KR920700328A - 폴리아미드 섬유에 대한 얼룩 방지 처리방법 - Google Patents

폴리아미드 섬유에 대한 얼룩 방지 처리방법

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KR920700328A
KR920700328A KR1019900702648A KR900702648A KR920700328A KR 920700328 A KR920700328 A KR 920700328A KR 1019900702648 A KR1019900702648 A KR 1019900702648A KR 900702648 A KR900702648 A KR 900702648A KR 920700328 A KR920700328 A KR 920700328A
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3세 토마스 허드슨 모스
리챠드 샤전트 랄프
에스. 윌리암스 마이클
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리챠드 샤전트 랄프
피치 스테이트 랩스, 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

폴리아미드 섬유에 대한 얼룩 방지 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 술폰화된 아로마틱 포름알데히드 축중합체 존재하에서－치환 아크릴산 중합반응 도해의 실예,
제2도는 술폰화된 히－톡시 아로마틱 화합물로 아크릴산을 에스테르화한 다음 유리 라디칼이나 포름 알데히드 축중합반응 도해의 실예,
제3도는 FK－369와 실시예1의 생성물로 처리된 3871 수퍼바(superba)면사의 얼룩을 방지하는 특징을 설명하는 막대그림 그래프이다.

Claims (69)

  1. 술폰화 아로마틱 포름알데히드 축중합체 존재하에서 H2C=C(R)CO2X(단, 상기에서 R은 탄화수소, 할로겐화 탄화수소, C1내지 C20의 술폰화 탄화수소, 페놀, 나프톨, 술폰화 페놀, 술폰화 나프톨이나 할로겐이고, X는 H나 C내지 C20의 수산화, 에톡실화, 술포네이트화, 할로겐화 탄화수소이며, 상기 R과 X는 중합체내에서 다변화 됨)을 중합시켜서 제조되는 생성물을 포함하는 얼룩방지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 1/30 H2C=C(R)CO2X가 중량비로 축중합체 1/1의 존재하에서 중합되는 상기 얼룩방지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 1/7 H2C=C(R)CO2X가 중량비로 1/1 존재하에서 중합되는 상기 얼룩방지 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 1/6 H2C=C(R)CO2X가 축중합체 중량비로 1/2 존재하에서 중합되는 상기 얼룩방지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, H2C=C(R)CO2X의 중합이 15%이상의 활성고체함량을 지닌 용액에서 이루어진 상기 얼룩방지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, R이 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 페놀, 술폰화페놀, 나프톨, 염소, 불소를 포함하는 그룹에서 선택된 상기 얼룩방지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, X가 할로겐인 상기 얼룩방지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, X가 술폰화 히드록시아로마틱 화합물인 상기 얼룩방지 조성물.
  9. 제8항에 있어서, X가 술폰화 디히드록시페닐술폰, 히드록시벤젠술폰산, 히드록시나프탈렌술폰산과 2,4－디멘틸벤젠술폰산으로 구성된 그룹으로 부터 선택된 상기 얼룩방지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, X가 불소화나 과불소화 알킬그룹인 상기 얼룩방지 조성물.
  11. 제1항에 있어서, H2C=C(R)CO2X가 불소화－치환 아크릴산이나 아크릴레이트와 공중합된 상기 얼룩방지 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 불소화－치환 아크릴산이 C8내지 C12불소화 에스테르인 상기 얼룩방지 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 술폰화 아로마틱 축중합체내 아로마틱 그룹이 페닐 페놀, 나프톨, 나프탈렌과 4,4´－디히드록시페닐술폰을 포함하는 그룹으 로부터 선택된 상기 얼룩방지 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 폴리아마이드 결합이 있는 섬유를 포함하는 상기 얼룩방지 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 폴리아미드 섬유가 나일론, 모직, 비단, 천연가죽, 인조가죽을 포함하는 그룹으로부터 선택된 상기 얼룩방지 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 중합생성물이 폴리아미드류 100g당 중합생성물 0.1과 10g사이의 양으로 폴리아미드 섬유에 사용된 상기 얼룩방지 조성물.
