JPH07146260A - 汚染元素濃度分析装置 - Google Patents
汚染元素濃度分析装置Info
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- JPH07146260A JPH07146260A JP5295473A JP29547393A JPH07146260A JP H07146260 A JPH07146260 A JP H07146260A JP 5295473 A JP5295473 A JP 5295473A JP 29547393 A JP29547393 A JP 29547393A JP H07146260 A JPH07146260 A JP H07146260A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検量線を用いずに汚染元素の被破壊分析を行
うことができる、エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ線分
析を用いた汚染元素濃度分析装置を提供する。 【構成】 基盤表面でＸ線を全反射させたときに発生す
る蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線検出回路４６と、蛍光Ｘ
線検出回路４６で検出された蛍光Ｘ線の波形を入力して
基盤で発生した蛍光Ｘ線のピークと汚染物元素で発生し
た蛍光Ｘ線のピークとを分離するピーク分離回路１２
と、ピーク分離回路１２で分離されたピークを入力して
基盤で発生した蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉ0 および
汚染物元素で発生した蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉを
算出する積分強度算出回路１３と、積分強度算出回路１
３から積分強度Ｉ0 ，Ｉを入力して汚染元素濃度Ｎ＝Ｎ
0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） （Ｎ0 は基盤の表面
濃度、ｎ0 は基盤の蛍光収率、ｎは汚染物の蛍光収率）
を算出する汚染元素濃度算出回路１４とを備える。
うことができる、エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ線分
析を用いた汚染元素濃度分析装置を提供する。 【構成】 基盤表面でＸ線を全反射させたときに発生す
る蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線検出回路４６と、蛍光Ｘ
線検出回路４６で検出された蛍光Ｘ線の波形を入力して
基盤で発生した蛍光Ｘ線のピークと汚染物元素で発生し
た蛍光Ｘ線のピークとを分離するピーク分離回路１２
と、ピーク分離回路１２で分離されたピークを入力して
基盤で発生した蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉ0 および
汚染物元素で発生した蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉを
算出する積分強度算出回路１３と、積分強度算出回路１
３から積分強度Ｉ0 ，Ｉを入力して汚染元素濃度Ｎ＝Ｎ
0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） （Ｎ0 は基盤の表面
濃度、ｎ0 は基盤の蛍光収率、ｎは汚染物の蛍光収率）
を算出する汚染元素濃度算出回路１４とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エネルギー分散型全反
射蛍光Ｘ線分析を用いて例えば半導体基盤等の汚染元素
濃度を測定する汚染元素濃度分析装置に関するものであ
る。
射蛍光Ｘ線分析を用いて例えば半導体基盤等の汚染元素
濃度を測定する汚染元素濃度分析装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、非破壊型の汚染元素濃度分析装置
として、全反射蛍光Ｘ線分析を用いたものが知られてい
る（嶋崎綾子、宮崎邦浩：日経マイクロデバイス1992 8
月号，No86，pp．148 参照）。また、全反射蛍光Ｘ線分
析を用いた汚染元素濃度分析装置としては、エネルギー
分散型の装置や波長分散型の装置が知られている。この
ような全反射蛍光Ｘ線分析を用いた汚染元素濃度分析装
置を使用することにより、汚染元素濃度の分析を非破壊
で行うことができるので、シリコンウエハの汚染に対す
る管理を半導体製造工程中に行うことが可能となり、か
かる汚染の低減を図る上で有効である。
として、全反射蛍光Ｘ線分析を用いたものが知られてい
る（嶋崎綾子、宮崎邦浩：日経マイクロデバイス1992 8
月号，No86，pp．148 参照）。また、全反射蛍光Ｘ線分
析を用いた汚染元素濃度分析装置としては、エネルギー
分散型の装置や波長分散型の装置が知られている。この
ような全反射蛍光Ｘ線分析を用いた汚染元素濃度分析装
置を使用することにより、汚染元素濃度の分析を非破壊
で行うことができるので、シリコンウエハの汚染に対す
る管理を半導体製造工程中に行うことが可能となり、か
