JP3192846B2 - 汚染元素濃度分析方法および分析装置 - Google Patents

汚染元素濃度分析方法および分析装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、全反射蛍光X線分析を
用いて例えば半導体基板等の汚染元素濃度を測定する汚
染元素濃度分析方法および装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、非破壊型の汚染元素濃度分析装置
として、全反射蛍光X線分析を用いたものが知られてい
る(嶋崎綾子、宮崎邦浩:日経マイクロデバイス1992 8
月号,No86,pp.148 参照)。また、全反射蛍光X線分
析を用いた汚染元素濃度分析装置としては、エネルギー
分散型の装置や波長分散型の装置が知られている。この
ような全反射蛍光X線分析を用いた汚染元素濃度分析装
置を使用することにより、汚染元素濃度の分析を非破壊
で行うことができるので、シリコンウエハの汚染に対す
る管理を半導体製造工程中に行うことが可能となり、か
かる汚染の低減を図る上で有効である。
【0003】図4は、エネルギー分散型の全反射蛍光X
線分析を用いた汚染元素濃度分析装置の一構成例を示す
概念図である。
【0004】同図において、真空チャンバ41内には試
料台42が設けられており、この試料台42上には試料
(ここではシリコンウエハ)43が載置されている。そ
して、回転対陰極型のX線源44で発生したX線が、モ
ノクロメータ45で単色化され、スリット49を通過し
て、全反射するような角度で試料43に照射される。こ
れにより、この試料43の表面で蛍光X線が発生する。
この蛍光X線は、検出器(例えば半導体検出器)46で
検出されて、電気信号に変換される。このようにして検
出された蛍光X線の信号を、パルスプロセッサ47で処
理することにより、図5に示したような観測波形が得ら
れる。図5において、横軸は検出された蛍光X線のエネ
ルギー、縦軸は蛍光X線の信号強度(検出器46に入射
された光子数に応じた相対的な強度)である。同図から
わかるように、このグラフの観測波形はシリコンウエハ
43に含有される元素(シリコンおよび汚染元素)ごと
にピークを有している。また、各ピークの積分強度(ピ
ーク部分の面積に相当する)は、当該元素の濃度に比例
している。
【0005】演算処理回路48は、蛍光X線の積分強度
と濃度との関係を示す情報を、汚染元素ごとに記憶して
いる。この情報は、一般に「検量線」と称されている。
そして、演算処理回路48は、まず、パルスプロセッサ
47から入力した観測波形(図4参照)から濃度検出を
行う汚染元素のピークを分離し、次に、分離されたピー
クの積分強度を算出して、この積分強度と検量線とによ
り汚染元素濃度を求める。
【0006】ここで、従来、汚染元素のピークの分離
は、以下のようにして行っていた。
【0007】最初に、観測波形(図4参照)を用いて
ピーク検出を行う。このピーク検出は、例えば、まず観
測波形に平滑化微分処理を施して3次微分波形を求め、
次にこの3次微分波形の中から零点を検出し、最後にこ
の零点の中で2次微分値が極小値となり且つ観測波形の
蛍光X線強度が所定値以上となる点を検出することによ
り、行われる。
【0008】検出された各ピークについて、それぞ
れ、ピーク位置、ピーク高さ、半値半幅等の仮の値を設
定する。
【0009】そして、かかるピーク位置、ピーク高さ、
半値半幅等をパラメータとしたモデル関数を用いて上述
の仮の値を初期値とした非線形最適化処理を行い、この
モデル関数と観測波形との残差二乗和が最小となるよう
なピーク位置、ピーク高さ、半値半幅等を求める。
【0010】このような方法により、所望の汚染元素の
ピークを分離させることが可能となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
汚染元素濃度分析装置のピーク分離には、観測波形の歪
み(すなわち、波形のピーク割れ)が存在する場合に、
複数のピークの重なりであると判断してしまうという欠
点があった。図6(a)は、FeおよびNiの観測波形
(図4においてエネルギーが6.89〜8.01eV)
を示すものであり、a1 はNiのKα線のピーク波形、
2 はFeのKβ線のピーク波形である。このようなピ
ーク割れが存在する場合には、図6(a)に示したピー
クa1 は同図(b)に示したピークb1 とピークb1
との重なりであると判断されてしまい、同図(a)に示
したピークa2 は同図(b)に示したピークb2 とピー
クb2 ′との重なりであると判断されてしまう。
【0012】このようにピーク割れのある波形を複数の
ピークの重なりであると判断すること自体は従来の方法
では正常な処理結果であるが、このような近接したピー
クの重なりは実際には存在しないものであり、ピークの
個数を誤って検出することになってしまっていた。
【0013】また、ピーク割れのある波形を複数のピー
クの重なりであると判断した場合、検出されたピークの
ピーク高さや半値半幅の判定誤差が生じる。このため、
次の段階でこのピークの積分強度を算出する際に誤差が
生じ、これにより濃度分析の結果にも誤差が生じてしま
う。
【0014】本発明は、このような従来技術の欠点に鑑
みてなされたものであり、観測波形にピーク割れがあっ
ても正確なピーク分離を行うことができる汚染元素濃度
分析方法および装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる汚染元素
濃度分析方法は、X線を分析対象基板に所定の入射角で
照射する過程と、分析対象基板表面から前記X線が全反
射したときに元素により発生した蛍光X線波形を検出す
る検出過程と、この検出器から出力された信号波形から
分析対象汚染元素のピークを検出するピーク検出過程
と、検出されたピークの前後の所定チャンネル数内に他
のピークが存在するか否かを検出する過程と、他のピー
クを検出した場合に、各ピーク間に位置するチャンネル
の番号と信号強度とを抽出する過程と、これらの各ピー
クを真のピークであると仮定した場合のそれぞれに付い
ての評価量Yi を Yi = Σi |P−Pi |×Ci ここで P : 仮定した真のピークのチャンネル番号 Pi : ピーク間のチャンネルのチャンネル番号 Ci : チャンネル番号Pi の信号強度 の式により算出する評価量演算過程と、この評価量演算
過程で算出された各評価量Yi を比較して、この評価量
i が最小となる場合のピークを真のピークであると判
定する過程と、分離された前記ピークを用いて前記被検
出汚染元素の濃度を算出する算出過程と、を備えたこと
を特徴とする。また、本発明に係わる汚染元素濃度分析
装置は、X線を分析対象基板に所定の入射角で照射させ
るX線照射手段と、分析対象基板表面から前記X線が全
反射したときに元素により発生した蛍光X線波形を検出
するX線検出手段と、このX線検出手段で検出された蛍
光X線検出波形から分析対象汚染元素により発生した蛍
光X線のピークを分離するピーク分離手段と、前記ピー
ク分離手段で分離されたピークに基づいて、分析対象汚
染元素の濃度を検出する濃度検出手段とを備え、前記分
離手段は、前記X線検出手段により検出された波形から
検出された汚染元素のピークを検出する第1のピーク検
出手段と、前記第1のピーク検出手段により検出された
ピークの前後の所定チャンネル数内に他のピークが存在
するか否かを検出する第2の検出手段と、前記第2のピ
ーク検出手段が他のピークを検出したとき、各ピーク間
に位置するチャンネルの番号と信号強度とを抽出する抽
出手段と、検出された各ピークが真のピークであると仮
定した場合のそれぞれについての評価量Yi を次の式 Yi = Σi |P−Pi |×Ci ここで P : 仮定した真のピークのチャンネル番号 Pi : ピーク間のチャンネルのチャンネル番号 Ci : チャンネル番号Pi の信号強度 により算出する評価量演算手段と、この評価量演算手段
で算出された各評価量Yi を比較して、最小評価量Yi
を持つピークを真のピークであると判定するピーク識別
手段と、を備えたことを特徴とする。
【0016】
【作用】本発明では、近接して複数のピークが存在しな
いかどうかを第1のピーク検出手段および第2のピーク
検出手段を用いて判断し、近接して複数のピークが存在
する場合には各ピークの評価量Yi を評価量演算手段で
算出し、これらの評価量Yi をピーク判定手段で比較し
てこの評価量Yi が最小となる場合のピークを真のピー
クであると判定することとしたので、観測波形にピーク
割れがあっても正確なピーク分離を行うことができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明に係わる汚染元素濃度分析装置
の一実施例について、シリコンウエハの汚染元素を分析
する場合を例にとって説明する。
【0018】本実施例に係わる汚染元素濃度分析装置の
構成は、演算処理回路48で実行されるピーク分離処理
の内容が、図4に示した従来の装置と異なる。
【0019】図1は、本実施例に係わる汚染元素濃度分
析装置における検出器および演算処理回路の構成を示す
ブロック図である。
【0020】シリコンウエハ43(図1参照;本発明の
「基板」に該当する)の表面で発生した蛍光X線は、図
1に示した例えば半導体検出器等の検出器46に入射さ
れる。検出器46は、入射した蛍光X線を電気信号に変
換して出力する。この電気信号はパルスプロセッサ47
に入力されて、従来と同様の観測波形(図4参照)が得
られる。
【0021】この観測波形は、演算処理回路48内のピ
ーク分離回路11に入力される。このピーク分離回路1
2は、後述するようにして、入力した観測波形から濃度
検出の対象となる汚染元素のピークを分離させる。
【0022】このようにして分離された各ピークの情報
は、積分強度算出回路12(図1参照)に入力される。
この積分強度算出回路12は、汚染元素のピークの積分
強度を算出する。そして、算出された積分強度は、汚染
元素濃度算出回路13に送られる。
【0023】汚染元素濃度算出回路13は、内部メモリ
(図示せず)に検量線を記憶しており、入力した積分強
度に該当する汚染元素濃度をこの検量線から判断して、
判断結果を出力する。
【0024】次に、図1に示したピーク分離回路11に
ついて、より詳細に説明する。
【0025】図2は、ピーク分離回路12の処理手順を
示すフローチャートである。
【0026】まず、パルスプロセッサ47からピーク分
離回路12に観測波形が入力されると、このピーク分離
回路は、入力した観測波形から、分析を行う汚染元素の
ピークを検出する(ステップS21)。このピーク検出
は、まず、観測波形に平滑化微分処理を施して3次微分
波形を求め、次に、この3次微分波形の中から零点を検
出し、最後に、この零点の中で2次微分値が極小値とな
り且つ観測波形の蛍光X線強度が所定値(本実施例では
検出領域内での最大値の10%とする)以上となる点を
検出することによって行われる。
【0027】次に、ステップS21で検出されたピーク
を中心として前後10チャンネル内に他のピークが存在
するか否かを検出する(ステップS22)。ここで、本
実施例では、1チャンネルを10eVとする。前後10
チャンネル内に他のピークが存在しなかった場合は、検
出されたピークについてピーク位置、ピーク高さ、半値
半幅等の仮の値を設定し(ステップS23)、後述する
ステップS28を実行する。
【0028】一方、ステップS22において前後10チ
ャンネル内に他のピークが存在する場合は、各ピーク間
に位置するチャンネルの番号と信号強度とを抽出する
(ステップS24)。そして、これらの各ピークを真の
ピークであると仮定した場合のそれぞれに付いての評価
量Yii = Σi |P−Pi |×Ci P ;仮定した真のピークのチャンネル番号 Pi ;ピーク間のチャンネルのチャンネル番号 Ci ;チャンネル番号Pi の信号強度 を算出する(ステップS25)。続いて、このようにし
て算出された各評価量Yi を比較して、この評価量Yi
が最小となる場合のピークを真のピークであると判定
し、この真のピークのピーク位置を求める(ステップS
26)。
【0029】次に、ピークの半値半幅を判断する(ステ
ップS27)。本実施例では、上述のステップS21お
よびステップS22で検出された各ピークの半値半幅の
うち、最大のものを真の半値半幅として採用する。
【0030】続いて、ピーク高さを判断する(ステップ
S28)。本実施例では、上述のステップ26で判定さ
れた真のピークのピーク位置における信号強度をPp
当該ピークの測定波形の面積をA0 、当該ピークのモデ
ル波形の面積Ag として、 Px = Pp ×(A0 /Ag ) なる演算を行うことにより、ピーク高さPx を算出す
る。なお、モデル波形は、例えばガウス関数を仮定して
構築することができる。
【0031】そして、ピーク位置、ピーク高さおよび半
値半幅をパラメータとしたモデル関数を用いて、ステッ
プS23またはステップS26〜S28で求めた各値を
初期値とした非線形最適化処理を行い、このモデル関数
と観測波形との残差二乗和が最小となるようなピーク位
置、ピーク高さ、半値半幅等を求める(ステップS2
9)。
【0032】以上のようにして、所望の汚染元素のピー
