KR920701299A - 폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트이 제조 - Google Patents

폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트이 제조

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Abstract

내용 없음

Description

폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트이 제조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (30)

  1. (a) 직접적인 에스테르화 온도 및 압력 조건하에 각각 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산의 몰당 에틸렌글리콜 약 1.05 내지 약 1.5몰의 몰비로, 각각 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만부당 각각 500부 미만의 카복시벤즈 알데하이드 또는 카복시나프트 알데하이드를 함유하는 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산을 에틸렌글리콜과 반응시켜 몰의 발생이 실질적으로 중단될 때까지 물 및 각각 에틸렌 글리콜과 프탈산 또는 나프탈렌디카복실산의 에스테르화 생성물을 포함하는 생성물 혼합물을 형성하고, 생성물 혼합물로부터 물을 제거하며, (b)중축합 온도 및 압력 조건하에 단계(a)에서 사용된, 각각 프탈산 또는 나프타렌 디카복실산 백만중량부당 금속원소로서 각각 계산된 안티온 함량이 약 50 내지 약 278부인 안티몬-함유 성분, 코발트 함량이 약 5 내지 50부인 코발트-함유 성분, 및 망간 함량이 약 20내지 약 150부인 망간-함유성분으로 필수적으로 이루어진 촉매 존재하에 단계(a)의 생성물 혼합물을 가열(이때, 소정의 고유 점도를 가진 폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트가 각각 형성될 때까지 가열을 계속 진행시키며, 각각 생성되는 폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트는 향상된 착색 및 형광 특성 및 감소된 함량의 고분자량 불순물을 갖는다)함을 포함하는, 소정의 고유점도를 가진 폴리에틸렌 프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 폴리에틸렌 프탈레이트가 에틸렌 글리콜을 프탈산과 반응시킴으로써 형성되는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 에틸렌 글리콜을 테레프탈산과 반응시킴으로써 형성되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 폴리에틸렌 나프탈레이트가 에틸렌 글리콜을 나프탈렌 디카복실산과 반응시킴으로써 형성되는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 폴리에틸렌 2,6-나프탈레이트가 에틸렌 글리콜을 2,6-나프탈렌 디카복실산과 반응시킴으로써 형성되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 단계(a)에서의 직접적인 에스테르화를 약 250℃ 내지 약 280℃범위의 온도 및 약 대기압 내지 약 100ℓb/inz gauge 범위의 압력에서 수행하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 단계 (b)에서의 중축합 조건이 약 270℃ 내지 약 300℃범위의 온도 및 약 0.1 내지 약 25mmHg 범위의 압력을 포함하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 단계(b)의 중축합 조건이 약 270℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도 및 약 0.1 내지 약 25mmHg 범위의 압력을 포함하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 단계(b)에서 사용된 촉매가 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만중량부당 각각 금속원소로서 계산된 안티몬 함량이 약 50내지 약 278부인 안티몬-함유성분, 코발트 함량이 약 15 내지 약 25부인 코발트-함유성분, 및 망간 함랑이 약 55 내지 약 95부인 망간-함유 성분을 필수적으로 이루어진 방법.
