JP3194235B2 - 高品位ビスフェノールａの製造方法 - Google Patents
高品位ビスフェノールａの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビスフェノールＡ・フ
ェノール結晶アダクトからフェノールを蒸発除去するこ
とにより、高位品ビスフェノールＡを製造する方法に関
するものである。
ェノール結晶アダクトからフェノールを蒸発除去するこ
とにより、高位品ビスフェノールＡを製造する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】ビスフェノールＡ〔２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造す
るために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセト
ンを反応させることは知られている。また、この反応生
成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を晶析させ、得られた結晶アダクトからフェノール
を除去することも知られている。一方、結晶アダクトか
らフェノールを分離するために、結晶アダクトを９０〜
１５０℃で溶融し、溶融液を１８０℃より上の温度及び
減圧下で蒸発処理し、得られた蒸気を分別凝縮してビス
フェノールＡとフェノールとの分離する方法（特公昭５
２−４２７９０号）や、結晶アダクトを１８０〜２００
℃で蒸発処理した後、得られたビスフェノールＡをスチ
ームストリッピング処理する方法も知られている（特開
昭６３−１３２８５０号）。このような結晶アダクトか
らフェノールを分離除去する方法において、得られるビ
スフェノールＡの純度は、結晶アダクト自体の純度及び
フェノール除去率に依存することはもちろんであるが、
これらの点を改良したとしても、得られる製品ビスフェ
ノールＡに対する少量の着色原因物質の混入を防止でき
ないため、製品ビスフェノールＡの色相が悪化するとい
う問題が残る。
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造す
るために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセト
ンを反応させることは知られている。また、この反応生
成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を晶析させ、得られた結晶アダクトからフェノール
を除去することも知られている。一方、結晶アダクトか
らフェノールを分離するために、結晶アダクトを９０〜
１５０℃で溶融し、溶融液を１８０℃より上の温度及び
減圧下で蒸発処理し、得られた蒸気を分別凝縮してビス
フェノールＡとフェノールとの分離する方法（特公昭５
２−４２７９０号）や、結晶アダクトを１８０〜２００
℃で蒸発処理した後、得られたビスフェノールＡをスチ
ームストリッピング処理する方法も知られている（特開
昭６３−１３２８５０号）。このような結晶アダクトか
らフェノールを分離除去する方法において、得られるビ
スフェノールＡの純度は、結晶アダクト自体の純度及び
フェノール除去率に依存することはもちろんであるが、
これらの点を改良したとしても、得られる製品ビスフェ
ノールＡに対する少量の着色原因物質の混入を防止でき
ないため、製品ビスフェノールＡの色相が悪化するとい
う問題が残る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶アダク
トからフェノールを蒸発除去してビスフェノールＡを得
る場合に、そのビスフェノールＡの着色を抑え、色相に
すぐれた高純度ビスフェノールＡを効率よく製造する方
法を提供することをその課題とする。
トからフェノールを蒸発除去してビスフェノールＡを得
る場合に、そのビスフェノールＡの着色を抑え、色相に
すぐれた高純度ビスフェノールＡを効率よく製造する方
法を提供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、ビスフェノールＡ・フ
ェノール結晶アダクトからフェノールを蒸発除去してビ
スフェノールＡを得るに際し、該結晶アダクトから形成
されたビスフェノールＡを含むフェノール溶液を、薄膜
蒸発器を用い、１６０〜１８５℃の温度及び１５〜６０
トールの圧力下で蒸発処理して、フェノール含有率が１
〜５重量％のビスフェノールＡを得るフェノール蒸発工
程と、該フェノール蒸発工程で得られたビスフェノール
Ａを、薄膜蒸発器を用い、１７０〜１８５℃の温度及び
１５トール以下の圧力下でストリッピング用ガスと向流
接触させてストリッピング処理する第１ストリッピング
工程と、該第１ストリッピング工程で得られたビスフェ
ノールＡを、薄膜蒸発器を用い、１７０〜１８５℃の温
度及び１５トール以下の圧力下でストリッピング用ガス
と向接触させてストリッピング処理する第２ストリッピ
ング工程とからなり、該第２ストリッピング工程におけ
るストリッピング用ガスとしてスチームを用い、該第１
ストリッピング工程におけるストリッピング用ガスとし
て、第２ストリッピング工程で得られたフェノール及び
ビスフェノールＡを含むスチームからなるストリッピン
グガスを用いることを特徴とする高品位ビスフェノール
Ａの製造方法が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、発明を完成するに
至った。即ち、本発明によれば、ビスフェノールＡ・フ
ェノール結晶アダクトからフェノールを蒸発除去してビ
スフェノールＡを得るに際し、該結晶アダクトから形成
されたビスフェノールＡを含むフェノール溶液を、薄膜
蒸発器を用い、１６０〜１８５℃の温度及び１５〜６０
トールの圧力下で蒸発処理して、フェノール含有率が１
〜５重量％のビスフェノールＡを得るフェノール蒸発工
