KR930002293A - 비스페놀 a 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

비스페놀 A 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 A 의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제1의 프로세스를 실시하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이고,

제2도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제2의 프로세스를 실시하는 경우의 장치 계통도의 일예를 나타내는 것이며,

제3도는 결정 부가물을 제조하기 위한 본 발명의 제3의 프로세스를 실시하기 위한 장치계통도의 일예를 나타내는 것이다.

Claims (36)

1. 비스페놀 A와 페놀과의 결정부가물을 페놀을 사용하여 세정하여 정제하는 방법에 있어서, 이 세정용 페놀의 적어도 1부로서, (i)공업용 페놀, (ii)페놀과 아세톤과의 반응 생성물로부터 분리된 페놀, (iii) 비스페놀 A를 함유하는 페놀의 정석(결정석출)생성물로부터 분리된 페놀 및 (iv)결정 부가물을 세정한 후의 사용이 끝난 페놀중에서 선택되는 적어도 1종의 페놀을 강산형 이온 교환수지와 접촉시킨 후 중류처리하여 얻어지는 정제 페놀을 사용하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A와 페놀과의 결정부가물의 정제방법.
2. 제1항에 있어서, 강산형 이온교환순지에 접촉시키는 페놀중의 수분함유율이 0.5중량% 이하인 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 강산형 이온교환수지와 접촉시킨 페놀의 중류처리온도가 185℃이하인 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서. 강산형 이온교환수지가 겔형의 것인 방법.
5. 수분 0.5중량%이하의 공업용 페놀을 강산형 이온교환수지와 접촉시킨 후, 185℃이하의 온도에서 증류처리하는 것을 특징으로 하는 정제페놀의 제조방법.
6. 제1단계의 정석공정을 수행하기 위한 직렬로 연결된 2개의 정석탑의 제1정석탑(A)에 비스페놀 A가 용해된 페놀 용액을 공급하고, 비스페놀 A페놀의 결정부가물로 이루어진 종정(種晶)을 석출시키는 동시에, 이 정석 공정에서 얻어진 종정을 함유하는 결정부가물 슬러리를 제2정석 탑(B)에 도입하고, 상기 제1정석탑(A)보다 낮은 온도에서 그 종정의 결정성장을 수행한 후, 이 제1단계의 정석공정에서 얻어진 결정부가물 슬러리를 고액 분리공정에 도입하여 결정부가물을 모액으로부터 분리하고, 이어서 이 결정부가물을 이 모액보다도 순도가 높은 페놀을 재용해시킨 후, 제2단계의 정석 공정을 수행하기 위한 직렬로 연결된 2개의 정석탑의 제1정석탈(C)에 공급하고, 비스페놀 A·페놀의 결정부가물로 이루어진 종정을 석출시키는 동시에, 이 정석공정에서 얻어진 결정부가물 슬러리를 제2정석탑(D)에 도입하고, 상기 제1정석탑(C)보다 낮은 온도에서 그 종정의 결정성장을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A·페놀 결정부가물의 제조방법.
7. 상부에 개구부를 설치한 내통을 갖는 n (n≥2)개의 정석탑을 사용하여 비스페놀A·페놀 결정부가물을 제조하는 방법에 있어서, (a)각 정석탑내에서 비스페놀 A·페놀결정부가물을 석출시켜서 결정부가물 슬러리를 형성시키고, (b)각 정석탑의 내통저부로부터 결정부가물 슬러리를 발출하며, (c)각 발출(拔出)된 결정 부가물 슬러리의 일부를 냉가시킨 후 각 정석탑에 순환도입하고, (d)제1단계째 ∼제n단계째의 정석탑중 적어도 제n단계째의 정석탑으로부터 발출된 결정부가물 슬러리의 일부를 가열하고, 이 결정 부가물 슬러리중에 함유되는 미결정부가물 입자를 용해시킨 후 그 정석탑에 순환 도입하며, (e)제1단계째의 정석탑에 순환되는 냉각된 결정부가물 슬러리에 비스페놀 A를 함유하는 페놀용액으로 이루어진 원료액을 첨가하여 제1단계째의 정석탑에 공급하고, (f)제1단계째로부터 제 (n-1)단계째의 각 정석탑의 내통저부로부터 발출된 결정부가물 슬러리의 일부를 각 다음단계의 정석탑에 있어서의 결정 부가물 슬러리의 순환 냉각라인에 첨가하여 각 다음단계의 정석탑에 공급하며, (g)제n단계째의 정석탑의 내통저부로부터 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부 또는 제n단계째에 있어서의 가열된 순환슬러리의 일부를 제품결정 부가물 슬러리로서 회수하는 것을 특징으로 하는 비스페놀A 페놀 결정부가물의 제조방법.