かる汚染の低減を図る上で有効である。
【０００３】図４は、エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ
線分析を用いた汚染元素濃度分析装置の一構成例を示す
概念図である。
線分析を用いた汚染元素濃度分析装置の一構成例を示す
概念図である。
【０００４】同図において、真空チャンバ４１内には試
料台４２が設けられており、この試料台４２上には試料
（ここではシリコンウエハ）４３が載置されている。そ
して、回転対陰極型のＸ線源４４で発生したＸ線が、モ
ノクロメータ４５で単色化され、スリット４９を通過し
て、全反射するような角度で試料４３に照射される。こ
れにより、この試料４３の表面で蛍光Ｘ線が発生する。
この蛍光Ｘ線は、検出器（例えば半導体検出器）４６で
検出されて、電気信号に変換される。このようにして検
出された蛍光Ｘ線の信号を、パルスプロセッサ４７で処
理することにより、図５に示したような観測波形が得ら
れる。図５において、横軸は検出された蛍光Ｘ線のエネ
ルギー、縦軸は蛍光Ｘ線の強度（検出器４６に入射され
た光子数に応じた相対的な強度）である。同図からわか
るように、このグラフの観測波形はシリコンウエハ４３
に含有される元素（シリコンおよび汚染元素）ごとにピ
ークを有している。また、各ピークの積分強度（ピーク
部分の面積に相当する）は、当該元素の濃度に比例して
いる。
料台４２が設けられており、この試料台４２上には試料
（ここではシリコンウエハ）４３が載置されている。そ
して、回転対陰極型のＸ線源４４で発生したＸ線が、モ
ノクロメータ４５で単色化され、スリット４９を通過し
て、全反射するような角度で試料４３に照射される。こ
れにより、この試料４３の表面で蛍光Ｘ線が発生する。
この蛍光Ｘ線は、検出器（例えば半導体検出器）４６で
検出されて、電気信号に変換される。このようにして検
出された蛍光Ｘ線の信号を、パルスプロセッサ４７で処
理することにより、図５に示したような観測波形が得ら
れる。図５において、横軸は検出された蛍光Ｘ線のエネ
ルギー、縦軸は蛍光Ｘ線の強度（検出器４６に入射され
た光子数に応じた相対的な強度）である。同図からわか
るように、このグラフの観測波形はシリコンウエハ４３
に含有される元素（シリコンおよび汚染元素）ごとにピ
ークを有している。また、各ピークの積分強度（ピーク
部分の面積に相当する）は、当該元素の濃度に比例して
いる。
【０００５】演算処理回路４８は、蛍光Ｘ線の積分強度
と濃度との関係を示す情報を、汚染元素ごとに記憶して
いる。この情報は、一般に「検量線」と称されている。
そして、演算処理回路４８は、パルスプロセッサ４７か
ら入力した観測波形（図４参照）から濃度検出を行う汚
染元素のピークを分離して積分強度を算出し、この積分
強度と検量線とにより汚染元素濃度を求める。
と濃度との関係を示す情報を、汚染元素ごとに記憶して
いる。この情報は、一般に「検量線」と称されている。
そして、演算処理回路４８は、パルスプロセッサ４７か
ら入力した観測波形（図４参照）から濃度検出を行う汚
染元素のピークを分離して積分強度を算出し、この積分
強度と検量線とにより汚染元素濃度を求める。
【０００６】ここで、この検量線は、該当する汚染元素
の濃度と蛍光Ｘ線強度分布（図４参照）とを実際に測定
することによって作成していた。すなわち、所定の汚染
元素の濃度を測定するとともにこれと同一の試料の蛍光
Ｘ線分布（図４参照）を検出して該当するピークの積分
強度を算出し、この濃度と積分強度との関係をグラフ
（縦軸が濃度で横軸が積分強度）にプロットすることに
より、検量線を作成していた。ここで、汚染元素の濃度
の測定は、例えばＷＳＡ(Wafer Surface Analysis)およ
び原子吸光分析(AAS;Atomic Absorption Spectrometry;
A.simazaki,ECS Proceedings,Defects in silicon II,E
d.M.Bullis et al.,pp.47,1991参照) を用いた破壊分析
により行うことができる。
の濃度と蛍光Ｘ線強度分布（図４参照）とを実際に測定
することによって作成していた。すなわち、所定の汚染
元素の濃度を測定するとともにこれと同一の試料の蛍光
Ｘ線分布（図４参照）を検出して該当するピークの積分
強度を算出し、この濃度と積分強度との関係をグラフ
（縦軸が濃度で横軸が積分強度）にプロットすることに
より、検量線を作成していた。ここで、汚染元素の濃度
の測定は、例えばＷＳＡ(Wafer Surface Analysis)およ
び原子吸光分析(AAS;Atomic Absorption Spectrometry;
A.simazaki,ECS Proceedings,Defects in silicon II,E
d.M.Bullis et al.,pp.47,1991参照) を用いた破壊分析
により行うことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示したような従来の汚染元素濃度分析装置では、検量線
の作成を汚染元素ごとに行う必要があったので、検量線
の作成に手間がかかるという欠点を有していた。