程と、該フェノール蒸発工程で得られたビスフェノール
Ａを、薄膜蒸発器を用い、１７０〜１８５℃の温度及び
１５トール以下の圧力下でストリッピング用ガスと向流
接触させてストリッピング処理する第１ストリッピング
工程と、該第１ストリッピング工程で得られたビスフェ
ノールＡを、薄膜蒸発器を用い、１７０〜１８５℃の温
度及び１５トール以下の圧力下でストリッピング用ガス
と向接触させてストリッピング処理する第２ストリッピ
ング工程とからなり、該第２ストリッピング工程におけ
るストリッピング用ガスとしてスチームを用い、該第１
ストリッピング工程におけるストリッピング用ガスとし
て、第２ストリッピング工程で得られたフェノール及び
ビスフェノールＡを含むスチームからなるストリッピン
グガスを用いることを特徴とする高品位ビスフェノール
Ａの製造方法が提供される。
【０００５】次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１において、１，２及び３は薄膜蒸発器を示す。この
ものは、その内周壁に形成した薄膜を外部からの加熱に
より蒸発させる構造のものである。本発明においては、
内部に回転翼を有し、その回転翼の回転によって内周壁
面に液膜を形成するようにした遠心薄膜蒸発器の使用が
好ましい。また、図１において、４は、各薄膜蒸発器に
付設された外部ヒータである。このものは、通常、加熱
媒体が流通するジャケットとして構成される。
図１において、１，２及び３は薄膜蒸発器を示す。この
ものは、その内周壁に形成した薄膜を外部からの加熱に
より蒸発させる構造のものである。本発明においては、
内部に回転翼を有し、その回転翼の回転によって内周壁
面に液膜を形成するようにした遠心薄膜蒸発器の使用が
好ましい。また、図１において、４は、各薄膜蒸発器に
付設された外部ヒータである。このものは、通常、加熱
媒体が流通するジャケットとして構成される。
【０００６】本発明においては、原料として用いるビス
フェノールＡ・フェノール結晶アダクトは、これを加熱
によって溶融するか又は精製フェノールで希釈溶解させ
て、ビスフェノールＡを含むフェノール溶液とする。本
発明で好ましく用いるフェノール溶液は、ＡＰＨＡ１５
以下の色相を有し、ビスフェノールＡ濃度が５０〜８０
重量％、好ましくは６０〜７５重量％のものである。こ
の原料フェノール溶液は、ライン１０から第１薄膜蒸発
器（以下、単に蒸発器とも言う）１に導入され、フェノ
ール溶液は、この蒸発器の内周壁を液膜として流下する
とともに、その間に外部ヒータ４により加熱され、フェ
ノール及びビスフェノールＡを含む蒸気がライン１１を
通って排出される。この蒸気は、これを凝縮処理して、
フェノール及びビスフェノールＡを回収する。ライン１
０を通るフェノール溶液の温度は好ましくは１２０〜１
５０℃である。第１蒸発器１の温度は、１６０〜１８５
℃、好ましくは１６５〜１７５℃であり、その圧力は１
５〜６０トール、好ましくは１５〜３０トールである。
第１蒸発器１において、原料フェノール溶液を蒸発処理
して得られた残液(ビスフェノールＡ）は、ライン１２
を通って抜出され、第２蒸発器２に導入される。ライン
１２を通るフェノール溶液の蒸発残液の温度は、好まし
くは１７０〜１８５℃である。また、この残液を構成す
るビスフェノールＡ中のフェノール濃度は、１〜５重量
％である。第２蒸発器２においては、ビスフェノールＡ
は、第３蒸発器３から抜出されるスチーム、フェノール
及びビスフェノールＡからなるストリッピングガスと向
流接触しながら、外部ヒータ４により加熱され、フェノ
ール、ビスフェノールＡ及びスチームを含むストリッピ
ングガスがライン１３を通って排出される。第２蒸発器
２における温度は好ましくは１７０〜１８５℃であり、
圧力は１５トール以下、通常、１０〜１５トールであ
る。第２蒸発器２で得られる蒸発残液は、ライン１４を
通って第３蒸発器３に導入される。この残液の温度は好
ましくは１７０〜１８５℃であり、残液を構成するビス
フェノールＡ中のフェノール濃度は０．０５〜０．１０
重量％、好ましくは０．０５〜０．０７重量％である。
第３蒸発器３においては、第２蒸発器２からのビスフェ
ノールＡは、ライン１５を通って導入されるスチームと
向流接触しながら、外部ヒータ４によって加熱され、ス
トリッピングガスがライン１７を通って抜出され、この
ストリッピングガスは、第２蒸発器２にそのストリッピ
ング用ガスとして導入される。第３蒸発噐における温度
は１７０〜１８５℃であり、圧力は１５トール以下通常
１０〜１５トールである。ライン１５から第３蒸発器３
に導入されるスチーム量は、ライン１４を通って第３蒸
発器３に導入されるビスフェノールＡに対して、重量比
で、３重量％以上、好ましくは４〜６重量％である。ラ
イン１７を通るストリッピングガスの組成は、フェノー
ル：０．８〜１．２重量％、好ましくは１重量％以下、
ビスフェノールＡ：５〜７重量％、残部：スチームであ
る。第３蒸発器３において得られた高純度ビスフェノー
ルＡは、ライン１６を通って抜出される。このビスフェ
ノールＡは、フェノール含有率が０．００５重量％のも
ので、その色相ＡＰＨＡが２０以下の高品位のものであ
る。第２蒸発器２からライン１３を通って抜出されるス
トリッピングガスは、凝縮処理に付され、そのガスに含
まれるフェノール及びビスフェノールＡが分離回収され
る。このストリッピングガスの好ましい凝縮処理法につ
いて以下に示す。前記のようにしてライン１３を通って
得られたストリッピングガスは、その減圧状態のまま第
１冷却工程へ供給し、ここでフェノール又はビスフェノ
ールＡを含むフェノールからなる第１冷却媒体と向流接
触させて冷却する。この第１冷却工程は、ストリッピン
グガス中のビスフェノールＡの実質的全量を冷却媒体中
に溶解するように実施する。ストリッピングガス中のス
チームは、この第１冷却工程ではほとんど凝縮されず、
次の第２冷却工程へ送られる。ストリッピングガス中の
フェノールは、その一部がこの第１冷却工程で凝縮さ
