KR920017180A - 투영노광(投影露光)방법 및 투영노광용 광학 마스크 - Google Patents

투영노광(投影露光)방법 및 투영노광용 광학 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR920017180A
KR920017180A KR1019920002401A KR920002401A KR920017180A KR 920017180 A KR920017180 A KR 920017180A KR 1019920002401 A KR1019920002401 A KR 1019920002401A KR 920002401 A KR920002401 A KR 920002401A KR 920017180 A KR920017180 A KR 920017180A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
projection
optical mask
sub
optical
Prior art date
Application number
KR1019920002401A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960010023B1 (ko
Inventor
아사이 사또루
한유 이사무
누노까와 미쑤지
Original Assignee
세끼사와 요시
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼사와 요시, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼사와 요시
Publication of KR920017180A publication Critical patent/KR920017180A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960010023B1 publication Critical patent/KR960010023B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

투영노광(投影露光)방법 및 투영노광용 광학 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 투영노광 방법의 일반적인 작동원리를 설명하기 위한 단면도, 제2도는 포토레지스트(Photoresist)막의 여러부분에 대한 광진폭도, 제3도는 본 발명에 의한 광학 마스크의 제1실시예 요부를 도시한 평면도.

Claims (14)

  1. 투영노광 방법에 있어서, 바람직한 노광패턴을 갖고, 주 스페이스(6,106)가 포함된 광학 마스크(4,104)에 광원(9)에서 광을 조사하는 제1단계 : 및 상기 주 스페이스의 광학 영상을 투영하도록 하기 위하여, 광학 마스크(4)를 통해 투과된 광이 렌즈(3)를 경유해 포토레지스트 막(2)에 노광되는 제2단계로 구성되며, 상기 제1단게의 광학마스크(4,104)는 주 스페이스(6,106)에 근접설치되어 빛을 투과하는 부 스페이스(7,110,111)를 포함하고, 상기 부 스페이스(7,110,111)는 부 스페이스의 투과광 단독으로는 상기 포토 레지스트막(2)을 노광시킬수 없을 정도로 좁은 폭으로 이루어짐을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1단계에서 사용된 상기 광원(9)은 상기 광학 마스크(4,104)와 수직으로 된 투영광축에 대해 소정의 각도를 갖고 광학 마스크(4,104)를 조사하도록 이루어짐을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  3. 제2항에 있어서, 제1단계에서 사용된 상기 광원(9)은 투영광축에 대해 하나의 고리형으로 된 광원의 그룹으로부터 선택되고, 하나의 광원은 투영 광축의 양측에만 배치됨을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 제1단계에서 사용된 상기 광학마스크(4)는 주 스페이스(6)와 부 스페이스(7)의 중심위치 사이의 거리를(λ/NA)×m×L로 선택하고, 여기서, λ는 상기 광원(9)에서 방사된 광의 파장을 나타내며, NA는 상기 렌즈(3)의 개구수를 나타내고, 1/m은 감소된 투영배율을 나타내며, L은 0.7∼0.8로 됨을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  5. 제1항에 있어서, 제1단계에서 사용된 상기 광학 마스크(104)의 부 스페이스(110,111)는 적어도 제1부 스페이스(11)와 제2부 스페이스(111)로 이루어짐을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  6. 