JP2000124789A - バッファ回路 - Google Patents

バッファ回路

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JP2000124789A
JP2000124789A JP10295687A JP29568798A JP2000124789A JP 2000124789 A JP2000124789 A JP 2000124789A JP 10295687 A JP10295687 A JP 10295687A JP 29568798 A JP29568798 A JP 29568798A JP 2000124789 A JP2000124789 A JP 2000124789A
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channel transistor
terminal
signal
input
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JP10295687A
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Koji Nasu
浩司 那須
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Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力端子11に接続される負荷の容量が増加
すると、入力信号がHレベルに変化してから、出力信号
がHレベルに変化するまでに要する遅延時間が増加して
しまう課題があった。 【解決手段】 入力信号がLレベルの場合には、Pチャ
ンネルトランジスタ36のベース端子を電源28に接続
し、入力信号がHレベルの場合には、Pチャンネルトラ
ンジスタ36のベース端子を出力端子38に接続する一
方、入力信号がLレベルの場合には、Nチャンネルトラ
ンジスタ37のベース端子を出力端子38に接続し、入
力信号がHレベルの場合には、Nチャンネルトランジス
タ37のベース端子をグランド35に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、電算装
置間で転送される情報を一時的に蓄えるバッファ回路に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】図12は従来のバッファ回路を示す構成
図であり、図において、1は入力信号を入力する入力端
子、2は出力端子11から出力信号の出力を停止すると
きイネーブル信号(Lアクティブの信号)を入力する入
力端子、3,4は信号レベルを反転する反転器、5は入
力信号と反転器4の反転信号を入力するNAND回路、
6は入力信号と反転器3の反転信号を入力するNOR回
路、7は電源、8はグランド、9はベース電位がHレベ
ルのときオフ状態になり、ベース電位がLレベルのとき
オン状態になるPチャンネルトランジスタ(第1のトラ
ンジスタ)、10はベース電位がHレベルのときオン状
態になり、ベース電位がLレベルのときオフ状態になる
Nチャンネルトランジスタ(第2のトランジスタ)、1
1は出力信号を出力する出力端子である。
【0003】次に動作について説明する。図12のバッ
ファ回路は、入力端子1からLレベルの入力信号を入力
すると、出力端子11からLレベルの出力信号を出力
し、入力端子1からHレベルの入力信号を入力すると、
出力端子11からHレベルの出力信号を出力するもので
あるが、この例では、常時、出力端子11から出力信号
を出力する場合の動作を説明するので、入力端子2から
イネーブル信号が入力されず、入力端子2の信号レベル
が、常時、Hレベルであるものとして説明する。
【0004】まず、入力端子1からLレベルの入力信号
が入力される場合、図13に示すように、NAND回路
5には、Lレベルの入力信号とHレベルの反転信号が入
力されるので、Pチャンネルトランジスタ9のベース電
位はHレベルになる。したがって、Pチャンネルトラン
ジスタ9はオフ状態になり、出力端子11と電源7が非
接続状態になる。
【0005】一方、入力端子1からLレベルの入力信号
が入力される場合、NOR回路6には、Lレベルの入力
信号とLレベルの反転信号が入力されるので、Nチャン
ネルトランジスタ10のベース電位はHレベルになる。
したがって、Nチャンネルトランジスタ10はオン状態
になり、出力端子11とグランド8が接続状態になる。
【0006】このように、入力端子1からLレベルの入
力信号が入力される場合、出力端子11はグランド8と
接続されるので、出力端子11の電位が零になり、出力