8. 밀폐구조의 외통내에 상부에 개구부률 갖는 내통을 삽입한 2중 구조의 정석탑의 외통내에 비스폐놀A를 함유하는 폐놀용액을 공급하는 동시에 이 정석탑의 내통저부로부터 비스페놀A·페놀 결정부가물 슬러리를 발출하고, 그 발출된 결정부가물 슬러리의 일부를 냉각한 후, 이 외통내에 선회흐름을 발생하게끔 순환도입하고, 또한 이 발출된 결정 부가물 슬러리의 일부를 가열하고, 이 결정 부가물 슬러리에 함유되는 미결정 부가물 입자를 용해시킨 후, 이 외통 하부로부터 상기 냉각 결정 부가물 슬러리와 동일방향의 선회흐름을 발생시키도록 외통내에 순환도입하는 동시에, 내통저부로부터 발출된 결정부가물 슬러리의 일부 또는 결정 부가물 해당 슬러리에 함유되는 미결정부가물 입자를 용해시킨 후의 결정 부가물 슬러리의 일부를, 제품결정 부가물 슬러리로서 회수하는 것을 특징으로 하는 비스페놀A 페놀 결정부가물 슬러리의 제조방법.
9. 정석탑 및 쿨러를 준비하여 이 정석탑으로부터 결정 부가물 슬러리의 일부를 발출하여 이 쿨러로 냉각하고 냉각후의 결정부가물 슬러리를 이정석탑에 재순환시킴으로써 정석탑내에 결정부가물의 석출을 발생시키고. 석출된 결정부가물을 이 정석탑으로 부터 발출하여 결정부가물 슬러리로 부터 분리하는 정석방법에 있어서, 이 쿨러를 병렬의 욕수기로 설치하고, 복수기의 쿨러중 1기를 예비 쿨러로 하고, 예비쿨러 이외의 쿨러만을 사용하여 결정부가물 슬러리의 냉각을 하고, 전열면에 결정부가물이 석출된 전열 효율이 저하된 쿨러를 예비쿨러와 교환하여 연속운전을 하는 동시에, 그 전열효율이 저하된 쿨러를 가온하므로서 전열면에 부착한 결정부가물을 용해하여 재생하는 것을 특징으로 하는 비스페놀A·페놀결정부가물의 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 전열효율이 저하된 쿨러를 별도로 설치한 재생용 가온 매체의 순환라인에 접속함으로써 가온하는 방법.
11. 제9항에 있어서, 각 쿨러마다 각각 순환펌프률 설치하고, 각 쿨러의 재생과 동시에 그 재생에 관계되는 쿨러에 설치된 순환펌프를 가온하여 재생하는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 비스폐놀 A를 함유하는 페놀 용액을, n(n≥2) 단계의 정석 공정, n단계의 고액분리공정, 적어도 1단계의 비스페놀 A·페놀 결정 부가물 세정공정 및 n-1단계의 결정부가물 재용해공정을 포함하고 제1단계째로 부터 제n-1 단계째의 각 단계의 정석 공정에서 얻어진 정석 생성물을 고액 분리하고 얻어진 결정부가물을 그대로 또는 세정액으로 세정한 후 페놀 용액으로 재용해하여 다음단계의 정석공정에 공급하고, 또한 제 n 단계째의 정석공정에서 얻어진 정석 생성물을 고액 분리하고 얻어진 결정부가물을 세정액으로 세정하여 고순도의 결정부가물을 얻는 방법에 있어서, (a) 제n단계째의 고액 분리공정에서 얻어진 제n번째의 결정 부가물의 세정액의 적어도 일부에, 정제 페놀을 사용하고, (b)적어도 n-1 단계째의 고액 분리공정에서 얻어진 결정 부가물의 재용해용 페놀용액의 적어도 일부에. 제n단계째의 고액분리공정 에서 얻어진 결정부가물의 세정배액 또는 제n단계째의 고액분리공정에서 얻어진 모액을 사용하며, (c)적어도 제n-1단계째의 고액분리공정에서 얻어진 결정 부가문의 세정액의 적어도 일부에 제n단계째의 고액 분리공정에서 얻어진 모액 또는 제n단계째의 고액 분리공정에서 얻어진 결정부가물의 세정 배액을 사용하고, (d)제 1단계째로부터 제n-1 단계째 까지의 각 단계에 있어서의 결정 부가물 재용해용 페놀용액중의 불순물농도 및 결정부가물 세정액중의 불순물농도 전부가 다음단계에 있어서의 결정부가물 재용해용 페놀용액중의 불순물농도 및 결정부가물 세정액의 불순물 농도보다도 높다는 것을 특징으로 하는 비스페놀A·페놀 결정부가물의 제조방법.