れ、残りの未凝縮のものはスチームとともに次の第２冷
却工程へ送られる。第１冷却工程でストリッピングガス
から分離回収されたビスフェノールＡとフェノールの混
合液は、その一部を冷却媒体として用いることができ
る。第１冷却媒体の温度は、フェノールの凝固点より１
〜５０℃程度高い温度である。この第１冷却工程におけ
るフェノールの回収率は、この第１冷却工程に対する全
供給フェノールに対し、７０重量％以上、好ましくは８
５重量％以上である。
フェノールＡ・フェノール結晶アダクトは、これを加熱
によって溶融するか又は精製フェノールで希釈溶解させ
て、ビスフェノールＡを含むフェノール溶液とする。本
発明で好ましく用いるフェノール溶液は、ＡＰＨＡ１５
以下の色相を有し、ビスフェノールＡ濃度が５０〜８０
重量％、好ましくは６０〜７５重量％のものである。こ
の原料フェノール溶液は、ライン１０から第１薄膜蒸発
器（以下、単に蒸発器とも言う）１に導入され、フェノ
ール溶液は、この蒸発器の内周壁を液膜として流下する
とともに、その間に外部ヒータ４により加熱され、フェ
ノール及びビスフェノールＡを含む蒸気がライン１１を
通って排出される。この蒸気は、これを凝縮処理して、
フェノール及びビスフェノールＡを回収する。ライン１
０を通るフェノール溶液の温度は好ましくは１２０〜１
５０℃である。第１蒸発器１の温度は、１６０〜１８５
℃、好ましくは１６５〜１７５℃であり、その圧力は１
５〜６０トール、好ましくは１５〜３０トールである。
第１蒸発器１において、原料フェノール溶液を蒸発処理
して得られた残液(ビスフェノールＡ）は、ライン１２
を通って抜出され、第２蒸発器２に導入される。ライン
１２を通るフェノール溶液の蒸発残液の温度は、好まし
くは１７０〜１８５℃である。また、この残液を構成す
るビスフェノールＡ中のフェノール濃度は、１〜５重量
％である。第２蒸発器２においては、ビスフェノールＡ
は、第３蒸発器３から抜出されるスチーム、フェノール
及びビスフェノールＡからなるストリッピングガスと向
流接触しながら、外部ヒータ４により加熱され、フェノ
ール、ビスフェノールＡ及びスチームを含むストリッピ
ングガスがライン１３を通って排出される。第２蒸発器
２における温度は好ましくは１７０〜１８５℃であり、
圧力は１５トール以下、通常、１０〜１５トールであ
る。第２蒸発器２で得られる蒸発残液は、ライン１４を
通って第３蒸発器３に導入される。この残液の温度は好
ましくは１７０〜１８５℃であり、残液を構成するビス
フェノールＡ中のフェノール濃度は０．０５〜０．１０
重量％、好ましくは０．０５〜０．０７重量％である。
第３蒸発器３においては、第２蒸発器２からのビスフェ
ノールＡは、ライン１５を通って導入されるスチームと
向流接触しながら、外部ヒータ４によって加熱され、ス
トリッピングガスがライン１７を通って抜出され、この
ストリッピングガスは、第２蒸発器２にそのストリッピ
ング用ガスとして導入される。第３蒸発噐における温度
は１７０〜１８５℃であり、圧力は１５トール以下通常
１０〜１５トールである。ライン１５から第３蒸発器３
に導入されるスチーム量は、ライン１４を通って第３蒸
発器３に導入されるビスフェノールＡに対して、重量比
で、３重量％以上、好ましくは４〜６重量％である。ラ
イン１７を通るストリッピングガスの組成は、フェノー
ル：０．８〜１．２重量％、好ましくは１重量％以下、
ビスフェノールＡ：５〜７重量％、残部：スチームであ
る。第３蒸発器３において得られた高純度ビスフェノー
ルＡは、ライン１６を通って抜出される。このビスフェ
ノールＡは、フェノール含有率が０．００５重量％のも
ので、その色相ＡＰＨＡが２０以下の高品位のものであ
る。第２蒸発器２からライン１３を通って抜出されるス
トリッピングガスは、凝縮処理に付され、そのガスに含
まれるフェノール及びビスフェノールＡが分離回収され
る。このストリッピングガスの好ましい凝縮処理法につ
いて以下に示す。前記のようにしてライン１３を通って
得られたストリッピングガスは、その減圧状態のまま第
１冷却工程へ供給し、ここでフェノール又はビスフェノ
ールＡを含むフェノールからなる第１冷却媒体と向流接
触させて冷却する。この第１冷却工程は、ストリッピン
グガス中のビスフェノールＡの実質的全量を冷却媒体中
に溶解するように実施する。ストリッピングガス中のス
チームは、この第１冷却工程ではほとんど凝縮されず、
次の第２冷却工程へ送られる。ストリッピングガス中の
フェノールは、その一部がこの第１冷却工程で凝縮さ
れ、残りの未凝縮のものはスチームとともに次の第２冷
却工程へ送られる。第１冷却工程でストリッピングガス
から分離回収されたビスフェノールＡとフェノールの混
合液は、その一部を冷却媒体として用いることができ
る。第１冷却媒体の温度は、フェノールの凝固点より１
〜５０℃程度高い温度である。この第１冷却工程におけ
るフェノールの回収率は、この第１冷却工程に対する全
供給フェノールに対し、７０重量％以上、好ましくは８
５重量％以上である。
【００１３】第１冷却工程で用いる冷却媒体は、ストリ
ッピングガスを所望温度に冷却し得るに充分な量であれ
ばよく、通常、ストリッピングガスに対する重量比で、
５〜１０、好ましくは５〜６である。また、第１冷却工
程で得られるストリッピングガス中のビスフェノールＡ
とフェノールを溶解した冷却媒体中に含まれるビスフェ
ノールＡのフェノールに対する重量比は、０．０５〜
０．２０、好ましくは０．０８〜０．１４である。第１
冷却工程においては、ビスフェノールＡに対し過剰のフ
ェノールが存在することから、ビスフェノールＡの凝固
点以下の冷却温度であっても、ビスフェノールＡとフェ
ノールとの結晶アダクトが晶析するようなことはない。
ッピングガスを所望温度に冷却し得るに充分な量であれ
ばよく、通常、ストリッピングガスに対する重量比で、
５〜１０、好ましくは５〜６である。また、第１冷却工