端子11からLレベルの出力信号が出力される。
【0007】次に、入力端子1からHレベルの入力信号
が入力される場合、図14に示すように、NAND回路
5には、Hレベルの入力信号とHレベルの反転信号が入
力されるので、Pチャンネルトランジスタ9のベース電
位はLレベルになる。したがって、Pチャンネルトラン
ジスタ9はオン状態になり、出力端子11と電源7が接
続状態になる。
【0008】一方、入力端子1からHレベルの入力信号
が入力される場合、NOR回路6には、Hレベルの入力
信号とLレベルの反転信号が入力されるので、Nチャン
ネルトランジスタ10のベース電位はLレベルになる。
したがって、Nチャンネルトランジスタ10はオフ状態
になり、出力端子11とグランド8が非接続状態にな
る。
【0009】このように、入力端子1からHレベルの入
力信号が入力される場合、出力端子11は電源7と接続
されるので、出力端子11の電位が電源電位になり、出
力端子11からHレベルの出力信号が出力される。
【0010】なお、入力信号がLレベルからHレベルに
変化すると、上述したように、出力信号がLレベルから
Hレベルに変化するが、出力信号の電圧上昇率は、出力
端子11に接続される負荷の容量とPチャンネルトラン
ジスタ9のオン抵抗により決定されるので、出力端子1
1に接続される負荷の容量が増加すると、図15に示す
ように、電圧上昇率が低下し、入力信号がHレベルに変
化してから、出力信号がHレベルに変化するまでに要す
る遅延時間が増加する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来のバッファ回路は
以上のように構成されているので、入力信号と同一レベ
ルの出力信号を出力することができるが、出力端子11
に接続される負荷の容量が増加すると、入力信号がHレ
ベルに変化してから、出力信号がHレベルに変化するま
でに要する遅延時間が増加してしまうなどの課題があっ
た。
【0012】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、出力端子に接続される負荷の容量
が増加しても、遅延時間の増加を抑制することができる
バッファ回路を得ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明に係るバッファ
回路は、入力信号がLレベルの場合には、第1のトラン
ジスタのベース端子を電源に接続し、入力信号がHレベ
ルの場合には、第1のトランジスタのベース端子を出力
端子に接続する第1のベース電位制御手段と、入力信号
がLレベルの場合には、第2のトランジスタのベース端
子を出力端子に接続し、入力信号がHレベルの場合に
は、第2のトランジスタのベース端子をグランドに接続
する第2のベース電位制御手段とを設けたものである。
【0014】この発明に係るバッファ回路は、入力信号
がLレベルからHレベルに変化すると、フィードバック
期間経過後に第1のトランジスタのベース端子をグラン
ドに接続するようにしたものである。
【0015】この発明に係るバッファ回路は、入力信号
がHレベルからLレベルに変化すると、フィードバック
期間経過後に第2のトランジスタのベース端子を電源に
接続するようにしたものである。
【0016】この発明に係るバッファ回路は、第1のベ
ース電位制御手段がフィードバック期間を選定する選定
手段を備えるようにしたものである。
【0017】この発明に係るバッファ回路は、第2のベ
ース電位制御手段がフィードバック期間を選定する選定
手段を備えるようにしたものである。
【0018】この発明に係るバッファ回路は、第1のベ
ース電位制御手段が、第1のトランジスタのベース端子
に対する出力信号のフィードバック量を選定する選定手
段を備えるようにしたものである。
【0019】この発明に係るバッファ回路は、第2のベ
ース電位制御手段が、第2のトランジスタのベース端子
に対する出力信号のフィードバック量を選定する選定手
段を備えるようにしたものである。
【0020】この発明に係るバッファ回路は、イネーブ
ル信号が入力されると、第1のトランジスタのベース端
子を電源に接続し、第2のトランジスタのベース端子を
グランドに接続するようにしたものである。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1によるバ
ッファ回路を示す構成図であり、図において、21は入
力信号を入力する入力端子、22は出力端子38から出
力信号の出力を停止するときイネーブル信号(Lアクテ
ィブの信号)を入力する入力端子、23,24,25は
信号レベルを反転する反転器(第1のベース電位制御手
段、第2のベース電位制御手段)、26は反転器23の
