KR930011289A - 박막트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 박막트랜지스터에 관한 도면으로 (a)도는 종래의 매트릭스 상에서의 박막트랜지스터의 게이트 전극 및 소오스, 드레인 전극의 배치를 보인 개략 설명도, (b)도는 (a)도의 소오스, 드레인 전극부의 부분 확대도, (c)도는 (a)도의 등가회로.
제 2 도는 이 발명에 따른 트랜지스터에 관한 도면으로 (a)도는 소오스, 드레인 전극부에 대한 평면도, (b)도는 소오스 또는 드레인 전극의 단부를 도식화한 도면이다
Claims (2)
- 게이트 전극, 절연층, 채널 전도층인 반도제층, 소오스, 드레인 전극으로 이루어진 박막트렌지스터에 있어서, 상기 반도체층 상에 형성되는 소오스 전극의 단부가 상기 게이트 전극의 길이 방향에 대하여 경사각을 갖게 형성되고, 상기 소오스 전극에 이격되게 형성되는 드레인 전극도 그의 단부가 소오스 전극의 단부와 평행하게 상기 소오스 전극의 단부와 마찬가지의 경사각을 유지하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 경사각(θ)는 상기 소오스 및 드레인 전극이 중첩되는 긴 변의 길이를 a, 작은 변의 길이를 b라고 할 때,를 만족하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910019451A KR940006707B1 (ko) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 박막트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910019451A KR940006707B1 (ko) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 박막트랜지스터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930011289A true KR930011289A (ko) | 1993-06-24 |
| KR940006707B1 KR940006707B1 (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=19322200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910019451A KR940006707B1 (ko) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 박막트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR940006707B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100554763B1 (ko) | 2001-01-29 | 2006-02-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자기기 |
-
1991
- 1991-11-01 KR KR1019910019451A patent/KR940006707B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940006707B1 (ko) | 1994-07-25 |
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