KR920022565A - 박막 트랜지스터 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)(B)는 이발명에 따른 박막 트랜지스터의 매트릭스상의 개략 평면도 및 사시도.
Claims (9)
- 스트립 타입의 게이트 어드레스 라인과 소오스 신호 라인의 매트릭스 상으로 배열되는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 어드레스 라인상에 형성되는 절연층, 채널 전도층인 반도체층, 채널층에 대응하는 상기 소오스 라인이 직선이 아닌 구형 형상으로 일부 형성되는 소오스 적극부와, 이에 이격되어 형성되는 드레인 전극을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 전극부는 소오스 라인의 일변이 드레인 전극과 맞대는 부분을 향해 위로 볼록한 형상을 갖는 것이 특징인 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 전극부는 트랜지스터의 채널층에 대응 부분에 대해 대체적으로 원형 형상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항 또는 제3항중 어느 1항에 있어서, 상기 소오스 전극부의 원형 형상 내부의 일부는 에칭 제거하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 드레인 전극부의 일변은 소오스 전극의 변형된 컨투어에 일치하여 마주보는 드레인 전극 일변인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제5항에 있어서, 상기 드레인 전극의 타변은 소오스 라인 길이 방향에 평행한 직선 형상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기한 트랜지스터의 드레인 전극은 적어도 하나 이상의 화소 전극을 구동함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 소오스 라인의 소오스 전극부는 각 변이 동일 컨투어로 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 이써서, 채널층인 반도체 층상의 소오스 라인은 이 반도체 층상에 또는 그 내부에 있도록 형성됨을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910008665A KR940006701B1 (ko) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 박막 트랜지스터 |
| US07/825,256 US5247194A (en) | 1991-05-24 | 1992-01-24 | Thin film transistor with an increased switching rate |
| JP5281392A JP2571992B2 (ja) | 1991-05-24 | 1992-03-11 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910008665A KR940006701B1 (ko) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 박막 트랜지스터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920022565A true KR920022565A (ko) | 1992-12-19 |
| KR940006701B1 KR940006701B1 (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=19315012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910008665A KR940006701B1 (ko) | 1991-05-24 | 1991-05-27 | 박막 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940006701B1 (ko) |
-
1991
- 1991-05-27 KR KR1019910008665A patent/KR940006701B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940006701B1 (ko) | 1994-07-25 |
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