제5항에 있어서, 제1단계에서 사용된 상기 광학 마스크(104)는 상기 주 스페이스(106)와 제1부 스페이스(110)의 중심위치 시이의 거리를 d1=D1×m×(λ/NA)로 주고, 상기 주 스페이스(106)와 제2부 스페이스(111)의 중심위치 사이의 거리를 d2=D2×m×(λ/NA)로 주며, 주 스페이스(106)의 폭을 S=W×m×(λ/NA)로 주고, 제1부 스페이스의 폭을 S1=W1×m×(λ/NA)로 주며, 제2부 스페이스의 폭을 S2=W2×m×(λ/NA)로 주고, 여기서 λ는 광원(9)에서 방사된 광의 파장을 나타내며, NA는 렌즈(3)의 개구수를 나타내고, 1/m은 감소된 투영배율을 나타내며, D1은 0.7내지 0.8, D2는 1.2 내지 1.3, w는 0.3 내지 0.4, W1은 0.2 내지 0.3, W2는 0.2 내지 0.3으로 됨을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  7. 제6항에 있어서, 제1단계에서 사용된 광원(9)은 상기 광학 마스크(4,104)와 수직인 투영광축에 소정의 각도(δ)를 갖고, 상기 광학마스크(4,104)를 조사하고 σ`=sinδ/(NA/m)일 경우, σ`는 0.6내지 0.7이 됨을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  8. 투영 광학 마스크에 있어서, 광원(9)으로부터 나온 광은 투영 광학마스크(4,104)를 조사하고, 상기 투영 광학 마스크(4,104)를 통해 투과된 영상이 렌즈(3)를 경유해 포토레지스트 막(2)에 투영되도록 하기 위하여, 상기 투영광학 마스크(4,104)는 바람직한 패턴을 갖고 광을 투과하는 주 스페이스(65,106); 및 상기 주 스페이스(6,106)와 근접 설치되어 광을 투과하는 적어도 하나의 부 스페이스(7,110,111)를 포함하고, 상기 부 스페이스(7,110,111)는 부 스페이스의 투과당 단독으로 포토레지스트막(2)을 노광시킬수 없을 정도의 좁은 폭으로 이루어짐을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 주 스페이스(9)와 부 스페이스(7)의 중심위치 사이의 거리는 (λ/NA)×m×L로 주어지며, 여기서, λ는 상기 광원(9)에서 방사된 광의 파장을 나타내며, NA는 상기 렌즈(3)의 개구수를 나타내고, 1/m은 감소된 투영배율을 나타내며, L은 0.7내지 0.8이 됨을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
  10. 제8항에 있어서, 상기 부 스페이스(110,111)는 적어도 하나의 제1부 스페이스(110)와 제2부 스페이스(111)로 이루어짐을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
  11. 제10항에 있어서, 주 스페이스(106)와 제1부 스페이스(110)의 중심위치 사이의 거리는 d1=D1×m×(λ/NA)로 주어지고, 주 스페이스(106)와 제2부 스페이스(111)의 중심위치 사이의 거리는 d2=D2×m×(λ/NA)로 주어지며, 주 스페이스(106)의 폭은 S=W×m×(λ/NA)로 주어지고, 제1부 스페이스(110)의 폭은 S1=W1×m×(λ/NA)로 주어지며, 제2부 스페이스(111)의 폭은 S2=W2×m×(λ/NA)로 주어지고, 여기서 λ는 광원(9)에서 방사된 광의 파장을 나타내며, NA는 렌즈(3)의 개구수를 나타내고, 1/m은 감소된 투영배율을 나타내며, D1은 0.7내지 0.8, D2는 1.2 내지 1.3, w는 0.3 내지 0.4, W1은 0.2 내지 0.3, W2는 0.2 내지 0.3으로 됨을 특징으로 하는 투영 노광 방법
  12. 제8항 내지 제11항중 어느 하나에 있어서, 상기 부 스페이스(7,110,111)는 상기 주 스페이스(6,106)의 양측에 설치됨을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
  13. 제8항 내지 제11항중 어느 하나에 있어서, 상기 부 스페이스(7,110,111)는 상기 주 스페이스(6,106)의 편측에만 설치됨을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
  14. 제8항 내지 제11항중 어느 하나에 있어서, 상기 주 스페이스(6,106)는 선 및 공간 패턴의 일부로서 선 및 공간 패턴의 끝에 설치되고, 상기 부 스페이스(7,110,111)는 선 및 공간 패턴이 제공된 측과 반대편에 있는 주 스페이스의 편측에 설치됨을 특징으로 하는 투영 노광용 광학 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920002401A 1991-02-19 1992-02-18 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크 KR960010023B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4539491 1991-02-19
JP91-45394 1991-02-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920017180A true KR920017180A (ko) 1992-09-26
KR960010023B1 KR960010023B1 (ko) 1996-07-25