13. 비스페놀 A를 함유하는 페놀용액을 정석처리하여 얻어진 비스페놀A·페놀 결정 부가물 슬러리를 여과처리함에 있어, 이 결정 부가물중, 입경 100㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 일부를 여과쪽에 이행시키고, 입경 100㎛ 이하의 미결정 부가물 성분의 비율이 20중량% 이하의 조대(粗大) 결정부가물을 회수하는 것을 특징으로 하는 비스페놀 A·페놀결정 부가물의 제조방법.
14. 제13항에 있어서, 여과분리된 조대 결정 부가물을 정제 페놀로 세정하는 방법.
15. 정석탑및 복수기의 쿨러를 갖으며, 이 정석탑을 그의 저부 이외의 위치에 결정부가물 슬러리 복귀구, 그의 저부에 결정 부가물 슬러리 출구를 갖으며, 각 쿨러는 각각 입구 및 출구를 갖으며, 정석탑의 결정부가물 슬러리 유출구와 각 쿨러의 입구와의 사이 및 결정부가물 슬러리의 복귀구와 각 쿨러의 출구와의 사이는 각각 결정 부가물 슬러리 이송수단에 의해서 접속되고, 결정 부가물 슬러리가 이 정석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구로 부터 이 복수기의 쿨러중의 어느 1기를 제외한 쿨러를 선택적으로 경유하여 이 정석탑의 결정 부가물 슬러리 복귀구까지 이송되게끔 구성되어 이루어지는 비스페놀 A·페놀 결정 부가물을 얻기위한 장치.
16. 제1정석탑, 제2정석탑, 적어도 2기의 제1상용 쿨러, 적어도 2기의 제2상을 쿨러 및 예비쿨러를 갖으며, 이 제1정석탑 및 제2정석탑은 각각의 저부이외의 위치에 결정부가물 슬러리 복귀구, 그의 저부에 결정 부가물 슬러리 유출구률 가지며, 이 제1상용쿨러, 제2상용쿨러 및 예비쿨러는 각각 입구 및 출구를 갖으며, 제1정 석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구와 상용 쿨러 및 예비굴러의 각 입구와의 사이, 제1정석탑의 결정 부가물 슬러리 복귀구와 제1상용 쿨러 및 예비 쿨러의 각 출구와의 사이 및 제1정석탑의 부가물 슬러리 유출구와 제2정석탑의 결정부가물 슬러리의 유입구와의 사이는 각각 결정 부가물 슬러리 이동수단에 의해서 접속되고, 결정부가물 슬러리가 이 제1정석탑의 결정부가물 슬러리 유출구로 부터 이 제1상용 쿨러 및 예비쿨러중의 어느 1기를 제외하는 쿨러를 선택적으로 경유하여 이 제1정석탑의 결정 부가물 슬러리 복귀구까지 이송되고, 이 제2정석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구로부터 이 제2상용 쿨러 및 예비 쿨러의 어느 1기를 제외한 쿨러를 선택적으로 경유하여 이 제2정석탑외 결정 부가물 슬러리 복귀구까지 이송되고 이 제1정석탑의 결정 부가물 슬러리 유출구로부터 이 제2정석탑의 결정 부가물 슬러리 유입구까지 이송되게끔 구성되어 이루어진 비스페놀 A결정 부가물을 얻기위한 정석장치.
