KR950010115A - 박막트랜지스터 - Google Patents
박막트랜지스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950010115A KR950010115A KR1019930017742A KR930017742A KR950010115A KR 950010115 A KR950010115 A KR 950010115A KR 1019930017742 A KR1019930017742 A KR 1019930017742A KR 930017742 A KR930017742 A KR 930017742A KR 950010115 A KR950010115 A KR 950010115A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- uneven portion
- gate insulating
- thicker
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 CdSe TFT에 관한 것으로 CdSe TFT의 안정성을 향상시키기 위해 인버티드 스태거 구조의 박막트랜지스터에 있어서, 게이트절연막이 채널영역부위에는 요철부를 가지며, 소오스 및 드레인접합부위는 상기 요철부위보다 두께가 두껍게 된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 CdSe TFT구조도,
제3도는 본 발명의 CdSe TFT게이트 절연막의 요철형성방법을 나타낸 도면.
Claims (1)
- 인버티드 스태거 구조의 박막트랜지스터에 있어서, 게이트절연막이 채널영역부위에는 요철부를 가지며, 소오스 및 드레인접합부위는 상기 요철부위보다 두께가 두껍게 된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930017742A KR950010115A (ko) | 1993-09-04 | 1993-09-04 | 박막트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930017742A KR950010115A (ko) | 1993-09-04 | 1993-09-04 | 박막트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010115A true KR950010115A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66817431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930017742A KR950010115A (ko) | 1993-09-04 | 1993-09-04 | 박막트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010115A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100569262B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2006-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR20060090020A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 3차원 구조의 활성층을 가지는 유기 박막 트랜지스터 및그 제조방법 |
| KR20160145031A (ko) * | 2014-04-18 | 2016-12-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치 |
-
1993
- 1993-09-04 KR KR1019930017742A patent/KR950010115A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100569262B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2006-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR20060090020A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 3차원 구조의 활성층을 가지는 유기 박막 트랜지스터 및그 제조방법 |
| KR20160145031A (ko) * | 2014-04-18 | 2016-12-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0902481A3 (en) | Thin film transistor with reduced parasitic capacitance | |
| DE69121535T2 (de) | Feldeffekttransistor mit inverser T-förmiger Silizid-Torelektrode | |
| TW335560B (en) | Symmetric transverse resistor of polysilicon TFT | |
| KR930006975A (ko) | 절연게이트형 전계효과 트랜지스터 | |
| KR950004600A (ko) | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 | |
| KR950010115A (ko) | 박막트랜지스터 | |
| ES2076468T3 (es) | Dispositivo semiconductor que tiene un transistor mejorado con puerta aislada. | |
| KR850005162A (ko) | 전계효과형 트랜지스터 | |
| KR970018690A (ko) | 비대칭 트랜지스터 및 그의 형성 방법 | |
| KR930018757A (ko) | 화합물 반도체장치 | |
| JPS5384571A (en) | Insulating gate type field effect transistor and its manufacture | |
| KR910007074A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR850005174A (ko) | 헤테로 구조를 가진 반도체 장치 | |
| KR920010932A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR950012757A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950007148A (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터 | |
| KR920005392A (ko) | Ldd제조방법 및 구조 | |
| KR920013751A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR940003080A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 | |
| KR920008963A (ko) | Mos트랜지스터의 채널도핑방법 | |
| TW275709B (en) | Thin film transistor | |
| KR970054422A (ko) | 전계효과 트랜지스터 | |
| KR970030895A (ko) | 경사진 게이트를 갖는 모오스 트랜지스터 | |
| KR910015012A (ko) | Mos 트랜지스터의 레이아웃 | |
| KR930015071A (ko) | 박막전계효과 트랜지스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |