KR0170435B1 - 오염 원소 농도 분석 방법 - Google Patents

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Abstract

관측 파형에 피크 깨짐이 있어도 정확한 피크 분리를 행할 수 있는 오염 원소 농도 분석 장치를 제공한다.
피크 분리 수단이 관측 파형으로부터 오염 원소의 피크를 검출하는 제1피크 검출 수단과, 제1피크 검출 수단에서 검출된 피크로부터 소정 채널수 내에 다른 피크가 존재하는가의 여부를 검출하는 제2피크 검출 수단과, 제2피크 검출 수단이 다른 피크를 검출한 경우에 각 피크 사이에 위치하는 채널 번호와 신호 강도를 추출하는 채널 추출 수단과, 각 피크를 참의 피크라고 가정한 경우의 각각에 관한 평가량 Yi= Σi│P-Pi│x Ci(P; 가정한 참의 피크의 채널 번호, Pi; 피크 간 채널의 채널 번호, Ci; 채널 번호 Pi의 신호 강도)를 산출하는 평가량 연산 수단과, 평가량 연산 수단에서 산출된 평가량 Yi를 비교해서 이 평가량 Yi가 최소가 되는 피크를 참의 피크로 판정하는 피크 판정 수단을 구비한다.

Description

오염 원소 농도 분석 방법
제1도는 본 발명의 하나의 실시예에 관한 오염 원소 농도 분석 장치에서의 검출기 및 연산 처리 회로의 구성을 도시한 블럭도.
제2도는 제1도에 도시한 피크 분리 회로의 처리 순서를 도시한 플로우차트.
제3도는 제1도에 도시한 피크 분리 회로의 처리 결과의 일례를 도시한 그래프.
제4도는 종래의 오염 원소 농도 분석 장치의 하나의 구성예를 도시한 개념도.
제5도는 제4도에 도시한 펄스 프로세서의 출력 파형을 도시한 그래프.
제6a도는 제4도에 도시한 펄스 프로세서의 출력 파형의 일부를 도시한 그래프이고, 제6b도는 제6a도에 도시한 출력 파형을 피크 분리한 결과를 도시한 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 피크 분리 회로 12 : 적분 강도 산출 회로
13 : 오염 원소 농도 판정 회로 46 : 검출기
47 : 펄스 프로세서 48 : 연산 처리 회로
본 발명은 전반사 형광 X선 분석을 이용하여 예를 들면 반도체 기판 등의 오염 원소 농도를 측정하는 오염 원소 농도 분석 방법 및 장치에 관한 것이다.
종래, 비파괴형 오염 원소 농도 분석 장치로서 전반사 형광 X선 분석을 이용한 것이 알려져 있다(시마자끼 아야꼬, 미야자끼 구니히로; 니께이 마이크로 디바이스 1992년 8월호, No.86, pp. 148 참조). 또, 전반사 형광 X선 분석을 이용한 오염 원소 농도 분석 장치로서는 에너지 분산형 장치나 파장 분산형 장치가 알려져 있다. 이와 같은 전반사 형광 X선 분석을 이용한 오염 원소 농도 분석 장치를 사용함으로써 오염 원소 농도의 분석을 비파괴로 행할 수 있으므로, 실리콘 웨이퍼의 오염에 대한 관리를 반도체 제조 공정 중에 행할 수 있게 되고, 이러한 오염의 저감을 도모하는 데 유효하다.
제4도는 에너지 분산형 전반사 형광 X선 분석을 이용한 오염 원소 농도 분석 장치의 한 구성예를 도시한 개념도이다.
같은 도면에 있어서, 진공 챔버(41) 내에는 시료대(42)가 설치되어 있고, 이 시료대(42) 위에는 시료(여기서는 실리콘 웨이퍼; 43)가 놓여 있다. 그리고, 회전쌍음극형 X선원(線源; 44)에서 발생한 X선이 모노크로미터(45)에서 단색화되며, 슬릿(49)를 통과하여 전반사하는 것과 같은 각도로 시료(43)에 조사된다. 이에 의하여, 상기 시료(43)의 표면에서 형광 X선이 발생된다. 이 형광 X선은 검출기(예를 들면 반도체 검출기; 46)에서 검출되고 전기 신호로 변환된다. 이와 같이 하여 검출된 형광 X선의 신호를 펄스 프로세서(47)에 의해서 처리함으로써 제5도에 도시한 바와 같은 관측 파형을 얻을 수 있다. 제5도에서, 횡축은 검출된 형광 X선의 에너지, 종축은 형광 X선의 신호 강도[검출기(46)에 입사된 광자수에 따른 상대적인 강도]이다. 같은 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 그래프의 관측 파형은 실리콘 웨이퍼(43)에 함유되는 원소(실리콘 및 오염 원소)마다 피크를 갖고 있다. 또, 각 피크의 적분 강도(피크 부분의 면적에 상당함)는 해당 원소의 농도에 비례하고 있다.
연산 처리 회로(48)은 형광 X선의 적분 강도와 농도의 관계를 나타낸 정보를 오염 원소마다 기억하고 있다. 이 정보는 일반적으로 「검량선」이라 불린다. 그리고, 연산 처리 회로(48)은 먼저, 펄스 프로세서(47)로부터 입력된 관측 파형(제5도 참조)으로부터 농도 검출을 행하는 오염 원소의 피크를 분리하고, 다음으로 분리된 피크의 적분 강도를 산출해서 이 적분 강도와 검량선에 의해 오염 원소 농도를 구한다.
여기서, 종래, 오염 원소의 피크의 분리는 이하와 같이 하여 행하고 있다.
① 최초에 관측 파형(제5도 참조)을 이용하여 피크 검출을 행한다. 이 피크 검출은 예를 들면 우선 관측 파형에 평활화 미분 처리를 실시하여 3차 미분 파형을 구하고, 다음으로 이 3차 미분 파형 중에서 영점을 검출하며, 최후에 이 영점 중에서 2차 미분값이 극소값으로 되며 관측 파형의 형광 X선 강도가 소정값 이상이 되는 점을 검출함으로써 행한다.
② 검출된 각 피크에 대하여 각각 피크 위치, 피크 높이, 반값 반폭(半値半幅) 등의 가정치를 설정한다.
③ 그리고, 이러한 피크 위치, 피크 높이, 반값 반폭 등을 파라미터로 한 모델 함수를 이용해서 상술한 가정값을 초기값으로 한 비선형 최적화 처리를 행하고, 이 모델 함수와 관측 파형부의 잔차(殘差) 2승합이 최소가 되는 것과 같은 피크 위치, 피크 높이, 반값 반폭을 구한다.
이와 같은 방법에 의해 원하는 오염 원소의 피크를 분리시킬 수 있게 된다.
그러나, 종래의 오염 원소 농도 분석 장치의 피크 분리에는, 관측 파형의 왜곡(즉, 파형의 피크 깨짐)이 존재하는 경우에 복수의 피크의 중첩이라고 판단하여 버린다는 결점이 있었다. 제6a도는 Fe 및 Ni의 관측 파형(제5도에서 에너지가 6.89 내지 8.01eV)을 나타낸 것으로, a1은 Ni의 Kα선의 피크 파형, a2는 Fe의 Kβ선의 피크 파형이다. 이와 같은 피크 깨짐이 존재하는 경우에는 제6a도에 도시한 피크 a1은 제6b도에 도시한 피크 b1과 피크 b1'의 중첩이라고 판단하여버리고, 제6a도에 도시한 피크 a2는 제6b도에 도시한 피크 b2와 피크 b2'의 중첩이라고 판단되어 버린다.
이와 같이 피크 깨짐이 있는 파형을 복수의 피크의 중첩이라고 판단하는 것 자체는 종래의 방법에서는 정상적인 처리 결과이지만, 이와 같은 근접한 피크의 중첩은 실제로는 존재하지 않는 것으로, 피크의 개수를 잘못 검출하게 되어 버린다.
또, 피크 깨짐이 있는 파형을 복수의 피크의 중첩이라고 판단한 경우, 검출된 피크의 피크 높이나 반값 반폭의 판정 오차가 생긴다. 이 때문에, 다음 단계에서 상기 피크의 적분 강도를 산출할 때 오차가 생기고, 이에 따라 농도 분석의 결과에도 오차가 생겨 버린다.
본 발명은 이와 같은 종래 기술의 결점을 감안해서 이루어진 것으로, 관측 파형에 피크 깨짐이 있어도 정확한 피크 분리를 행할 수 있는 오염 원소 농도 분석 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 오염 원소 농도 분석 장치는 기판 표면에서 발생한 형광 X선 파형을 검출하는 검출 수단, 이 검출기로부터 출력된 신호 파형으로부터 피분석 오염 원소의 피크를 분리시키는 피크 분리 수단, 상기 피크 분리 수단에 의해서 분리된 상기 피크를 이용해서 상기 피검출 오염 원소의 농도를 검출하는 농도 검출수단을 갖는 오염 원소 분석 장치에 있어서, 상기 피크 분리수단이 상기 검출 수단으로부터 입력된 파형으로부터 상기 피검출 오염원소의 피크를 검출하는 제1피크 검출 수단, 상기 제1피크 검출 수단에서 검출된 피크를 중심으로 해서 소정의 채널수내에 다른 피크가 존재하는가의 여부를 검출하는 제2피크 검출 수단, 상기 제2피크 검출 수단이 다른 피크를 검출한 경우에 각 피크 사이에 위치하는 채널 번호와 신호 강도를 추출하는 채널 추출 수단, 이들 각 피크를 참의 피크라고 가정한 경우의 각각에 대한 평가량 Yi
Yi= Σi│P-Pi│ × Ci
P; 가정한 참의 피크의 채널 번호
Pi; 피크 간 채널의 채널 번호
Ci; 채널 번호 Pi의 신호 강도
를 산출하는 평가량 연산 수단, 및 상기 평가량 연산 수단에서 각 평가량 Yi를 비교해서 이 평가량 Yi가 최소가 되는 경우의 피크를 참의 피크로 판정하는 피크 판정 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 근접해서 복수의 피크가 존재하지 않는가의 여부를 제1피크 검출 수단 및 제2피크 검출 수단을 이용해서 판단하고, 근접해서 복수의 피크가 존재하는 경우에는 각 피크의 평가량 Yi를 평가량 연산 수단에 의해서 산출하고, 이들 평가량 Yi를 피크 판정 수단에서 비교해서 상기 평가량 Yi가 최소가 되는 경우의 피크를 참의 피크라고 판정하도록 한 것에 의해서, 관측 파형에 피크 깨짐이 있어도, 정확한 피크 분리를 행할 수 있다.
이하, 본 발명에 관한 오염 원소 농도 분석 장치의 하나의 실시예에 관해 실리콘 웨이퍼의 오염 원소를 분석하는 경우를 예로 들어 설명한다.
본 실시예에 관한 오염 원소 농도 분석 장치의 구성은 연산 처리 회로(48)에서 실행되는 피크 분리 처리 내용이 제4도에 도시한 종래의 장치와 다르다.
제1도는 본 실시예에 관한 오염 원소 농도 분석 장치에서의 검출기 및 연산 처리 회로의 구성을 도시한 블럭도이다.
실리콘 웨이퍼(43; 제1도 참조; 본 발명의 「기판」에 해당함)의 표면에서 발생한 형광 X선은 제1도에 도시한 예를 들면 반도체 검출기 등의 검출기(46)에 입사된다. 검출기(46)은 입사된 형광 X선을 전기 신호로 변환시켜서 출력한다. 이 전기신호는 펄스 프로세서(47)에 입력되어 종래와 같은 관측 파형(제5도를 참조)을 얻는다.
상기 관측 파형은 연산 처리 회로(48) 내의 피크 분리 회로(1)에 입력된다. 상기 피크 분리 회로(11)는 후술하는 바와 같이 해서 입력된 관측 파형으로부터 농도 검출의 대상이 되는 오염 원소의 피크를 분리시킨다.
이와 같이 해서 분리된 각 피크의 정보는 적분 강도 산출 회로(12; 제1도 참조)에 입력된다. 상기 적분 강도 산출 회로(12)는 오염 원소의 피크의 적분 강도를 산출한다. 그리고, 산출된 적분 강도는 오염 원소 농도 판정 회로(13)에 보내진다.
오염 원소 농도 판정 회로(13)은 내부 메모리(도시하지 않음)에 검량선을 기억하고 있고, 입력된 적분 강도에 해당하는 오염 원소 농도를 이 검량선으로부터 판단해서 판단 결과를 출력한다.
다음으로, 제1도에 도시한 피크 분리 회로(11)에 관해 보다 상세히 설명한다.
제2도는 피크 분리 회로(11)의 처리 순서를 도시한 플로우차트이다.
우선, 펄스 프로세서(47)로부터 피크 분리 회로(11)에 관측 파형이 입력되면, 이 피크 분리 회로는 입력된 관측 파형으로부터 분석을 행하는 오염 원소의 피크를 검출한다(스텝 S21). 상기 피크 검출은 우선, 관측 파형에 평활화 미분 처리를 실시하여 3차 미분 파형을 구하고, 다음으로 상기 3차 미분 파형 중에서 영점을 검출하며, 최후에 상기 영점 중에서 2차 미분값이 극소값이 되고 관측 파형의 형광 X선 강도가 소정값(본 실시예에서는 검출 영역 내에서의 최대값의 10%로 함) 이상이 되는 점을 검출함으로써 행한다.