反転信号と反転器24の反転信号を入力するNOR回路
(第1のベース電位制御手段)、27は反転器23の反
転信号と反転器25の反転信号を入力するNAND回路
(第2のベース電位制御手段)である。
【0022】28は電源、29はグランド、30はNO
R回路26の出力信号がLレベルのときオン状態にな
り、Hレベルのときオフ状態になるPチャンネルトラン
ジスタ、31はNOR回路26の出力信号がLレベルの
ときオフ状態になり、Hレベルのときオン状態になるN
チャンネルトランジスタ、32はNAND回路27の出
力信号がLレベルのときオフ状態になり、Hレベルのと
きオン状態になるNチャンネルトランジスタ、33はN
AND回路27の出力信号がLレベルのときオン状態に
なり、Hレベルのときオフ状態になるPチャンネルトラ
ンジスタである。なお、電源28,Pチャンネルトラン
ジスタ30及びNチャンネルトランジスタ31は第1の
ベース電位制御手段を構成し、グランド29,Nチャン
ネルトランジスタ32及びPチャンネルトランジスタ3
3は第2のベース電位制御手段を構成する。
【0023】34は電源、35はグランド、36はベー
ス電位がHレベルのときオフ状態になり、ベース電位が
Lレベルのときオン状態になるPチャンネルトランジス
タ(第1のトランジスタ)、37はベース電位がHレベ
ルのときオン状態になり、ベース電位がLレベルのとき
オフ状態になるNチャンネルトランジスタ(第2のトラ
ンジスタ)、38は出力信号を出力する出力端子であ
る。
【0024】次に動作について説明する。図1のバッフ
ァ回路は、入力端子21からLレベルの入力信号を入力
すると、出力端子38からLレベルの出力信号を出力
し、入力端子21からHレベルの入力信号を入力する
と、出力端子38からHレベルの出力信号を出力するも
のであるが、この例では、常時、出力端子38から出力
信号を出力する場合の動作を説明するので、入力端子2
2からイネーブル信号が入力されず、入力端子22の信
号レベルが、常時、Hレベルであるものとして説明す
る。
【0025】まず、入力端子21からLレベルの入力信
号が入力される場合、図2に示すように、NOR回路2
6には、Lレベルの反転信号とHレベルの反転信号が入
力されるので、Pチャンネルトランジスタ30及びNチ
ャンネルトランジスタ31のベース電位はLレベルにな
る。
【0026】このため、Pチャンネルトランジスタ30
がオン状態になり、Nチャンネルトランジスタ31がオ
フ状態になるため、Pチャンネルトランジスタ36のベ
ース端子が電源28と接続される。したがって、Pチャ
ンネルトランジスタ36のベース電位がHレベルになる
ので、Pチャンネルトランジスタ36がオフ状態にな
り、出力端子38と電源34が非接続状態になる。
【0027】一方、入力端子21からLレベルの入力信
号が入力される場合、NAND回路27には、Hレベル
の反転信号とHレベルの反転信号が入力されるので、N
チャンネルトランジスタ32及びPチャンネルトランジ
スタ33のベース電位はLレベルになる。
【0028】このため、Nチャンネルトランジスタ32
がオフ状態になり、Pチャンネルトランジスタ33がオ
ン状態になるため、Nチャンネルトランジスタ37のベ
ース端子が出力端子38と接続される。したがって、N
チャンネルトランジスタ37のベース電位は、出力端子
38の信号レベルと一致するので、入力信号がHレベル
からLレベルに変化して、出力信号がHレベルからLレ
ベルに変化する直前においては、Nチャンネルトランジ
スタ37のベース電位はHレベルであって、Nチャンネ
ルトランジスタ37はオン状態であるため、出力端子3
8とグランド35が接続状態になる。
【0029】このように、入力端子21からLレベルの
入力信号が入力される場合、出力端子38はグランド3
5と接続されるので、出力端子38の電位が零になり、
出力端子38からLレベルの出力信号が出力される。な
お、出力端子38の信号レベルがHレベルからLレベル
に変化すると、Nチャンネルトランジスタ37のベース
電位がHレベルからLレベルに変化するので、Nチャン
ネルトランジスタ37がオフ状態に変化して、出力端子
38はグランド35と非接続状態になるが、電源34と
の非接続状態が維持されるので、信号レベルはLレベル
を維持する。
【0030】次に、入力端子21からHレベルの入力信
号が入力される場合、図3に示すように、NAND回路
27には、Lレベルの反転信号とHレベルの反転信号が
入力されるので、Nチャンネルトランジスタ32及びP
チャンネルトランジスタ33のベース電位はHレベルに
なる。
【0031】このため、Nチャンネルトランジスタ32
がオン状態になり、Pチャンネルトランジスタ33がオ