  17. 제1항에 있어서, 양이온 계면활성제, 비이온 계면활성제, 포말계면활성제와 양이온 정전기 방지제를 포함하는 그룹으로 부터 선택된 화합물을 포함하는 상기 조성물.
  18. 제1항에 있어서, 계면활성제가 암모늄라우렐슬페이트인 상기 조성물.
  19. 제1항에 있어서, 단량체를 1%이하로 포함하는 상기 조성물.
  20. H2C=C(R)CO2X(단, 상기에서 R이 수소, 탄화수소, 할로겐화 탄화수소나 C1내지 C20의 술폰화 탄화수소, 페놀, 나프톨, 술폰화 페놀, 술폰화 나프톨이나 할로겐; X는 술폰화 히드록시아로마틱 화합물; 상기 R과 X는 중합체내에 다양화 기능)을 중합시켜 제조된 중합체를 포함하는 얼룩방지 조성물.
  21. 제20항에 있어서, X가 술포화 디히드록시디페닐술폰인 상기 얼룩방지 조성물.
  22. 제20항에 있어서, H2C=C(R)CO2X가 유리 라디칼 반응에서 중합시킨 상기 얼룩방지 조성물.
  23. 제22항에 있어서, 유리 라디칼 방법에서 형성된 중합체가 포름알데히드 축합반응에서 교차 결합된 상기 얼룩방지 조성물.
  24. 제20항에 있어서, H2C=C(R)CO2X가 포름알데히드 중합에 의해 중합된 상기 얼룩방지 조성물.
  25. 제24항에 있어서, 포름알데히드 축합에 의해 형성된 중합체가 유리 라디칼 반응에서 교차결합된 상기 얼룩방지 조성물.
  26. 제20항에 있어서, 폴리아미드 결합이 있는 섬유를 포함하는 상기 조성물.
  27. 제26항에 있어서, 폴리아마이드 섬유가 나일론, 모직, 비단, 천연가죽과 인공가죽을 포함하는 그룹으로 부터 선택된 상기 조성물.
  28. 제26항에 있어서, 폴리아마이드 품목 100g당 중합생성물의 0.1과 10g사이의 양으로 폴리아마이드 섬유에 사용된 상기 조성물.
  29. 제20항에 있어서, 양이온 계면활성제, 비이온 계면활성제, 포말계면활성제와 양이온 정전기 방지제를 포함하는 그룹으로 부터 선택된 화합물로 구성된 상기 조성물.
  30. 제20항에 있어서, 계면활성제가 암모늄라우렐슬페이트인 상기 조성물.
  31. 제20항에 있어서, 단량체를 1%이하가 포함된 상기 조성물.
  32. 술폰화 아로마틱 포름알데히드 축중합체 존재하에서 H2C=C(R)CO2X(단, 상기에서 R은 탄화수소, 할로겐화 탄화수소, C1내지 C20의 술폰화 탄화수소, 페놀, 나프톨, 술폰화 페놀, 술폰화 나프톨이나 할로겐이고, X는 수소나 C내지 C20의 수산화, 에톡실화, 술폰화나, 할로겐화 탄화수소이며, 상기 R과 X는 중합체에서 다변화 기능)을 중합시킨 것으로 구성된 얼룩방지 조성물의 제조방법.
  33. 제32항에 있어서, H2C=C(R)CO2X대 축중합체의 비가 중량비로 30:1인 상기 방법.
  34. 제32항에 있어서, H2C=C(R)CO2X대 축중합체의 비가 중량비로 7:1인 상기 방법.
  35. 제32항에 있어서, H2C=C(R)CO2X대 축중합체의 비가 중량비로 6:2인 상기 방법.
  36. 제32항에 있어서, 유리 라디칼 생성제로 중합반응이 시작되는 것을 포함하는 상기 방법.
  37. 제32항에 있어서, 유리 라디칼 생성제가 포타슘 퍼슬페이트, 암모늄 퍼슬페이트와 소듐퍼슬페이트를 포함하는 그룹에서 선택된 상기 방법.
  38. 제32항에 있어서, 50℃와 100℃사이 온도에서 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  39. 제32항에 있어서, 1%이하로 단량체가 잔존할때 까지 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  40. 제32항에 있어서, 중합 혼합물에서 H2C=C(R)CO2Xg대 축중합체 고체g의 비율이 약 6:1과 2:1 사이로 제공하는 것을 포함하는 X가 H인 상기 방법.
  41. 제32항에 있어서, H2C=C(R)CO2X가 고체 함량이 15%이상인 용액에서 중합되는 상기 방법.
  42. 제32항에 있어서, 중합되기 전에 반응혼합물에 점도 조절제의 첨가를 포함하는 상기 방법.
  43. 제32항에 있어서, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 페놀, 나프톨, 술폰화 나프톨, 술폰화 페놀, 불소, 염소를 포함하는 그룹에서 선택된 R을 포함하는 상기 방법.