程で得られるストリッピングガス中のビスフェノールＡ
とフェノールを溶解した冷却媒体中に含まれるビスフェ
ノールＡのフェノールに対する重量比は、０．０５〜
０．２０、好ましくは０．０８〜０．１４である。第１
冷却工程においては、ビスフェノールＡに対し過剰のフ
ェノールが存在することから、ビスフェノールＡの凝固
点以下の冷却温度であっても、ビスフェノールＡとフェ
ノールとの結晶アダクトが晶析するようなことはない。
【００１４】第１冷却工程の圧力は、３０トール以下、
好ましくは５〜２０トールであり、第２薄膜蒸発器２に
おける圧力に対応する。また、第１冷却工程における温
度は、前記圧力条件下においてスチームが気体を保持
し、フェノールの一部が液体を保持する温度である。好
ましい冷却温度（ビスフェノールＡを凝縮させる温度）
は、フェノールの凝固点よりも１〜５０℃程度高い温度
であり、その冷却温度は４２〜９０℃、好ましくは４５
〜５５℃である。
好ましくは５〜２０トールであり、第２薄膜蒸発器２に
おける圧力に対応する。また、第１冷却工程における温
度は、前記圧力条件下においてスチームが気体を保持
し、フェノールの一部が液体を保持する温度である。好
ましい冷却温度（ビスフェノールＡを凝縮させる温度）
は、フェノールの凝固点よりも１〜５０℃程度高い温度
であり、その冷却温度は４２〜９０℃、好ましくは４５
〜５５℃である。
【００１５】第２冷却工程へ送られたスチームとフェノ
ールの混合ガスは、ここでフェノールの水溶液からなる
第２冷却媒体と向流接触させて冷却する。この第２冷却
工程は、この工程へ送られたスチームとフェノールの実
質的全量が凝縮液化するように実施し、この工程からは
フェノールの水溶液が回収される。この第２冷却工程で
得られるフェノールの水溶液は、その一部を第２冷却媒
体として用いることができる。水溶液中のフェノールの
濃度は、ストリッピングガスの組成及び第１冷却工程の
条件で決まるが、通常、５５〜７５重量％である。ま
た、この第２冷却媒体の温度は、スチームの凝縮温度よ
り１〜１０℃程度低い温度である。
ールの混合ガスは、ここでフェノールの水溶液からなる
第２冷却媒体と向流接触させて冷却する。この第２冷却
工程は、この工程へ送られたスチームとフェノールの実
質的全量が凝縮液化するように実施し、この工程からは
フェノールの水溶液が回収される。この第２冷却工程で
得られるフェノールの水溶液は、その一部を第２冷却媒
体として用いることができる。水溶液中のフェノールの
濃度は、ストリッピングガスの組成及び第１冷却工程の
条件で決まるが、通常、５５〜７５重量％である。ま
た、この第２冷却媒体の温度は、スチームの凝縮温度よ
り１〜１０℃程度低い温度である。
【００１６】第２冷却工程で用いる第２冷却媒体は、混
合ガスの全量を凝縮させるに充分な量であればよく、通
常、第１冷却工程から送られたスチームとフェノールと
の混合ガスに対する重量比で、１００〜３００、好まし
くは１９０〜２５０である。この第２冷却工程の圧力
は、３０トール以下、好ましくは５〜２０トールであ
り、第１冷却工程の圧力に対応する。第２冷却工程にお
ける冷却温度（スチーム凝縮温度）は、前記圧力条件下
においてスチームとフェノールの混合ガスの全量が凝縮
液化する温度であればよい。
合ガスの全量を凝縮させるに充分な量であればよく、通
常、第１冷却工程から送られたスチームとフェノールと
の混合ガスに対する重量比で、１００〜３００、好まし
くは１９０〜２５０である。この第２冷却工程の圧力
は、３０トール以下、好ましくは５〜２０トールであ
り、第１冷却工程の圧力に対応する。第２冷却工程にお
ける冷却温度（スチーム凝縮温度）は、前記圧力条件下
においてスチームとフェノールの混合ガスの全量が凝縮
液化する温度であればよい。
【００１７】第１冷却工程及び第２冷却工程において用
いる冷却器は、気液接触型の装置であればよく、任意の
ものが用いられる。このような冷却器としては、例え
ば、充填塔や、スプレー塔等を用いることができる。充
填塔を用いる場合、その充填物としては、圧力損失を抑
えるように、ラッシッヒリングや、ポールリング、多孔
金属板等を用いるのがよい。また、第１冷却工程と第２
冷却工程で用いる冷却器は、それぞれ別個に設置するこ
ともできるが、２つの冷却器を含む一塔型の装置であっ
てもよい。
いる冷却器は、気液接触型の装置であればよく、任意の
ものが用いられる。このような冷却器としては、例え
ば、充填塔や、スプレー塔等を用いることができる。充
填塔を用いる場合、その充填物としては、圧力損失を抑
えるように、ラッシッヒリングや、ポールリング、多孔
金属板等を用いるのがよい。また、第１冷却工程と第２
冷却工程で用いる冷却器は、それぞれ別個に設置するこ
ともできるが、２つの冷却器を含む一塔型の装置であっ
てもよい。
【００１８】次に、前記のストリッピングガスの凝縮処
理方法の１つの実施態様について、図面を参照して説明
する。図２において、２１は第１冷却器、２２は第２冷
却器を示す。ライン２３は、前記図１に示すライン１３
に接続するストリッピングガスラインを示す。ライン２
４は排気ポンプ（図示されず）及び冷却器に接続する真
空ラインであり、冷却器を含む全装置系は減圧条件に保
持される。ストリッピングガスは、ライン２３を通って
第１冷却器２１の下部に供給され、ここで、ライン２５
を通って第１冷却器の上部から導入される第１冷却媒体
（フェノール又はビスフェノールＡを含むフェノール）
と向流接触する。この第１冷却器で凝縮したビスフェノ
ールＡとフェノールを溶解した冷却媒体は、抜出しポン
プ２７を含むライン２６を通って第１冷却器の底部から
抜出される。このライン２６を通って抜出される冷却媒
体は、必要に応じ、その一部を所要温度に冷却した後、
冷却媒体としてライン２５にリサイクルすることもでき
る。
理方法の１つの実施態様について、図面を参照して説明
する。図２において、２１は第１冷却器、２２は第２冷
却器を示す。ライン２３は、前記図１に示すライン１３
