KR920020615A - 위상변화 마스크의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 (가)∼(라)는 본 발명에 따른 위상변화 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (3)
- 하지층인 퀼츠층(21)상에 플라즈마 CVD법으로 위상변화막(22)을 증착시키고, 위상변화막(22)위에 스퍼터링법으로 광차단막(23)을 형성한 후 포토레지스트(24)를 이용 통상적인 식가법으로 광차단막(23)의 일부를 식각하고, 건식식각법으로 위상변화막(22)의 일부를 식각한 다음 다시 습식식각법으로 나머지 잔류부분(R)을 식각하여 식각된 깊이의 정확도가 높은 것을 특징으로 하는 위상변화 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 건식식각법에 의한 식각은 전체식각량의 80%∼90%정도 식각하는 것임을 특징으로 하는 위상변화 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 습식식각에 의한 식각시 사용하는 에칭물은 HF 또는 HF4+CH3COOH임을 특징으로 하는 위상변화 마스크의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910006990A KR940003582B1 (ko) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 위상변화 마스크의 제조방법 |
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- 1991-12-10 JP JP32588791A patent/JP2660128B2/ja not_active Expired - Fee Related
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