  44. 제32항에 있어서, 수소로 선택된 X를 포함하는 상기 방법.
  45. 제32항에 있어서, 얼룩방지 조성물을 폴리아마이드 결합을 포함하는 섬유에 실시하는 것으로 구성된 상기 방법.
  46. 제45항에 있어서, 나일론, 모직, 비단, 천연가죽, 인공가죽을 구성하는 그룹에서 선택된 폴리아미드 섬유를 포함하는 상기 방법.
  47. 제45항에 있어서, 폴리아마이드 섬유의 사출전에 섬유는 얼룩방지 조성물을 실시하는 것으로 구성된 나일론인 상기 방법.
  48. 제 45항에 있어서, 양이온 계면활성제, 비이온 계면활성제와 정전기 방지게를 포함하는 그중에서 선택된 화합물과 결합된 얼룩방지 조성물을 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  49. 제45항에 있어서, 포말 생성 계면활성제와 결합된 조성물을 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  50. 제48항에 있어서, 계면활성제로서 선택된 암모늄 라우렐 슬페이트를 포함하는 상기 방법.
  51. H2C=C(R)CO2X(단, 상기식에서, R은 탄화수소, 할로겐화 탄화수소나 C1내지 C20의 술폰화 탄화수소, 나프톨, 술폰화 페놀, 술폰화 나프톨이나 할로겐이고, X는 술폰화 히드록시 아로마틱 화합물이며, 상기 R과 X는 중합체 내에서 다변화 시킬 수 있다)를 중합시키는 것을 포함하는 얼룩방지 조성물의 제조방법.
  52. 제51항에 있어서, 유리 라디칼 생성제로 중합반응을 시작시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  53. 제51항에 있어서, 유리 라디칼 생성제가 포타슘 퍼슬페이트, 암모늄 퍼슬레이트, 소듐 퍼슬레이트로 구성된 그룹에서 선택된 상기 방법.
  54. 제51항에 있어서, 50℃와 100℃사이 온도에서 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  55. 제51항에 있어서, 단량체가 1%이하로 잔존될 때까지 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  56. 제51항에 있어서, 단량체가 15%이상인 용액에서 H2C=C(R)CO2X가 중합되는 상기 방법.
  57. 제51항에 있어서, 중합시키기 전에 점도조절제가 반응혼합물에 첨가되는 상기 방법.
  58. 제51항에 있어서, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 페놀, 나프톨, 술폰화 페놀, 불소, 염소가 있는 그룹에서 선택된 R을 포함하는 상기 방법.
  59. 제51항에 있어서, 페닐, 페놀, 나프톨, 나프탈렌과 4,4´－디히드록시디페닐술폰이 있는 그룹에서 선택된 히드록시 아로마틱을 포함하는 상기 방법.
  60. 제51항에 있어서, 얼룩방지 조성물을 폴리아마이드 결합이 있는 섬유에 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  61. 제51항에 있어서, 나일론, 모직, 비단, 천연가죽과 합성가죽을 구성하는 그룹에서 선택된 폴리아마이드 섬유를 포함하는 상기 방법.
  62. 제60항에 있어서, 폴리아마이드 섬유를 사출하기 전에 얼룩방지 조성물을 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  63. 제60항에 있어서, 양이온 계면활성제, 비이온 계면활성제, 정전기 방지제를 구성하는 그룹에서 선택된 화합물과 결합된 얼룩방지 조성물을 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  64. 제60항에 있어서, 포말 생성 계면활성제와 결합된 조성물을 사용하는 것을 포함하는 상기 방법.
  65. 제60항에 있어서, 계면활성제로서 선택된 암모늄 라우렐 술페이트를 포함하는 상기 방법.
  66. 제32항에 있어서, 정량 공급방법으로 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  67. 제51항에 있어서, 정량 공급방법으로 H2C=C(R)CO2X를 중합시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  68. 제32항에 있어서, 크실렌 술폰산이나 톨루엔 술폰산을 중합반응에서 첨가시키는 것을 포함하는 상기 방법.
  69. 제51항에 있어서, 크실렌 술폰산이나 톨루엔 술폰산을 중합반응에서 첨가시키는 것을 포함하는 상기 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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