に接続するストリッピングガスラインを示す。ライン２
４は排気ポンプ（図示されず）及び冷却器に接続する真
空ラインであり、冷却器を含む全装置系は減圧条件に保
持される。ストリッピングガスは、ライン２３を通って
第１冷却器２１の下部に供給され、ここで、ライン２５
を通って第１冷却器の上部から導入される第１冷却媒体
（フェノール又はビスフェノールＡを含むフェノール）
と向流接触する。この第１冷却器で凝縮したビスフェノ
ールＡとフェノールを溶解した冷却媒体は、抜出しポン
プ２７を含むライン２６を通って第１冷却器の底部から
抜出される。このライン２６を通って抜出される冷却媒
体は、必要に応じ、その一部を所要温度に冷却した後、
冷却媒体としてライン２５にリサイクルすることもでき
る。
【００１９】第１冷却器２１の頂部からライン２８を通
って抜出されるスチームとフェノールの混合ガスは、第
２冷却器２２の下部に導入され、ここで、ライン２９を
通って第２冷却器の上部から導入される第２冷却媒体
（フェノールの水溶液）と向流接触する。この第２冷却
器でスチームとフェノールの混合ガスは凝縮液化し、こ
の凝縮液は冷却媒体とともに第２冷却器２２の底部から
抜出しポンプ３１を含むライン３０を通って抜出され、
その一部はライン３３を通り、冷却媒体用の冷却器３４
を通って冷却された後、ライン２９を通り、第２冷却器
にリサイクルされる。ライン３０を通って抜出された凝
縮スチームとフェノールを含む冷却媒体の残部はライン
３２を通って系外へ抜出される。
って抜出されるスチームとフェノールの混合ガスは、第
２冷却器２２の下部に導入され、ここで、ライン２９を
通って第２冷却器の上部から導入される第２冷却媒体
（フェノールの水溶液）と向流接触する。この第２冷却
器でスチームとフェノールの混合ガスは凝縮液化し、こ
の凝縮液は冷却媒体とともに第２冷却器２２の底部から
抜出しポンプ３１を含むライン３０を通って抜出され、
その一部はライン３３を通り、冷却媒体用の冷却器３４
を通って冷却された後、ライン２９を通り、第２冷却器
にリサイクルされる。ライン３０を通って抜出された凝
縮スチームとフェノールを含む冷却媒体の残部はライン
３２を通って系外へ抜出される。
【００２０】次に、前記ストリッピングガスの凝縮処理
法において、第１冷却器と第２冷却器を含む一塔型の冷
却装置を用いた場合のフローシートを図３に示す。図３
において、４０はその内部に第１冷却器２１と第２冷却
器２２を備えた一塔型の冷却装置である。この冷却装置
は、第１冷却器２１と第２冷却器２２との中間に中央部
に開口を有する仕切板４５を配設し、その開口に筒体４
３を立設した構造を有する。この装置において、筒体４
３の外周面と冷却装置４０の内壁との間に形成される環
状中空室は、液体を貯留するためのものである。４２
は、第２冷却器２２を流下する液体を前記環状中空室に
案内するための案内板である。筒状空間４４はガス通路
を示す。なお、図３における符号において、図２に示し
たものと同じ符号は同じ意味を示す。また、図３におい
ては、図２に示した流量コントロール系は図示されてい
ない。
法において、第１冷却器と第２冷却器を含む一塔型の冷
却装置を用いた場合のフローシートを図３に示す。図３
において、４０はその内部に第１冷却器２１と第２冷却
器２２を備えた一塔型の冷却装置である。この冷却装置
は、第１冷却器２１と第２冷却器２２との中間に中央部
に開口を有する仕切板４５を配設し、その開口に筒体４
３を立設した構造を有する。この装置において、筒体４
３の外周面と冷却装置４０の内壁との間に形成される環
状中空室は、液体を貯留するためのものである。４２
は、第２冷却器２２を流下する液体を前記環状中空室に
案内するための案内板である。筒状空間４４はガス通路
を示す。なお、図３における符号において、図２に示し
たものと同じ符号は同じ意味を示す。また、図３におい
ては、図２に示した流量コントロール系は図示されてい
ない。
【００２１】前記ストリッピングガスの凝縮処理法によ
れば、ストリッピングガスを、昇圧することなく、３０
トール以下の減圧状態のままで冷却凝縮させることがで
きる。しかも、この場合、３０トール以下という低い圧
力条件と、それに応じた低いスチーム凝縮温度条件を採
用したにもかかわらず、ビスフェノールＡやフェノール
の結晶は何ら析出しない。従って、このストリッピング
ガスの凝縮処理法においては、固体析出による冷却器の
効率低下や、冷却器の閉塞トラブルは何ら生じない。
れば、ストリッピングガスを、昇圧することなく、３０
トール以下の減圧状態のままで冷却凝縮させることがで
きる。しかも、この場合、３０トール以下という低い圧
力条件と、それに応じた低いスチーム凝縮温度条件を採
用したにもかかわらず、ビスフェノールＡやフェノール
の結晶は何ら析出しない。従って、このストリッピング
ガスの凝縮処理法においては、固体析出による冷却器の
効率低下や、冷却器の閉塞トラブルは何ら生じない。
【００２２】また、前記ストリッピングガスの凝縮処理
によればストリッピングガスを構成するスチーム、フェ
ノール及びビスフェノールＡの全てが凝縮され、真空排
気系にはそれらのガスは実質的に流入されない。従っ
て、真空排気ポンプは、装置系を所定の減圧条件に保持
するだけであるので、排気容量の小さなもので済み、設
備コスト及びエネルギーコスト的に非常に有利である。
によればストリッピングガスを構成するスチーム、フェ
ノール及びビスフェノールＡの全てが凝縮され、真空排
気系にはそれらのガスは実質的に流入されない。従っ
て、真空排気ポンプは、装置系を所定の減圧条件に保持
するだけであるので、排気容量の小さなもので済み、設
備コスト及びエネルギーコスト的に非常に有利である。
【００２３】
【発明の効果】本発明においては、ビスフェノールＡ・
フェノール結晶アダクトから誘導されたビスフェノール
Ａを含むフェノール溶液を、先ず第１薄膜蒸発器を用い
て蒸発処理し、フェノール含有率が１〜５重量％のビス