Family

ID=12718050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920002401A KR960010023B1 (ko) 1991-02-19 1992-02-18 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5418093A (ko)
EP (1) EP0500456B1 (ko)
KR (1) KR960010023B1 (ko)
DE (1) DE69225347T2 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
JP3194155B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JP3210123B2 (ja) * 1992-03-27 2001-09-17 キヤノン株式会社 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
CA2132005A1 (en) * 1992-04-06 1993-10-14 Jang Fung Chen Method for improved lithographic patterning in a semiconductor fabrication process
USRE36475E (en) * 1993-09-15 1999-12-28 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method of forming a via plug in a semiconductor device
JPH09167753A (ja) * 1995-08-14 1997-06-24 Toshiba Corp 半導体基板の表面の平坦化方法とその装置
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
KR100229611B1 (ko) * 1996-06-12 1999-11-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
US5786114A (en) * 1997-01-10 1998-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase shift mask with halftone boundary regions
US6440644B1 (en) 1997-10-15 2002-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Planarization method and system using variable exposure
JP3119217B2 (ja) * 1997-10-31 2000-12-18 日本電気株式会社 フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法
US6947025B2 (en) * 2001-10-09 2005-09-20 Seiko Epson Corporation Lighting apparatus and projection type display, and driving method therefore
KR100596801B1 (ko) * 2005-05-18 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조용 포토마스크

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1154327B (de) * 1962-10-27 1963-09-12 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von Mikromasken
IT939738B (it) * 1970-08-12 1973-02-10 Rank Organisation Ltd Dispositivo di illuminazione per la stampa fotolitografica dei componenti di microcircuiti
DE2835363A1 (de) * 1978-08-11 1980-03-13 Siemens Ag Verfahren zum uebertragen von strukturen fuer halbleiterschaltungen
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
US5130213A (en) * 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
JP2697746B2 (ja) * 1989-09-01 1998-01-14 富士通株式会社 投影露光装置用光学マスク

Also Published As

Publication number Publication date
EP0500456B1 (en) 1998-05-06
DE69225347T2 (de) 1998-09-03
DE69225347D1 (de) 1998-06-10
US5418093A (en) 1995-05-23
KR960010023B1 (ko) 1996-07-25
EP0500456A1 (en) 1992-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920017180A (ko) 투영노광(投影露光)방법 및 투영노광용 광학 마스크
US4891663A (en) Projection exposure apparatus
KR950033695A (ko) 광학 인테그레이터 및 이를 사용한 투영 노광 장치
EP0713142A2 (en) Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
KR930003250A (ko) 주사, 링 필드 리덕션 투사장치
KR920020229A (ko) 투영노광방법 및 그 사용시스템
KR900017127A (ko) 마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법
KR900008299A (ko) 조명방법 및 그 장치와 투영식 노출방법 및 그 장치
KR960001905A (ko) 조명 광학 장치 및 그를 사용하는 주사형 노광 장치
KR920013645A (ko) 투영노광방법
KR950001857A (ko) 주사 노광 장치
KR960009236A (ko) T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크
KR950006541A (ko) 감소형 투영 프린팅 장치에 사용되는 공간 필터
KR960032099A (ko) 투영 광학 시스템 및 그 투영 광학 시스템을 갖는 투영 노광 장치
JPH03141354A (ja) 露光マスク及び露光方法
KR910013432A (ko) 투영노광장치
JPS60158449A (ja) 露光装置
US5434647A (en) Projector for exposing photosensitive substrate
KR970028856A (ko) 투영노광 장치 및 노광방법
KR930018323A (ko) 투영 노출 장치 및 그것을 사용하는 패턴 형성 방법
KR100702792B1 (ko) 반도체 제조용 노광 장치
KR940005965A (ko) 광학 노광 방법
KR0160857B1 (ko) 반도체장치의 미세패턴을 형성하기 위한 노광방법
KR960035153A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크
KR970022529A (ko) 투과율 조절 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110617

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term