フ状態になるため、Nチャンネルトランジスタ37のベ
ース端子がグランド29と接続される。したがって、N
チャンネルトランジスタ37のベース電位がLレベルに
なるので、Nチャンネルトランジスタ37がオフ状態に
なり、出力端子38とグランド35が非接続状態にな
る。
【0032】一方、入力端子21からHレベルの入力信
号が入力される場合、図3に示すように、NOR回路2
6には、Lレベルの反転信号とLレベルの反転信号が入
力されるので、Pチャンネルトランジスタ30及びNチ
ャンネルトランジスタ31のベース電位はHレベルにな
る。
【0033】このため、Pチャンネルトランジスタ30
がオフ状態になり、Nチャンネルトランジスタ31がオ
ン状態になるため、Pチャンネルトランジスタ36のベ
ース端子が出力端子38と接続される。したがって、P
チャンネルトランジスタ36のベース電位は、出力端子
38の信号レベルと一致するので、入力信号がLレベル
からHレベルに変化して、出力信号がLレベルからHレ
ベルに変化する直前においては、Pチャンネルトランジ
スタ36のベース電位はLレベルであって、Pチャンネ
ルトランジスタ36はオン状態であるため、出力端子3
8と電源34が接続状態になる。
【0034】このように、入力端子21からHレベルの
入力信号が入力される場合、出力端子38は電源34と
接続されるので、出力端子38の電位が電源電位にな
り、出力端子38からHレベルの出力信号が出力され
る。なお、出力端子38の信号レベルがLレベルからH
レベルに変化すると、Pチャンネルトランジスタ36の
ベース電位がLレベルからHレベルに変化するので、P
チャンネルトランジスタ36がオフ状態に変化して、出
力端子38は電源34と非接続状態になるが、グランド
35との非接続状態が維持されるので、信号レベルはH
レベルを維持する。
【0035】ここで、入力信号がLレベルからHレベル
に変化すると、上述したように、出力信号がLレベルか
らHレベルに変化するが、出力信号の電圧上昇率は、出
力端子38に接続される負荷の容量とPチャンネルトラ
ンジスタ33のオン抵抗により決定されるので、出力端
子38に接続される負荷の容量が増加すると、従来例で
は、電圧上昇率が低下して遅延時間が増加するが、この
実施の形態1では、遅延時間の増加を抑制することがで
きる。
【0036】その理由は次の通りである。即ち、入力信
号がLレベルからHレベルに変化して、Pチャンネルト
ランジスタ30がオフ状態に変化すると、Pチャンネル
トランジスタ36のベース端子が電源28から切り離さ
れて、出力端子38と接続されるので(Nチャンネルト
ランジスタ31がオン状態になる為)、図4に示すよう
に、Pチャンネルトランジスタ36のベース電位が徐々
に下がり、出力端子38の電位より低くなると、出力端
子38の電位に追従して上昇する。
【0037】その結果、出力端子38に接続される負荷
の容量が増加して、出力信号の当初の電圧上昇率が鈍い
場合には(図4の実線Dを参照)、出力端子38に接続
される負荷の容量が小さい場合に比べて、Pチャンネル
トランジスタ36のベース電位が小さくなり(図4の点
線Cを参照)、Pチャンネルトランジスタ36のオン抵
抗が小さくなる。したがって、出力端子38に接続され
る負荷の容量が増加する程、Pチャンネルトランジスタ
36のオン抵抗が小さくなるので、出力信号の電圧上昇
率が鋭くなる方向に改善され、遅延時間の増加を抑制す
ることができる。
【0038】ここでは、入力信号がLレベルからHレベ
ルに変化する場合において、遅延時間の増加を抑制でき
る理由を説明したが、入力信号がHレベルからLレベル
に変化する場合、同様の理由から、出力信号の電圧下降
率が鋭くなる方向に改善され、遅延時間の増加を抑制す
ることができる。
【0039】以上で明らかなように、この実施の形態1
によれば、入力信号がLレベルの場合には、Pチャンネ
ルトランジスタ36のベース端子を電源28に接続し、
入力信号がHレベルの場合には、Pチャンネルトランジ
スタ36のベース端子を出力端子38に接続する一方、
入力信号がLレベルの場合には、Nチャンネルトランジ
スタ37のベース端子を出力端子38に接続し、入力信
号がHレベルの場合には、Nチャンネルトランジスタ3
7のベース端子をグランド35に接続するように構成し
たので、出力端子38に接続される負荷の容量が増加し
ても、遅延時間の増加を抑制することができる効果を奏
する。
【0040】実施の形態2.図5はこの発明の実施の形
態2によるバッファ回路を示す構成図であり、図におい
て、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説
明を省略する。39は入力信号がLレベルからHレベル