フェノールＡを得るが、本発明の場合、その第１薄膜蒸
発器の温度を１６０〜１８５℃、圧力を１５〜６０トー
ルの条件に保持したことから、フェノールの急速な蒸発
による冷却が生じても、ビスフェノールＡが析出するよ
うなことなく、円滑にその蒸発処理を実施することがで
きる。また、本発明においては、前記のようにして得ら
れたビスフェノールＡを、それに含まれるフェノールを
蒸発除去するために、薄膜蒸発器を用いてスチームスト
リッピング処理するが、本発明の場合、そのビスフェノ
ールＡ中のフェノール含有量が１〜５重量％と低く、か
つ２つの薄膜蒸発器を直列に結合して用いたことから、
それらの蒸発器の温度を１７０〜１８０℃に保持し、か
つ１５トール以下の高真空に保持して、そのビスフェノ
ールＡ中のフェノールを蒸発除去することが可能にな
り、色相にすぐれるとともに、フェノール含有率が０．
００５重量％以下の高純度ビスフェノールＡを得ること
ができる。色相にすぐれたビフェノールＡを得るには、
その製造原料であるビスフェノールＡを含むフェノール
溶液及びその溶液を蒸発処理する場合の温度を、１８５
℃以下に保持し、インプロペニルフェノール等の着色不
純物の生成の抑制することが必要であるが、本発明の場
合は、その蒸発処理温度を、１８５℃以下に保持してフ
ェノールを実質的に完全に蒸発除去することができるの
で、得られるビスフェノールＡは、ＡＰＨＡ２０以下の
色相のすぐれた高純度のものである。さらに、本発明に
おいては、第３薄膜蒸発器で生成したフェノール、ビス
フェノールＡを含むスチームからなるストリッピングガ
スを、第２薄膜蒸発器に対するストリッピング用スチー
ムガスとして用いることから、第２薄膜蒸発器における
フェノールストリッピング効果が高くなるという利点も
ある。本発明の蒸発処理によれな、全体的に極めて短か
い滞留時間（通常、６０〜１８０秒）で蒸発処理を行う
ことができるので、その処理効率は非常に高いものとな
る。特に、本発明の場合、第１薄膜蒸発器と第２薄膜蒸
発器と第３薄膜蒸発器を、上方からその順に結合し、液
体の流れを重力により上方から下方に流下させることが
望ましく、これによって酸素リーフの防止を効果的に行
えるとともに、装置系内における液体の滞留時間を短か
く保持することができる。
フェノール結晶アダクトから誘導されたビスフェノール
Ａを含むフェノール溶液を、先ず第１薄膜蒸発器を用い
て蒸発処理し、フェノール含有率が１〜５重量％のビス
フェノールＡを得るが、本発明の場合、その第１薄膜蒸
発器の温度を１６０〜１８５℃、圧力を１５〜６０トー
ルの条件に保持したことから、フェノールの急速な蒸発
による冷却が生じても、ビスフェノールＡが析出するよ
うなことなく、円滑にその蒸発処理を実施することがで
きる。また、本発明においては、前記のようにして得ら
れたビスフェノールＡを、それに含まれるフェノールを
蒸発除去するために、薄膜蒸発器を用いてスチームスト
リッピング処理するが、本発明の場合、そのビスフェノ
ールＡ中のフェノール含有量が１〜５重量％と低く、か
つ２つの薄膜蒸発器を直列に結合して用いたことから、
それらの蒸発器の温度を１７０〜１８０℃に保持し、か
つ１５トール以下の高真空に保持して、そのビスフェノ
ールＡ中のフェノールを蒸発除去することが可能にな
り、色相にすぐれるとともに、フェノール含有率が０．
００５重量％以下の高純度ビスフェノールＡを得ること
ができる。色相にすぐれたビフェノールＡを得るには、
その製造原料であるビスフェノールＡを含むフェノール
溶液及びその溶液を蒸発処理する場合の温度を、１８５
℃以下に保持し、インプロペニルフェノール等の着色不
純物の生成の抑制することが必要であるが、本発明の場
合は、その蒸発処理温度を、１８５℃以下に保持してフ
ェノールを実質的に完全に蒸発除去することができるの
で、得られるビスフェノールＡは、ＡＰＨＡ２０以下の
色相のすぐれた高純度のものである。さらに、本発明に
おいては、第３薄膜蒸発器で生成したフェノール、ビス
フェノールＡを含むスチームからなるストリッピングガ
スを、第２薄膜蒸発器に対するストリッピング用スチー
ムガスとして用いることから、第２薄膜蒸発器における
フェノールストリッピング効果が高くなるという利点も
ある。本発明の蒸発処理によれな、全体的に極めて短か
い滞留時間（通常、６０〜１８０秒）で蒸発処理を行う
ことができるので、その処理効率は非常に高いものとな
る。特に、本発明の場合、第１薄膜蒸発器と第２薄膜蒸
発器と第３薄膜蒸発器を、上方からその順に結合し、液
体の流れを重力により上方から下方に流下させることが
望ましく、これによって酸素リーフの防止を効果的に行
えるとともに、装置系内における液体の滞留時間を短か
く保持することができる。
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。 実施例１ フェノールとアセトンを酸触媒の存在下で反応させて得
られた反応混合物を多段階晶析処理して得た、その溶融
色がＡＰＨＡ５であるビスフェノールＡ・フェノール結
晶アダクトを、精製フェノールで部分希釈し、１３０℃
に加熱してビスフェノールＡ３０重量％を含むフェノー
ル溶液とした。このフェノール溶液を原料液として用い
図１に示す蒸発装置系を用いて処理した。次に、図１に
示した装置系の主要な運転条件及び主要ラインを通る液
体の成分組成について以下に示す。 （１）第１蒸発器１ （ｉ） 外部ヒータ温度：１７０℃ （ii) 内部圧力 ：２０トール （２）第２蒸発器２ （ｉ） 外部ヒータ温度：１８０℃ （ii) 内部圧力 ：１０トール （３）第３蒸発器３ （ｉ） 外部ヒータ温度：１８０℃ （ii) 内部圧力 ：１０トール （４）ライン１２を通るビスフェノールＡ中の フェノール含有率：２．７重量％ （５）ライン１６を通るビスフェノールＡ （ｉ）フェノール含有率：２３ｗｔｐｐｍ （ii) 溶融色：ＡＰＨＡ２０ （６）ライン１５を通るスチーム供給量：ライン１４を