クを分離させることができる。
【0033】図3は、本実施例のピーク分離回路11を
用いて図6(a)に示したような観測波形のピーク分離
を行った結果を示す図である。図3において、b1 ″は
NiのKα線a1 のピーク分離により得られた波形であ
り、b2 ″はFeのKβ線a2 のピーク分離により得ら
れた波形である。
【0034】本実施例のピーク分離回路11を用いて図
6(a)に示したような観測波形のピーク分離を行った
結果、FeのKβ線の半値半幅が170eVであり、N
iのKα線の半値半幅は180eVであった。これらの
値は、エネルギー分解能を考慮すれば、妥当な値である
と考えられる。
【0035】また、従来は、波形のピーク割れが発生し
ている場合には数チャンネル分のピーク位置のずれが発
生していたが、本実施例ではFeのKβ線のピーク位置
は6.398keV、NiのKα線のピーク位置は7.
470keVであり、ピーク位置のずれはなかった。
【0036】このように、本実施例によれば、波形の歪
み(すなわち、波形のピーク割れ)が存在する場合であ
っても複数のピークの重なりであると判断してしまうこ
とがないので、ピークの個数を誤って検出することはな
い。また、ピークの重なりであると判断してしまうこと
に起因したピーク高さや半値半幅の判定誤差が生じない
ので、積分強度検出回路12(図1参照)でこのピーク
の積分強度を算出する際に誤差が生じることもなく、し
たがって濃度分析の結果に誤差が生じることもない。
【0037】なお、本実施例では非線形最適化処理とし
て単体法(Simplex法)を採用したが、例えばD
FP法等、他の方法であってもよい。
【0038】また、本実施例では、1チャンネルを10
eVとし、ステップS21で検出されたピークを中心と
して前後10チャンネル内に他のピークが存在するか否
かを検出することとしたが(ステップS22)、1チャ
ンネルの幅や他のピークの有無を検出する幅(チャンネ
ル数)は特に限定されるものではない。すなわち、1チ
ャンネルを5eVとして前後20チャンネル内に他のピ
ークが存在するか否かを検出することとしても、他のピ
ークの有無を検出する幅は前後100eVであり、まっ
たく同じである。また、他のピークの有無を検出する幅
を前後で何eVにするかは、各汚染元素のピークの離散
幅に応じて決定すればよいことであり、本発明を限定す
るものではない。
【0039】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる汚染元素濃度分析方法および装置によれば、観測波
形にピーク割れがあっても正確なピーク分離を行うこと
ができる。すなわち、本発明によれば、観測波形にピー
ク割れがある場合でも高精度の汚染元素濃度分析をおこ
なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係わる汚染元素濃度分析装
置における検出器および演算処理回路の構成を示すブロ
ック図である。
【図2】図1に示したピーク分離回路の処理手順を示す
フローチャートである。
【図3】図1に示したピーク分離回路の処理結果の一例
を示すグラフである。
【図4】従来の汚染元素濃度分析装置の一構成例を示す
概念図である。
【図5】図4に示したパルスプロセッサの出力波形を示
すグラフである。
【図6】(a)は図4に示したパルスプロセッサの出力
波形の一部を示すグラフであり、(b)は(a)に示し
た出力波形をピーク分離した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
11 ピーク分離回路 12 積分強度算出回路 13 汚染元素濃度算出回路 46 検出器 47 パルスプロセッサ 48 演算処理回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−174665(JP,A) 特開 平6−88792(JP,A) 特開 平5−1953(JP,A) 特開 平7−128260(JP,A) 特開 平6−130004(JP,A) 特開 平5−107363(JP,A) 特開 昭62−85850(JP,A) 米国特許5490194(US,A) 欧州特許655622(EP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 23/00 - 23/227