다음으로, 스텝 S21에서 검출된 피크를 중심으로 해서 전후 10채널 내에 다른 피크가 존재하는가의 여부를 검출한다(스텝 S22). 여기서, 본 실시예에서는 1채널을 10eV로 한다. 전후 10채널 내에 다른 피크가 존재하지 않는 경우에는 검출된 피크에 대하여 피크 위치, 피크 높이, 반값 반폭 등의 가상치를 설정하고(스텝 S23), 후술하는 스텝 S29를 실행한다.
한편, 스텝 S22에서 전후 10 채널 내에 다른 피크가 존재하는 경우에는, 각 피크 간에 위치하는 채널 번호와 신호 강도를 추출한다(스텝 S24). 그리고, 이들 각 피크를 참의 피크라고 가정한 경우의 각각에 대한 평가량 Yi
Yi= Σi│P-Pi│ × Ci
P; 가정한 참의 피크의 채널 번호
Pi; 피크 간 채널의 채널 번호
Ci; 채널 번호 Pi의 신호 강도
를 산출한다(스텝 S25). 이어서, 이와 같이 하여 산출된 각 평가량 Yi를 비교하여 이 평가량 Yi가 최소가 되는 경우의 피크를 참의 피크라고 판정하고, 이 참의 피크의 피크 위치를 구한다(스텝 S26).
다음으로, 피크의 반값 반폭을 판단한다(스텝 S27). 본 실시예에서는 상술한 스텝 S21 및 스텝 S22에서 검출된 각 피크의 반값 반폭 중, 최대인 것을 참의 반값 반폭으로서 채용한다.
이어서, 피크 높이를 판단한다(스텝 S28). 본 실시예에서는 상술한 스텝 S26에서 판정된 참의 피크의 피크 위치에서의 신호 강도를 Pp, 해당 피크의 측정 파형의 면적을 A0, 해당 피크의 모델 파형 면적을 Ag로 해서 Px= Ppx (A0/Ag)가 되는 연산을 행함으로써 피크 높이 Px를 산출한다. 또한, 모델 파형은 예를 들면 가우스 함수를 가정해서 구축할 수 있다.
그리고, 피크 위치, 피크 높이 및 반값 반폭을 파라메타로 한 모델 함수를 이용해서 스텝 S23 또는 스텝 S26 내지 S28에서 구한 각 값을 초기값으로 한 비선형 최적화 처리를 행하고, 상기 모델 함수와 관측 파형의 잔차 2승합이 최소가 되는 피크 위치, 피크 높이, 반값 반폭 등을 구한다(스텝 S29).
이상과 같이 해서 원하는 오염 원소의 피크를 분리시킬 수 있다.
제3도는 본 실시예의 피크 분리 회로(11)을 이용해서 제6a도에 도시한 바와 같은 관측 파형의 피크 분리를 행한 결과를 도시한 도면이다. 제3도에서 b1''는 Ni의 Kα선 a1의 피크 분리에 의해 얻어진 파형이고, b2''는 Fe의 Kβ선 a2의 피크 분리에 의해 얻어진 파형이다
본 실시예의 피크 분리 회로(11)을 이용해서 제6a도에 도시한 바와 같은 관측 파형의 피크 분리를 행한 결과, Fe의 Kβ의 반값 반폭이 170eV이고, Ni의 Kα선의 반값 반폭은 180eV였다. 이들 값은 에너지 분해능을 고려하면, 타당한 값이라고 생각된다.
또, 종래는 파형의 피크 깨짐이 발생하고 있는 경우에는 수 채널분의 피크 위치의 변이가 발생했으나, 본 실시예에 있어서는 Fe의 Kβ선의 피크 위치는 6.398keV, Ni의 Kα선의 피크 위치는 7.470keV이며, 피크 위치의 변이는 없었다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 파형의 왜곡(즉, 파형의 피크 깨짐)이 존재하는 경우에도 복수의 피크의 중첩이라고 판단해버리는 경우는 없으므로, 피크의 개수를 잘못 검출하는 경우는 없다. 또, 피크의 중첩이라고 판단해버리는 것에 기인한 피크 높이나 반값 반폭의 판정 오차가 생기지 않으므로, 적분 강도 검출 회로(12; 제1도 참조)에서 상기 피크의 적분 강도를 산출할 때 오차가 생기지 않고, 따라서 농도 분석 결과에 오차가 생기지도 않는다.
또한, 본 실시예에서는 비선형 최적화 처리로서 단체법(Simplex법)을 채용했으나, 예를 들면 DFP법 등 다른 방법도 된다.