通るビスフェノールＡ１重量部当り０．０４重量部 比較例１ 第１蒸発器１の運転条件を１９０℃、１０トールとした
ところ、ライン１２を通るビスフェノールＡ中のフェノ
ール含有率は７重量％までしか低下せず、第１蒸発器の
運転は不安定であった。 比較例２ 第２蒸発器２及び第３蒸発器３における各外部ヒータ温
度を２００℃としたところ、ライン１６を通る製品ビス
フェノールＡの溶融色はＡＰＨＡ４５となり、フェノー
ル含有率は７０ｐｐｍであった。
する。 実施例１ フェノールとアセトンを酸触媒の存在下で反応させて得
られた反応混合物を多段階晶析処理して得た、その溶融
色がＡＰＨＡ５であるビスフェノールＡ・フェノール結
晶アダクトを、精製フェノールで部分希釈し、１３０℃
に加熱してビスフェノールＡ３０重量％を含むフェノー
ル溶液とした。このフェノール溶液を原料液として用い
図１に示す蒸発装置系を用いて処理した。次に、図１に
示した装置系の主要な運転条件及び主要ラインを通る液
体の成分組成について以下に示す。 （１）第１蒸発器１ （ｉ） 外部ヒータ温度：１７０℃ （ii) 内部圧力 ：２０トール （２）第２蒸発器２ （ｉ） 外部ヒータ温度：１８０℃ （ii) 内部圧力 ：１０トール （３）第３蒸発器３ （ｉ） 外部ヒータ温度：１８０℃ （ii) 内部圧力 ：１０トール （４）ライン１２を通るビスフェノールＡ中の フェノール含有率：２．７重量％ （５）ライン１６を通るビスフェノールＡ （ｉ）フェノール含有率：２３ｗｔｐｐｍ （ii) 溶融色：ＡＰＨＡ２０ （６）ライン１５を通るスチーム供給量：ライン１４を
通るビスフェノールＡ１重量部当り０．０４重量部 比較例１ 第１蒸発器１の運転条件を１９０℃、１０トールとした
ところ、ライン１２を通るビスフェノールＡ中のフェノ
ール含有率は７重量％までしか低下せず、第１蒸発器の
運転は不安定であった。 比較例２ 第２蒸発器２及び第３蒸発器３における各外部ヒータ温
度を２００℃としたところ、ライン１６を通る製品ビス
フェノールＡの溶融色はＡＰＨＡ４５となり、フェノー
ル含有率は７０ｐｐｍであった。
【図１】本発明を実施する場合の装置系統図の一例を示
す。
す。
【図２】ストリッピングガスを凝縮するための装置系統
図の一例を示す。
図の一例を示す。
【図３】ストリッピングガスを凝縮するための装置系統
図他の例を示す。
図他の例を示す。
１，２，３ 薄膜蒸発器 ４ 外部ヒータ ２１ 第１冷却器 ２２ 第２冷却器 ３４ 冷却器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安井 誠 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12 番１号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 米田 則行 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12 番１号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 浅岡 佐知夫 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12 番１号 千代田化工建設株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−132850（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−95135（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−117193（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 39/16 C07C 37/74 C07C 37/76 C07C 37/84
Claims (2)
- 【請求項１】 ビスフェノールＡ・フェノール結晶アダ
クトからフェノールを蒸発除去してビスフェノールＡを
得るに際し、該結晶アダクトから形成されたビスフェノ
ールＡを含むフェノール溶液を、薄膜蒸発器を用い、１
６０〜１８５℃の温度及び１５〜６０トールの圧力下で
蒸発処理して、フェノール含有率が１〜５重量％のビス
フェノールＡを得るフェノール蒸発工程と、該フェノー
ル蒸発工程で得られたフェノールを含むビスフェノール
Ａを、薄膜蒸発器を用い、１７０〜１８５℃の温度及び
１５トール以下の圧力下でストリッピング用ガスと向流
接触させてストリッピング処理する第１ストリッピング
工程と、該第１ストリッピング工程で得られたフェノー
ルを含むビスフェノールＡを、薄膜蒸発器を用い、１７
０〜１８５℃の温度及び１５トール以下の圧力下でスト
リッピング用ガスと向流接触させてストリッピング処理
する第２ストリッピング工程とからなり、該第２ストリ
ッピング工程におけるストリッピング用ガスとしてスチ
ームを用い、該第１ストリッピング工程におけるストリ
ッピング用ガスとして、第２ストリッピング工程で得ら
れたフェノール及びビスフェノールＡを含むスチームか
らなるストリッピングガスを用いることを特徴とする高
品位ビスフェノールＡの製造方法。 - 【請求項２】 該ビスフェノールＡ・フェノール結晶ア
ダクトの溶融色が１５ＡＰＨＡ以下である請求項１の方
法。
Priority Applications (18)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30652291A JP3194235B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 高品位ビスフェノールａの製造方法 |
| CNB991038622A CN1190404C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 含酚化合物、双酚a和蒸汽的解吸气体的冷凝处理方法 |