に変化して、NOR回路26の出力信号がLレベルから
Hレベルに変化すると、Nチャンネルトランジスタ31
のベース電位をHレベルにし、フィードバック期間が経
過すると、Nチャンネルトランジスタ31のベース電位
をLレベルにするパルス発生回路(第1のベース電位制
御手段)、40はグランド(第1のベース電位制御手
段)、41はNOR回路26の出力信号がLレベルのと
きオフ状態になり、Hレベルのときオン状態になるNチ
ャンネルトランジスタ(第1のベース電位制御手段)で
ある。
【0041】42は入力信号がHレベルからLレベルに
変化して、NAND回路27の出力信号がHレベルから
Lレベルに変化すると、Pチャンネルトランジスタ33
のベース電位をLレベルにし、フィードバック期間が経
過すると、Pチャンネルトランジスタ33のベース電位
をHレベルにするパルス発生回路(第2のベース電位制
御手段)、43は電源(第2のベース電位制御手段)、
44はNAND回路27の出力信号がHレベルのときオ
フ状態になり、Lレベルのときオン状態になるPチャン
ネルトランジスタ(第2のベース電位制御手段)であ
る。
【0042】次に動作について説明する。上記実施の形
態1では、入力信号がLレベルからHレベルに変化し
て、出力信号がHレベルに変化すると、Pチャンネルト
ランジスタ36がオフ状態になるものについて示した
が、この場合、Pチャンネルトランジスタ36とNチャ
ンネルトランジスタ37の双方がオフ状態になるため、
出力信号にノイズが重畳され易くなる。
【0043】そこで、この実施の形態2では、出力信号
に対するノイズの重畳を防止するため、入力信号がLレ
ベルからHレベルに変化して、NOR回路26の出力信
号がLレベルからHレベルに変化すると、パルス発生回
路39がパルスを出力することにより、上記実施の形態
1と同様に、Nチャンネルトランジスタ31のベース電
位をHレベルにするが、図6に示すように、フィードバ
ック期間が経過すると、パルス発生回路39がパルスの
出力を停止して、Nチャンネルトランジスタ31のベー
ス電位をLレベルにする。
【0044】これにより、Pチャンネルトランジスタ3
6のベース電位が出力端子38の電位に追従して上昇し
たのち、零電位に固定されるので(Pチャンネルトラン
ジスタ36のベース端子がNチャンネルトランジスタ4
1を介してグランド40と接続される為)、Pチャンネ
ルトランジスタ36がオン状態に維持され、出力信号の
耐ノイズ性を高めることができる。
【0045】一方、上記実施の形態1では、入力信号が
HレベルからLレベルに変化して、出力信号がLレベル
に変化すると、Nチャンネルトランジスタ37がオフ状
態になるものについて示したが、この場合、Pチャンネ
ルトランジスタ36とNチャンネルトランジスタ37の
双方がオフ状態になるため、出力信号にノイズが重畳さ
れ易くなる。
【0046】そこで、この実施の形態2では、出力信号
に対するノイズの重畳を防止するため、入力信号がHレ
ベルからLレベルに変化して、NAND回路27の出力
信号がHレベルからLレベルに変化すると、パルス発生
回路42がパルスを出力することにより、上記実施の形
態1と同様に、Pチャンネルトランジスタ33のベース
電位をLレベルにするが、フィードバック期間が経過す
ると、パルス発生回路42がパルスの出力を停止して、
Pチャンネルトランジスタ33のベース電位をHレベル
にする。
【0047】これにより、Nチャンネルトランジスタ3
7のベース電位が出力端子38の電位に追従して下降し
たのち、電源電位に固定されるので(Nチャンネルトラ
ンジスタ37のベース端子がPチャンネルトランジスタ
44を介して電源43と接続される為)、Nチャンネル
トランジスタ37がオン状態に維持され、出力信号の耐
ノイズ性を高めることができる。
【0048】実施の形態3.上記実施の形態2では、フ
ィードバック期間を固定するものについて示したが、図
7に示すように、パルスの出力期間が異なる複数のパル
ス発生回路39,42,45,46を用意し、何れかの
パルス発生回路を選定するセレクタ(選定手段)47,
48を設けるようにしてもよい。これにより、必要なフ
ィードバック期間を選定することができるため、必要に
応じて出力信号の波形特性を変更することができる効果
を奏する。
【0049】実施の形態4.上記実施の形態3では、フ
ィードバック期間を選定するものについて示したが、図
8に示すように、抵抗特性が異なる複数のNチャンネル
トランジスタ31,49と、抵抗特性が異なる複数のP
チャンネルトランジスタ33,50を用意し、何れかの
Nチャンネルトランジスタ又はPチャンネルトランジス
タを選定するセレクタ(選定手段)51,52を設ける