또, 본 실시예에서는 1채널을 10eV로 하고, 스텝 S21에서 검출된 피크를 중심으로 하여 전후 10채널 내에 다른 피크가 존재하는가의 여부를 검출하였으나(스텝 S22), 1채널의 폭이나 다른 피크의 유무를 검출하는 폭(채널수)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 즉, 1채널을 5eV로 하여 전후 20채널 내에 다른 피크가 존재하는가의 여부를 검출하여도 다른 피크의 유무를 검출하는 폭은 전후 100eV로서 완전히 동일하다. 또, 다른 피크의 유무를 검출하는 폭을 전후에서 몇 eV로 하는가는 각 오염 원소의 피크의 이산폭에 따라 결정하면 되는 것으로, 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 오염 원소 농도 분석 장치에 따르면 관측 파형에 피크 깨짐이 있어도 정확한 피크 분리를 행할 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 관측 파형에 피크 깨짐이 있는 경우라도 고정밀도로 오염 원소 농도 분석을 행할 수 있는 오염 원소 농도 분석 장치를 제공할 수 있다.

Claims (2)

  1. 오염 원소의 농도를 분석하는 방법에 있어서, 분석될 기판상에 X선을 소정의 입사 각도로 조사하는 단계, 상기 조사된 X선의 분석될 기판 표면으로부터 전반사될 때 원소들에 의해서 발생된 형광 X선의 관측 파형을 검출하는 단계, 상기 얻어진 관측 파형으로부터 분석될 오염 원소의 피크를 검출하는 단계, 상기 검출된 피크를 중심으로 하여 소정의 채널수 내에 다른 피크가 존재하는지의 여부를 검출하는 단계, 상기 다른 피크가 검출된 경우에, 각 검출된 피크 위치들간의 채널 번호 및 신호 강도를 추출하는 단계, 각각의 검출된 피크를 참피크라고 가정한 경우의 평가량 Yi, 즉 Yi= Σi│P-Pi│× Ci(여기서, P: 가정한 참의 피크의 채널 번호, Pi: 피크 간 채널의 채널 번호, Ci: 채널 번호 Pi의 신호 강도)를 산출하는 단계, 상기 산출된 평가량 Yi을 서로 비교하여 최소의 평가량 Yi을 가진 피크를 참의 피크라고 판정하는 단계, 상기 판정된 피크에 따라서 상기 관측된 파형으로부터 분석되리 오염 원소의 피크를 분리하는 단계, 및 상기 분리된 피크에 따라서 상기 분석될 오염 원소의 농도를 산출하는 단계를 포함하는 오염 원소 농도 분석 방법.
  2. 제1항에 있어서, 각 검출된 피크의 반값 중에서 변이 내의 그의 피크 위치로부터의 최대 변이를 참의 최대의 반폭 반값으로서 결정하는 단계, 및 피크 높이 Px를 Px= Ppx (A0/Ag)(여기서, Pp; 결정된 참 피크에서의 신호 강도, A0; 상기 피크에서의 파형의 피크 면적, Ag; 상기 피크에서의 모델 파형의 피크 면적)에 따라서 산출하는 단계를 더 포함하는 오염 원소 농도 분석 방법.
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JP93-295405 1993-11-25

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19618774A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Helmut Fischer Gmbh & Co Röntgenfluoreszenz-Verfahren zum Bestimmen der Zusammensetzung eines Materiales sowie Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens
JP3428931B2 (ja) * 1998-09-09 2003-07-22 キヤノン株式会社 フラットパネルディスプレイの解体処理方法
US7489596B2 (en) * 2005-09-13 2009-02-10 International Business Machines Corporation Methods and apparatus capable of indicating elapsed time intervals
JP5248249B2 (ja) * 2008-09-17 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラム
JP7130267B2 (ja) 2020-09-03 2022-09-05 株式会社リガク 全反射蛍光ｘ線分析装置及び推定方法
CN115763616B (zh) * 2023-01-06 2023-05-02 威海栖桐科技发展有限公司 X射线探测器、在线矿石成分分析设备及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5249216B1 (en) * 1989-10-19 1996-11-05 Sumitomo Electric Industries Total reflection x-ray fluorescence apparatus
JP2592723B2 (ja) * 1991-04-01 1997-03-19 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線スペクトルの同定解析装置および方法
JPH071311B2 (ja) * 1991-04-05 1995-01-11 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線スペクトルのピーク分離方法
JP2928688B2 (ja) * 1992-09-07 1999-08-03 株式会社東芝 汚染元素分析方法及び装置
JP3052272B2 (ja) * 1992-10-17 2000-06-12 株式会社堀場製作所 スペクトル処理を用いた蛍光ｘ線定性分析方法

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