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】X線を分析対象基板に所定の入射角で照射
    する過程と、 分析対象基板表面から前記X線が全反射したときに元素
    により発生した蛍光X線波形を検出する検出過程と、 この検出器から出力された信号波形から分析対象汚染元
    素のピークを検出するピーク検出過程と、 検出されたピークの前後の所定チャンネル数内に他のピ
    ークが存在するか否かを検出する過程と、 他のピークを検出した場合に、各ピーク間に位置するチ
    ャンネルの番号と信号強度とを抽出する過程と、 これらの各ピークを真のピークであると仮定した場合の
    それぞれに付いての評価量Yi を Yi = Σi |P−Pi |×Ci ここで P : 仮定した真のピークのチャンネル番号 Pi : ピーク間のチャンネルのチャンネル番号 Ci : チャンネル番号Pi の信号強度 の式により算出する評価量演算過程と、 この評価量演算過程で算出された各評価量Yi を比較し
    て、この評価量Yi が最小となる場合のピークを真のピ
    ークであると判定する過程と、 分離された前記ピークを用いて前記被検出汚染元素の濃
    度を算出する算出過程と、 を備えた汚染元素濃度分析方法。
  2. 【請求項2】前記ピーク分離過程が、 それぞれ検出されたピークの半値におけるばらつき内で
    ピーク位置からの最大のばらつきを、真の半値半幅とし
    て決定する過程と、 次の式 Px =Pp ×(A0 /Ag ) ここで、 Pp : 前記ピーク判定手段で判定された前記真のピ
    ークのピーク位置における信号強度 A0 : 当該測定波形のピーク面積を Ag : モデル波形のピーク面積 として、 なる演算を行うことによりピーク高さPx を算出する過
    程とを備えたことを特徴とする請求項1記載の汚染元素
    濃度分析方法。
  3. 【請求項3】X線を分析対象基板に所定の入射角で照射
    させるX線照射手段と、 分析対象基板表面から前記X線が全反射したときに元素
    により発生した蛍光X線波形を検出するX線検出手段
    と、 このX線検出手段で検出された蛍光X線検出波形から分
    析対象汚染元素により発生した蛍光X線のピークを分離
    するピーク分離手段と、 前記ピーク分離手段で分離されたピークに基づいて、分
    析対象汚染元素の濃度を検出する濃度検出手段とを備
    え、 前記分離手段は、 前記X線検出手段により検出された波形から検出された
    汚染元素のピークを検出する第1のピーク検出手段と、 前記第1のピーク検出手段により検出されたピークの前
    後の所定チャンネル数内に他のピークが存在するか否か
    を検出する第2の検出手段と、 前記第2のピーク検出手段が他のピークを検出したと
    き、各ピーク間に位置するチャンネルの番号と信号強度
    とを抽出する抽出手段と、 検出された各ピークが真のピークであると仮定した場合
    のそれぞれについての評価量Yi を次の式 Yi = Σi |P−Pi |×Ci ここで P : 仮定した真のピークのチャンネル番号 Pi : ピーク間のチャンネルのチャンネル番号 Ci : チャンネル番号Pi の信号強度 により算出する評価量演算手段と、 この評価量演算手段で算出された各評価量Yi を比較し
    て、最小評価量Yi を持つピークを真のピークであると
    判定するピーク識別手段と、 を備えた汚染元素濃度分析装置。
  4. 【請求項4】前記ピーク分離手段は、 検出された各ピークの半値におけるばらつきのうち、最
    大のものを識別して真の半値半幅として採用する半値半
    幅識別手段と、 次の式 Px =Pp ×(A0 /Ag ) ここで、 Pp : 前記ピーク識別手段で判定された前記真のピ
    ークのピーク位置における信号強度 A0 : 測定波形のピークの面積 Ag : モデル波形のピークの面積 によりピーク高さPx を算出するピーク高さ算出手段
    と、 をさらに備えたことを特徴とする請求項3記載の汚染元
    素濃度分析装置。
JP29540593A 1993-11-25 1993-11-25 汚染元素濃度分析方法および分析装置 Expired - Fee Related JP3192846B2 (ja)

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