ようにしてもよい。これにより、Pチャンネルトランジ
スタ36及びNチャンネルトランジスタ37のベース端
子に対する出力信号のフィードバック量を選定すること
ができるため、必要に応じて出力信号の波形特性を変更
することができる効果を奏する。
【0050】実施の形態5.上記実施の形態3では、フ
ィードバック期間を選定するものについて示し、上記実
施の形態4では、出力信号のフィードバック量を選定す
るものについて示したが、図9に示すように、フィード
バック期間とフィードバック量の双方を選定するように
してもよい。
【0051】実施の形態6.上記実施の形態1〜実施の
形態5では、入力端子22からイネーブル信号が入力さ
れず、入力端子22の信号レベルが、常時、Hレベルで
あるものについて示したが、ここでは、入力端子22か
らイネーブル信号が入力された場合について説明する。
【0052】入力端子22からイネーブル信号が入力さ
れると、図10及び図11に示すように、Pチャンネル
トランジスタ36及びNチャンネルトランジスタ37
は、ともにオフ状態になる。これにより、入力信号の信
号レベルが変化しても、出力信号の信号レベルは、イネ
ーブル信号が入力される前の状態に維持されることにな
る。
【0053】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、入力
信号がLレベルの場合には、第1のトランジスタのベー
ス端子を電源に接続し、入力信号がHレベルの場合に
は、第1のトランジスタのベース端子を出力端子に接続
する第1のベース電位制御手段と、入力信号がLレベル
の場合には、第2のトランジスタのベース端子を出力端
子に接続し、入力信号がHレベルの場合には、第2のト
ランジスタのベース端子をグランドに接続する第2のベ
ース電位制御手段とを設けるように構成したので、出力
端子に接続される負荷の容量が増加しても、遅延時間の
増加を抑制することができる効果がある。
【0054】この発明によれば、入力信号がLレベルか
らHレベルに変化すると、フィードバック期間経過後に
第1のトランジスタのベース端子をグランドに接続する
ように構成したので、出力信号に対するノイズの重畳を
防止することができる効果がある。
【0055】この発明によれば、入力信号がHレベルか
らLレベルに変化すると、フィードバック期間経過後に
第2のトランジスタのベース端子を電源に接続するよう
に構成したので、出力信号に対するノイズの重畳を防止
することができる効果がある。
【0056】この発明によれば、第1のベース電位制御
手段がフィードバック期間を選定する選定手段を備える
ように構成したので、必要に応じて出力信号の波形特性
を変更することができる効果がある。
【0057】この発明によれば、第2のベース電位制御
手段がフィードバック期間を選定する選定手段を備える
ように構成したので、必要に応じて出力信号の波形特性
を変更することができる効果がある。
【0058】この発明によれば、第1のベース電位制御
手段が、第1のトランジスタのベース端子に対する出力
信号のフィードバック量を選定する選定手段を備えるよ
うに構成したので、必要に応じて出力信号の波形特性を
変更することができる効果がある。
【0059】この発明によれば、第2のベース電位制御
手段が、第2のトランジスタのベース端子に対する出力
信号のフィードバック量を選定する選定手段を備えるよ
うに構成したので、必要に応じて出力信号の波形特性を
変更することができる効果がある。
【0060】この発明によれば、イネーブル信号が入力
されると、第1のトランジスタのベース端子を電源に接
続し、第2のトランジスタのベース端子をグランドに接
続するように構成したので、入力信号の信号レベルが変
化しても、出力信号の信号レベルを、イネーブル信号が
入力される前の状態に維持することができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるバッファ回路
を示す構成図である。
【図2】 入力端子21にLレベルの入力信号が入力さ
れた場合の各部の状態を示す説明図である。
【図3】 入力端子21にHレベルの入力信号が入力さ
れた場合の各部の状態を示す説明図である。
【図4】 Pチャンネルトランジスタ36のゲート電位
と出力端子38の電位変化を示すグラフ図である。
【図5】 この発明の実施の形態2によるバッファ回路
を示す構成図である。
【図6】 Pチャンネルトランジスタ36のゲート電位
と出力端子38の電位変化を示すグラフ図である。
【図7】 この発明の実施の形態3によるバッファ回路
を示す構成図である。
【図8】 この発明の実施の形態4によるバッファ回路
を示す構成図である。
