KR930003295A - 반도체 소자의 구조 및 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 구조 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 소자의 공정단면도.

Claims (4)

  1. P형 기판(1) 내에 N+도핑영역(7) (8)이 형성되고 상기 N+도핑영역(7) (8) 사이의 기판(1)상면에는 산화막(2)과 질화막(3) 및 전자를 가진 폴리실리콘(4)이 차례로 적층됨과 아울러 상기 폴리실리콘(4) 둘레에 산화막(5)이 둘러쌓이도록 구성하여서 된 반도체 소자의 구조.
  2. P형 기판(1) 위에 산화막(2)과 직화막(3) 및 폴리실리콘(4)을 차례로 증착하고 필드영역을 이루도록 상기 폴리실리콘(4)을 패터닝하는 공정과, 산화막(5)을 증착하고 상기 폴리실리콘(4) 둘레에만 산화막(5)이 둘러 쌓이도록 패터닝한후 전자를 주입하는 공정과, 액티브 영역의 산화막(2)과 질화막(3)을 제거하고 P/R(6)을 사용하여 폴리실리콘(4)을 가린 상태에서 N형 이온을 주입하여 N+도핑영역(7) (8)을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어지는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, P형 기판(1)과 N+도핑영역(7) (8)을 N형 기판과 P+도핑영역으로 대체하여서 이루어지는 반도체 소자의 구조 및 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전자를 가진 폴리실리콘(4)에 의하여 채널 부분에 (+)전하를 갖는 전자 캐리어가 형성되는 반도체 소자의 구조 및 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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