17. 비스페놀 A와 페놀로 이루어진 용융색 APHA 15이하의 실질적으로 중성 조건하에 있는 결정 부가물을 분위기중의 산소농도 0.05 부피% 이하의 조건으로 가열 용융하는 동시에, 얻어진 용융물로 부터 페놀을 증발 제거시키는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A의 제조방법.
18. 비스폐놀 A와 페놀로 이루어진 용융색 APHA 가 15이하의 실질적으로 중성조건하에 있는 결정부가물과 지방족 카르복실산을 함유하는 혼합물을 온도 130∼200℃, 감압하에서 페놀을 증발제거시키는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀의 제조방법.
19. 제18항에 있어서, 지방족, 카르복실산이 포름산, 글리콜산, 옥실산, 시트르산, 젖산, 말산, 글리세린산 및 타르타르산 중에서 선택되는 적어도 1종인 방법.
20. 제18항 또는 19항에 있어서, 결정 부가물이 페놀중에서 재용해 및 재결정을 1회 이상 행한 후, 정제 페놀로 세정된 것인 방법.
21. 비스페놀 A와 페놀로 이루어지고, 강산성물질을 함유하는 약산성 조건하에 있는 용융색 APHA가 15이하 결정 부가물에, 지방족 카르복실산염을 이 결정부가물중의 강산성 물질의 중화상당량으로 첨가혼합한 후, 온도 130∼200℃ 감압하에서 폐놀을 증발제거시키는 것을 특징으로하는 고품위 비스페놀의 제조방법.
22. 제21항에 있어서, 지방즉 카르복실산염중의 지방산성분이 포름산, 글리콜산, 옥살산, 시트르산, 젖산, 말산, 글리세린산 및 타르타르산중에서 선택되는 적어도 1종이며, 염을 형성하는 알카리 성분이 알칼리 금속, 알칼리 토류금속 및 암모늄염 중에서 선택되는 적어도 1종인 방법.
23. 제21항 또는 22항에 있어서, 결정부가물이 페놀중에서 재용융 및 재결정을 1회 이상 행한 후, 정제페놀로 세정된 것인 방법.
24. 용융 APHA가 15 이항의 비스페놀A와 페놀과의 결정 부가물을 용융장치 및 증발장치를 포함하는 장치계에 공급하고, 이 용융장치에서 결정부가물을 용융하고, 이 증발장치에서 결정부가물 용융액을 증발처리하여 비스페놀A와 페놀을 상호 분리하는 방법에 있어서, 이 장치계에 포함되는 적어도 상기 용융장치 및 증발장치 내벽면에 부착하는 산소량을 유기 용제세정에 의해 내벽면 1㎡당 10밀리몰 이하로 제거한 후, 결정 부가물을 상기 장치계에 공급하고, 용융 및 증발처리하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A의 제조방법
25. 제24항에 있어서, 결정부가물로서 페놀을 강산형이온 교환수지와 접촉시킨 후, 증류처리하여 얻은 정제페놀로 세정된 것을 사용하는 방법.
26. 용융색 APHA가 15이하의 비스페놀 A와 페놀과의 결정부가물의 용융액을 증발표면직을 향상시키는 부재를 내부에 배설한 적어도 1개의 증발탑으로 이루어진 증발처리 공정에 공급하고, 감압하에 페놀을 증발제거함에 있어, 이 증발탑의 내벽면 및 이 증발탑 내부에 배설된 증발 표면적을 향상시키는 부재표면에 부착하는 산소를 표면적 1㎡당 10밀리몰 이하로 미리 제거한 증발 탑을 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A의 제조방법.
27. 제26항에 있어서, 증발처리공정을 2개의 증발탑을 사용하여, 이 결정부가물의 용융액을 제1의 증발탑에서 증기의 비존재하에, 증발 처리하여 페놀의 일부를 제거한 후, 제2의 증발탑에서 중기의 존재하에, 증발처리하여 페놀의 나머지를 제거하도록 하는 방법.
28. 제26항 또는 27항에 있어서, 이 증발탑이 충전탑이 방법.
