KR920015967A - 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명방법의 실시예를 설명하기 위한 시스템의 1예의 설명도, 제2도는 제1도의 플라즈마 표면처리장치의 1예의 설명도, 제3도는 제1도의 CO모니터의 설명도, 제4도는 웨이퍼 매수마다의 애씽시에 있어서의 CO농도변화를 나타내는 특성곡선도, 제5도는 플라즈마 표면처리장치의 다른 예의 설명도, 제6도는 플라즈마 표면처리장치의 또 다른 예의 설명도, 제7도는 플라즈마 표면처리장치의 또 다시 다른 예의 설명도.

Claims (20)

  1. 피처리체가 수용되는 처리용기내에서 소정의 가스와 소정의 고주파 전계를 작용시켜서 가스 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생공정과; 상기 가스 플라즈마에 의하여 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리를 실행시키면서, 상기 처리용기내의 가스를 배기하는 배기공정과; 상기 처리용기로부터 배기되는 가스에 함유된 가스성분중, 상기 피처리체에 대한 프라즈마 처리에 의하여 생성되는 특징의 가스성분의 농도를 감시하는 감시 공정과; 를 포함하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 특정의 가스성분의 농도의 감시결과에 따라서 상기 플라즈마처리의 종점을 검출하는 종점 검출과정을 추가로 포함되는 플라즈마 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리용기 내에 피처리체를 수용하지 않고, 상기 각 공정을 실행함으로써, 상기 처리용기를 포함하는 플라즈마 처리장치에 고유한 상기 특정가스성분의 농도치를 미리 측정하는 예측공정과; 상기 측정결과를 정상치와 비교함으로써, 상기 플라즈마 처리장치의 이상, 정상을 첵크하는 첵크공정과; 을 추가로 포함하는 플라즈마 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마 처리는 반도체 웨이퍼의 레지스트 막에 대한 애씽처리를 포함하는 플라즈마 처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마 처리는 반도체 웨이퍼의 형성막에 대한 에칭처리를 포함하는 플라즈마 처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감시공정에 있어서의 특정의 가스성분의 감시는 적외선 흡수를 이용한 모니터에 의하여 실행되는 플라즈마 처리방법.
  7. 피처리체가 수용되는 처리용기내에서 소정의 가스와 소정의 고주파 전계를 작용시켜서 가스플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생수단과; 상기 플라즈마 발생수단에 의하여 발생되는 상기 가스플라즈마에 의하여 피처리체에 대한 플라즈마처리를 실행시키면서, 상기 처리용기내의 가스를 배기하는 배기수단과; 상기 배기수단에 의하여 상기 처리용기로 부터 배기되는 가스에 함유된 가스성분중, 상기 피처리체에 대한 플라즈마 처리에 의하여 생성되는 특징의 가스성분의 농도를 감시하는 감시수단과; 로 구성되는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 감시수단에 의한 상기 특정의 가스성분의 농도의 감시결과에 따라 상기 플라즈마처리의 종점을 검출하는 종점검출수단이 추가로 구성되는 플라즈마 처리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리는 반도체 웨이퍼의 레지스트막에 대한 애씽처리를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리는 반도체 웨이퍼의 형성막에 대한 에칭처리를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 감시수단은 적외선 흡수를 이용한 모니터를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 모니터는, 상기 특정의 가스성분의 농도변화에 대응하는 출력을 빼내는 제1의 검출부와, 상기 특정가스 성분의 농도 변화에 관계하지 않는 출력을 빼내는 제2의 검출부와, 상기 제1 및 제2의 검출부로 부터의 출력의 차를 빼내는 신호처리부를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 배기수단은 진공 드라이펌프를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  14. 각각 대응하는 한끝단이 트인 이중구조로 된 아우터튜브와 인너튜브를 가지고, 상기 인너튜브는 그 둘레를 여러개로 등분한 여러개의 각 위치에 형성된 다수의 구멍을 가짐과 동시에, 상기 인너튜브의 외주면을 덮고 또한 상기 인너튜브에 형성되는 상기 다수의 구멍의 형성위치와는 서로 어긋난 위치에 형성되는 다수의 구멍을 가지는 에치터널부재가 설치되는 처리용기와; 상기 처리용기의 아우터튜브와 인너튜브와의 개구부를 유지함과 동시에, 상기 인너튜브내에 삽입할 피처리체의 수용부재를 유지하는, 상기 매니홀드수단은 상기 처리용기내의 가스를 배기하기 위한 배기수단이 설치되어 있는 매니홀드 수단과; 상기 처리용기의 아우터튜브와 인너튜브와의 사이에 플라즈마 발생용 가스를 도입하는 인젝터수단과; 상기 처리용기의 아우터튜브의 외주를 둘러싸듯이 설치되는 것으로서, 상기 아우터튜브와 인너튜브와의 사이에 도입되는 플라즈마 발생용 가스에 소정의 고주파 전체를 작용시킴으로써, 가스 플라즈마를 발생시켜서 상기 인너튜브내에 삽입되는 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리를 야기시크는 1쌍의 전극수단과; 로 구성되는 플라즈마 처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 감시수단에 의한 상기 특정의 가스성분의 농도의 감시결과에 따라 상기 플라즈마처리의 종점을 검출하는 종검출수단을 추가로 구성하는 플라즈마 처리장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리는 반도체 웨이퍼의 레지스트막에 대한 애씽처리를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 피처리체에 대한 플라즈마처리는 반도체 웨이퍼의 형성막에 대한 에칭처리를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 감시수단은 적외선흡수를 이용한 모니터를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 모니터는, 상기 특정의 가스성분의 농도변화에 대응하는 출력을 빼내는 제1의 검출부와, 상기 특정가스성분의 농도변화에 관계하지 않는 출력을 빼내는 제2의 검출부와, 상기 제1 및 제2의 검출부로 부터의 출력의 차를 빼내는 신호처리부를 포함하는 플라즈마 처리장치.
  20. 제14항에 있어서, 상기 배기수단은 진공 드라이펌프를 포함하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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