호출력단자(11)와, 각 출력노드가 상기 신호출력단자(11)에 공통으로 접속된 제1 및 제2출력 버퍼회로(12,13) 및 제어신호를 기초로 상기 제1 및 제2출력 버퍼회로(12,13)의 각 출력노드를 고임피던스 상태로 제어함과 더불어 상기 제1출력 버퍼회로(12)의 출력의 변화시에는 상기 제2출력 버퍼회로(13)를 구동하고 상기 제1출력버퍼회로(12)의 출력의 정지시에는 상기 제2출력 버퍼회로(13)의 출력하는 고임피던스 상태로 제어하는 제어회로(14,15)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2출력 버퍼회로(13)가 MOS트랜지스터(P2,N2) 또는 바이폴라 트랜지스터(Q21,Q22)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)는 상기 제1출력 버퍼회로(12) 또는 그 보다 전단의 입력신호 또는 출력노드의 레벨을 기초로 상기 제2출력 버퍼회로(13)를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2출력 버퍼회로(13)가 고전위측 전위(Vcc)와 제1출력 버퍼회로(12)의 출력노드의 사이에 접속된 P채널 MOS형 또는 PNP형 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)로 구성되고, 상기 제어회로(14,15)는 상기 출력노드가 "L"레벨로부터 "H"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)을 일시적으로 온 상태로 하고, 상기 출력노드가 "H"레벨로 정지하고 있는 경우에 상기 전류유출형 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극을 상기 출력노드에 접속하며, 상기 출력노드가 "H"레벨로부터 "L"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극을 상기 고전위측 전원(Vcc)에 접속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2출력 버퍼회로(13)가 제1출력 버퍼회로(12)의 출력노드와 저전위측 전원(Vss)의 사이에 접속된 N채널 MOS트랜지스터 또는 NPN형 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)로 구성되고, 상기 제어회로(14,15)는 상기 출력노드가 "H"레벨로부터 "L"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(N2,Q22)을 일시적으로 온 상태로 하고, 상기 출력노드가 "L"레벨로 정지하고 있는 경우에 상기 전류유출형 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극을 상기 출력노드에 접속하며, 상기 출력노드가 "L"레벨로부터 "H"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극을 상기 고전위측 전원(Vss)에 접속하도록 구성된 것을 특징으로하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2출력 버퍼회로(13)는 고전위측 전원(Vcc)과 제1출력 버퍼회로(12)의 출력노드의 사이에 P채널 MOS형 또는 PNP형의 전류유출용 트랜지스터(P2,Q22) 및 상기 출력노드와 저전위측 전원(Vss)의 사이에 접속된 N채널 MOS형 또는 NPN형의 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)로 구성되고, 상기 제어회로(14,15)는 상기 출력노드가 "L"레벨로부터 "H"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q22)을 일시적으로 온 상태로 함과, 더불어 상기 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극을 상기 저전위측 전원(Vss)에 접속하고, 상기 출력노드가 "H"레벨로 정지하고 있는 경우에 상기 전류유출형 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극을 상기 출력노드에 접속하며, 상기 출력노드가 "H"레벨로부터 "L"레벨로 변화하는 경우에 상기 전류유출용 트랜지스터(N2,Q21)의 제어전극을 상기 고전위측 전원(Vcc)에 접속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  7. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)가 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)를 일시적으로 온 상태로 하은 경우에는 상기 전류 유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극을 저전위측 전위(Vss)또는 상기 출력노드에 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  8. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)는 상기 출력노드가 "H"레벨로 설정되어 있는 상태의 경우에는 다이오드소자(P3,D1,Q11,Q12)를 매개로 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극을 상기 출력노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  9. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)가 상기 고전위측 전원(Vcc)과 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극의 사이에 접속된 제1스위치소자(P13,P14)와, 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극과 출력노드의 사이에 접속된 제2스위치소자(P11,P12) 및, 상기 전류유출용 트랜지스터(P2,Q21)의 제어전극과 저전위측 전위(Vss)또는 출력노드의 사이에 접속된 제3스위치소자(N11,N12)를 갖추고, 이들 각 스위치소자(P13,P14;P11,P12;N11,N12)를 소정의 순서로 제어하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  10. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)가 상기 전류유출용 트랜지스터(N2,Q22)를 일시적으로 온 상태로 하는 경우에는 상기 전류 유출용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극을 저전위측 전원(Vcc)또는 상기 출력노드에 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  11. 제5항 또는 제8항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)는 상기 출력노드가 "L"레벨로 설정되어 있는 상태의 경우에는 다이오드소자(N3,D2,Q13,Q14)를 매개로 상기 전류유출용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극을 상기 출력노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
  12. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제어회로(14,15)가 상기 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극과 상기 저전위측 전원(Vss)의 사이에 접속된 제4스위치소자(N23,N24)와, 상기 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)에 제어전극과 출력노드 사이에 접속된 제5스위치 소자(N21,N22) 및 상기 고전위측 전원(Vcc) 또는 출력노드와 상기 전류흡입용 트랜지스터(N2,Q22)의 제어전극의 사이에 접속된 제6스위치소자(P21,P22)를 갖추고, 이들 각 스위치소자(N23,N24;N21,N22:P21,P22)를 소정의 순서로 제어하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 신호출력회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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