29. 비스페놀 A·페놀 결정 부가물로 부터 페놀을 증발제거하여 비스페놀A를 얻는데 있어서, 이 결정부가물로 형성된 비스페놀 A를 함유하는 페놀 용액을 박막증발기를 사용하여, 160∼185℃의 온도 및 15-60 토르의 압력하에 증발처리하여, 페놀 함유율이 1∼5중량%의 비스페놀 A를 얻는 페놀 증발공정과, 이 페놀증발공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A를 170∼185℃의 온도 및 15토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 항류접촉 시켜서 스트립핑 처리하는 제1스트립핑 공정과, 이 제1스트립핑 공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A를, 170∼185℃의 온도 및 15 토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 항류접촉시켜서 스트림핑 처리하는 제2스트립핑 공정으로 이루어지고, 이 제2스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서 증기를 사용하고, 이 제1 스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서, 제2스트립핑 공정에서 얻어진 페놀 및 비스페놀 A를 함유하는 증기로 이루어진 스트립핑 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A의 제조방법.
30. 제29항에 있어서, 비스페놀A·페놀 결정 부가물의 용융색이 15APHA 이하인 방법,
31. 실질적으로 중성조건하에 있고, 용융색이 15APHA 이하의 비스페놀A·페놀 결정부가물로 형성된 비스페놀 A를 함유하는 페놀용액을 박막증발기를 사용하여 분위기중의 산소농도 0.005부피% 이하의 조건에서 160-185℃의 온도 및 15∼60토르의 압력하에서 증발 처리하여 페놀함유율이 1∼5중량%의 비스페놀 A를 얻는 페놀증발공정과, 이 페놀 증발공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A를 , 170∼185℃의 온도 및 15토르이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 항류 접촉시켜서 스트립핑 처리되는 제1스트립핑 공정과 이 제1스트립핑 공정에서 얻어진 페놀을 함유하는 비스페놀 A를 170∼185℃의 온도 및 15토르 이하의 압력하에서 스트립핑용 가스와 향류 접촉시켜서 스트립핑 처리하는 제2스트립핑 공정으로 이루어지고 이 제2스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서 증기를 사용하고, 이 제1스트립핑 공정에 있어서의 스트립핑용 가스로서, 제2스트립핑 공정에서 얻어진 페놀 및 비스페놀 A를 함유하는 증기로 이루어진 스트립핑 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고품위 비스페놀 A의 제조방법.
32. 제31항에 있어서, 비스페놀A· 페놀결정부가물로 형성된 비스페놀 A를 함유하는 페놀용액에 지방산 카르복실산을 첨가 혼합한 후, 페놀을 제거하는 방법.
33. 제31항에 있어서, 비스페놀A·페놀결정부가물이 재용해 및 재정석을 적어도 1회 이상 수행한 후, 정제페놀로 세정된 것인 방법.
34. 페놀과 비스페놀과의 혼합용액을 30토르 이하의 저압조건으로 중기 스트립핑 처리할때에 얻어지는 페놀화합물, 비스페놀 A및 중기를 함유하는 스티립핑 가스를 응축처리하는 방법에 있어서, 이 스트립핑 가스를 30토르 이하의 저압력 조건하에서와 증기를 기체로 유지하고, 페놀화합물의 일부률 액체로 유지하는 온도조건에서, 페놀 또는 비스페놀 A를 함유하는 페놀로 이루어진 제1냉각매체와 향류 접촉시켜서, 이 스트립핑가스에 함유되는 비스페놀 A의 실질적인 전량과 페놀의 일부를 응축시키는 동시에, 미응축의 증기와 페놀의 혼합 가스를 얻는 제1냉각공정과 이 제1냉각공정에서 얻어진 상기 혼합가스를 30토르 이하의 저압력 조건하에서와 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 온도 조건하에서, 페놀의 수용액으로 이루어진 제2냉각 매체와 향류 접촉시켜서, 이 혼합가스의 실질적 전량을 응축시키는 제2냉각공정으로 이루어지는 스트립핑 가스의 응축처리방법.
35. 제34항에 있어서, 제2냉각공정에서 얻어진 혼합가스의 응축액의 일부를 제2냉각 매체로서 사용하는 방법.
36. 제34항 또는 35항에 있어서, 제1냉각공정에 있어서의 냉각 온도가 42-90℃인 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.