| CNB991038614A CN1190403C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 双酚a·酚结晶加合物的晶析装置、制法及其装置 |
| CNB991038959A CN1167659C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 酚精制、双酚a·酚结晶加合物精制和制法、双酚a制法 |
| KR1019920012309A KR100189205B1 (ko) | 1991-07-10 | 1992-07-10 | 비스페놀a. 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a 의 제조방법 |
| EP92306380A EP0523931B1 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Process for the production of bisphenol A |
| DE69214889T DE69214889T2 (de) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Verfahren zur Herstellung von Bisphenol A |
| ES92306380T ES2093788T3 (es) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Procedimiento para la produccion de bisfenol a. |
| DE69217393T DE69217393T2 (de) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Kondensationsverfahren zur Rückgewinnung von Bisphenol A und Phenol |
| ES94203111T ES2097610T3 (es) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Procedimiento de condensacion para recuperacion de bisfenol a y fenol. |
| EP94203111A EP0643032B1 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Condensation process for recovery of bisphenol A and phenol |
| US07/912,487 US5324867A (en) | 1991-07-16 | 1992-07-13 | Process for the production of bisphenol A. |
| US08/228,871 US5371304A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bisphenol A |
| US08/229,349 US5382711A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bishenol A |
| US08/229,348 US5382712A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bisphenol A |
| KR1019980044546A KR100190336B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044545A KR100190335B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044544A KR100190334B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 페놀의정제방법, 비스페놀a. 페놀결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30652291A JP3194235B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 高品位ビスフェノールａの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05117192A JPH05117192A (ja) | 1993-05-14 |
| JP3194235B2 true JP3194235B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=17958042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30652291A Expired - Fee Related JP3194235B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-10-25 | 高品位ビスフェノールａの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194235B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP30652291A patent/JP3194235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05117192A (ja) | 1993-05-14 |
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