  10. 제1항에 있어서, 안티몬-함유성분이 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만 중량부 당 금속 원소로서 계산된 안티몬 약 100 내지 약 278부의 함량으로 단계(b)에서 사용된 촉매중에 존재하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 안티몬-함유성분이 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만 중량부 당 금속 원소로서 계산된 안티몬 약 175 내지 약 254부의 함량으로 단계(b)에서 사용된 촉매중에 존재하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 단계(a)가 단계(b)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만중량부당 금속원소로서 계산된 코발트 함량이 약 5 내지 약 50부인 코발트-함유성분 및 망간 함량이 약 20 내지 약 150부인 망간-함유 성분을 포함하는 촉매 존재하에 수행되는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 단계(a)가 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만중량부당 금속원소로서 계산된 코발트 함량이 약 15 내지 약 25부인 코발트-함유성분 및 망간 함량이 약 55 내지 약 95부인 망간-함유 성분을 포함하는 금속-함유 혼합물의 존재하에 수행되는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 코발트-및 망간 함유성분이 반응기 혼합물에 혼입되거나 또는 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산과의 혼합형태로 혼입되는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 및 에틸렌 글리콜이 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 몰당 에틸렌 글리콜 약 1.15 내지 약 1.25몰의 몰비로 반응하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산이 각각 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만부당 각각 200부 미만의 카복시벤즈알데하이드 또는 카복시나프트알데하이드를 함유하는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 단계(a)가 약 255℃ 내지 약 275℃범위의 온도 및 약 대기압 내지 약 60ℓb/inz gauge 범위의 압력에서 수행하는 방법.
  18. 제1항에서 있어서, 단계(b)약 280℃ 내지 약 290℃ 범위의 온도 및 약 0.5 내지 약 2mmHg 범위의 압력에서 수행되는 방법.
  19. 제1항에 있어서, 촉매 안정화제가 단계(b)에서 사용되는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 촉매 안정화제가 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만중량부당 인원소로서 계산된 인의 함량이 약 6 내지 약 60부인 인-함유성분을 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 인-함유 성분에 단계(a)에서 사용된 프탈산 또는 나프탈렌 디카복실산 백만중량부당 인원소로서 계산된 인이 약 18 내지 약 30부의 함량으로 존재하는 방법.
  22. 제1항에 있어서, 단계(a)가 (ⅰ)반응 생성물로서 물의 발생이 실질적으로 중단될때 까지 초기에 약 20 내지 약 100ℓb/inz gauge 범위의 압력 및 약 250℃ 내지 약 280℃ 범위의 온도에서 수행되고, (ⅱ) 그후, 약 대기압 및 약 250℃ 내지 약 280℃ 범위의 온도에서 수행되며, 단계(b) 가 (ⅰ) 약 0.1 내지 약 25mmHg 범위의 소정의 압력에 도달할 때까지 약 0.1 내지 약 5inch Hg/min 범위의 비율로 압력을 약 대기압으로부터 감소시키면서 초기에 약 270℃ 내지 약 295℃ 범위의 온도로 수행되고, (ⅱ) 그후 생성되는 폴리에틸렌 프탈레이트 생성물 도는 폴리에틸렌 나프탈레이트 생성물이 소정의 고유점도를 가질 때까지 약 275℃ 내지 약 300℃ 범위의 온도, 즉 단계(b) (ⅰ)에서 사용된 온도보다 약 0℃ 내지 약 30℃ 더 높은 온도 및 약 0.1 내지 약 25mmHg 범위의 상술한 소정의 압력에서 수행되는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 단계(a)(ⅰ)이 약 255℃ 내지 약 260℃ 범위의 온도 및 약 40 내지 약 60ℓb/inz gauge 범위의 압력에서 수행되는 방법.
  24. 제22항에서 있어서, 단계 (a)(ⅱ)이 약 255℃ 내지 약 260℃ 범위의 온도에서 수행되는 방법.
  25. 제22항에서 있어서, 단계 (b)(ⅰ)이 약 275℃ 내지 약 285℃ 범위의 온도에서 수행되는 방법.
  26. 제22항에 있어서, 압력이 약 0.5 내지 약 2inch Hg/min 범위의 비율로 감소되는 방법.
  27. 제22항에 있어서, 단계 (b)(ⅰ)에서 압력이 약 0.5 내지 약 10mmHg 범위의 소정압력으로 감소되는 방법.
  28. 제22항에 있어서, 단계 (b)(ⅱ)의 최종 중합화가 약 275℃ 내지 약 285℃ 범위의 온도에서 수행되는 방법.
  29. 제22항에 있어서, 단계 (b)(ⅱ)의 최종 중합화의 온도가 단계 (b)(ⅰ)의 초기 중합화 온도보다 약 5℃ 내지 약 15℃ 이상인 방법.
  30. 제1항에 있어서, 각각의 단계 (a) 및 (b)가 별도의 용매 부재하에 수행되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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