KR920022485A - 매트릭스 어레이로 배치된 박막 트래지스터 - Google Patents

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KR920022485A
KR920022485A KR1019910008487A KR910008487A KR920022485A KR 920022485 A KR920022485 A KR 920022485A KR 1019910008487 A KR1019910008487 A KR 1019910008487A KR 910008487 A KR910008487 A KR 910008487A KR 920022485 A KR920022485 A KR 920022485A
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손정하
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김광호
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract

내용 없음.

Description

매트릭스 어레이로 배치된 박막 트래지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명에 따른 박막 트랜지스티의 매트릭스상의 개략 평면도.
제3도는 제2도의 A-A′라인을 따라 취해진 단면도.

Claims (3)

  1. 스트립 타입의 게이트 어드레스 라인과 소오스 신호 라인의 매트릭스 상으로 배열되는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 어드레스 라인상에 형성되는 절연층, 채널 전도층인 반도체층, 채널층의 한쪽 일부 위를 경유히여 형성되는 소오스 라인과, 이에 이격되어 평행 배치되는 드레인 전극과, 이 드레인 전극 어느 한쪽에 연결되는 적어도 하나의 화소전극을 포함하여 매트릭스 상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이로 배치된 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 드레인 전극의 타변은 소오스 라인 길이 방향에 평행한 직선 형상이고 대략 막대형태인 것을 특징으로 하는 매트릭스 어레이로 배치된 박막 트랜지스터.
  3. 제1항 및/또는 제2항에 있어서, 드레인 전극은 소오스 라인 길이 방향 양측에 평행 이격 배치되어 각 드레인 전극 양쪽 끝은 각각의 화소진극을 연결하도록 매트릭스상 배열됨을 특징으로 하는 매트릭스 어레이로 배치된 박막 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008487A 1991-05-24 1991-05-24 매트릭스 어레이로 배치된 박막 트랜지스터 KR940000506B1 (ko)

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