【図9】 この発明の実施の形態5によるバッファ回路
を示す構成図である。
【図10】 入力端子22にイネーブル信号が入力され
た場合の各部の状態を示す説明図である。
【図11】 入力端子22にイネーブル信号が入力され
た場合の各部の状態を示す説明図である。
【図12】 従来のバッファ回路を示す構成図である。
【図13】 Lレベルの入力信号が入力された場合の各
部の状態を示す説明図である。
【図14】 Hレベルの入力信号が入力された場合の各
部の状態を示す説明図である。
【図15】 出力信号の電位変化を示すグラフ図であ
る。
【符号の説明】
23,24,25 反転器(第1のベース電位制御手
段、第2のベース電位制御手段)、26 NOR回路
(第1のベース電位制御手段)、27 NAND回路
(第2のベース電位制御手段)、28 電源(第1のベ
ース電位制御手段)、29 グランド(第2のベース電
位制御手段)、30 Pチャンネルトランジスタ(第1
のベース電位制御手段)、31,41,49 Nチャン
ネルトランジスタ(第1のベース電位制御手段)、32
Nチャンネルトランジスタ(第2のベース電位制御手
段)、33,44,50 Pチャンネルトランジスタ
(第2のベース電位制御手段)、34 電源、35 グ
ランド、36 Pチャンネルトランジスタ(第1のトラ
ンジスタ)、37 Nチャンネルトランジスタ(第2の
トランジスタ)、38 出力端子、39,45 パルス
発生回路(第1のベース電位制御手段)、40 グラン
ド(第1のベース電位制御手段)、42,46 パルス
発生回路(第2のベース電位制御手段)、43 電源
(第2のベース電位制御手段)、47,48,51,5
2 セレクタ(選定手段)。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端が電源に接続される一方、他端が出
    力端子に接続され、ベース電位がHレベルのときオフ状
    態になり、ベース電位がLレベルのときオン状態になる
    第1のトランジスタと、一端がグランドに接続される一
    方、他端が上記出力端子に接続され、ベース電位がHレ
    ベルのときオン状態になり、ベース電位がLレベルのと
    きオフ状態になる第2のトランジスタと、入力信号がL
    レベルの場合には、上記第1のトランジスタのベース端
    子を電源に接続し、入力信号がHレベルの場合には、上
    記第1のトランジスタのベース端子を上記出力端子に接
    続する第1のベース電位制御手段と、入力信号がLレベ
    ルの場合には、上記第2のトランジスタのベース端子を
    上記出力端子に接続し、入力信号がHレベルの場合に
    は、上記第2のトランジスタのベース端子をグランドに
    接続する第2のベース電位制御手段とを備えたバッファ
    回路。
  2. 【請求項2】 第1のベース電位制御手段は、入力信号
    がLレベルからHレベルに変化すると、フィードバック
    期間経過後に第1のトランジスタのベース端子をグラン
    ドに接続することを特徴とする請求項1記載のバッファ
    回路。
  3. 【請求項3】 第2のベース電位制御手段は、入力信号
    がHレベルからLレベルに変化すると、フィードバック
    期間経過後に第2のトランジスタのベース端子を電源に
    接続することを特徴とする請求項1記載のバッファ回
    路。
  4. 【請求項4】 第1のベース電位制御手段は、フィード
    バック期間を選定する選定手段を備えることを特徴とす
    る請求項2記載のバッファ回路。
  5. 【請求項5】 第2のベース電位制御手段は、フィード
    バック期間を選定する選定手段を備えることを特徴とす
    る請求項3記載のバッファ回路。
  6. 【請求項6】 第1のベース電位制御手段は、第1のト
    ランジスタのベース端子に対する出力信号のフィードバ
    ック量を選定する選定手段を備えることを特徴とする請
    求項1記載のバッファ回路。
  7. 【請求項7】 第2のベース電位制御手段は、第2のト
    ランジスタのベース端子に対する出力信号のフィードバ
    ック量を選定する選定手段を備えることを特徴とする請
    求項1記載のバッファ回路。
  8. 【請求項8】 イネーブル信号が入力されると、第1の
    ベース電位制御手段は、第1のトランジスタのベース端
    子を電源に接続し、第2のベース電位制御手段は、第2
    のトランジスタのベース端子をグランドに接続すること
    を特徴とする請求項1記載のバッファ回路。
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