示したような従来の汚染元素濃度分析装置では、検量線
の作成を汚染元素ごとに行う必要があったので、検量線
の作成に手間がかかるという欠点を有していた。
【０００８】また、原子吸光分析では単一元素ごとの濃
度測定しかできないため、多種類の汚染元素について検
量線の作成を行う場合にはＷＳＡによる回収溶液を分割
して使用する必要がある。このため、低濃度（１０9 at
oms/cm2 以下）の場合に測定結果のばらつきが生じる可
能性があるので、精度のよい検量線を得るためにはプロ
ット数を多くしなければならず、この点でも検量線の作
成に手間がかかっていた。
度測定しかできないため、多種類の汚染元素について検
量線の作成を行う場合にはＷＳＡによる回収溶液を分割
して使用する必要がある。このため、低濃度（１０9 at
oms/cm2 以下）の場合に測定結果のばらつきが生じる可
能性があるので、精度のよい検量線を得るためにはプロ
ット数を多くしなければならず、この点でも検量線の作
成に手間がかかっていた。
【０００９】さらに、検出器４６が検出する蛍光Ｘ線の
強度は相対的な値なので、この強度の積分値と濃度との
関係は、光学系が変更されれば変化する。したがって、
従来の汚染元素濃度分析装置では、装置の修理等で光学
系が変更された場合に検量線を作成し直さなければなら
ないという欠点もあった。
強度は相対的な値なので、この強度の積分値と濃度との
関係は、光学系が変更されれば変化する。したがって、
従来の汚染元素濃度分析装置では、装置の修理等で光学
系が変更された場合に検量線を作成し直さなければなら
ないという欠点もあった。
【００１０】本発明は、このような従来技術の欠点に鑑
みてなされたものであり、検量線を用いずに汚染元素の
被破壊分析を行うことができる汚染元素濃度分析装置を
提供することを目的とする。
みてなされたものであり、検量線を用いずに汚染元素の
被破壊分析を行うことができる汚染元素濃度分析装置を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる汚染元素
濃度分析装置は、エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ線分
析を用いて基盤表面の汚染元素濃度を測定する汚染元素
濃度分析装置において、前記基盤表面でＸ線を全反射さ
せたときに発生する蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線検出手
段と、この蛍光Ｘ線検出手段で検出された前記蛍光Ｘ線
の波形を入力して、この波形から前記基盤で発生した前
記蛍光Ｘ線のピークおよび前記汚染物元素で発生した前
記蛍光Ｘ線のピークを分離するピーク分離手段と、この
ピーク分離手段で分離された前記ピークを入力して、前
記基盤で発生した前記蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉ0
および前記汚染物元素で発生した前記蛍光Ｘ線のピーク
の積分強度Ｉを算出する積分強度算出手段と、この積分
強度算出手段から前記積分強度Ｉ0 ，Ｉを入力して、汚
染元素濃度 Ｎ＝Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） Ｎ0 ；前記基盤の表面濃度 ｎ0 ；前記基盤の蛍光収率 ｎ ；前記汚染物の蛍光収率 を算出する汚染元素濃度算出手段と、を備えたことを特
徴とする。
濃度分析装置は、エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ線分
析を用いて基盤表面の汚染元素濃度を測定する汚染元素
濃度分析装置において、前記基盤表面でＸ線を全反射さ
せたときに発生する蛍光Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線検出手
段と、この蛍光Ｘ線検出手段で検出された前記蛍光Ｘ線
の波形を入力して、この波形から前記基盤で発生した前
記蛍光Ｘ線のピークおよび前記汚染物元素で発生した前
記蛍光Ｘ線のピークを分離するピーク分離手段と、この
ピーク分離手段で分離された前記ピークを入力して、前
記基盤で発生した前記蛍光Ｘ線のピークの積分強度Ｉ0
および前記汚染物元素で発生した前記蛍光Ｘ線のピーク
の積分強度Ｉを算出する積分強度算出手段と、この積分
強度算出手段から前記積分強度Ｉ0 ，Ｉを入力して、汚
染元素濃度 Ｎ＝Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） Ｎ0 ；前記基盤の表面濃度 ｎ0 ；前記基盤の蛍光収率 ｎ ；前記汚染物の蛍光収率 を算出する汚染元素濃度算出手段と、を備えたことを特
徴とする。
【００１２】
【作用】本発明者は、基盤の表面濃度Ｎ0 (atoms／c
m2 ) と基盤中の汚染元素の濃度Ｎとが Ｎ（ｎ／Ｉ） ＝ Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ） Ｉ0 ；基盤で発生した蛍光Ｘ線の積分強度 Ｉ ；汚染物元素で発生した前記蛍光Ｘ線のピークの積
分強度 ｎ0 ；前記基盤の蛍光収率 ｎ ；前記汚染元素の蛍光収率 という関係を有していることを新たに知見した。
m2 ) と基盤中の汚染元素の濃度Ｎとが Ｎ（ｎ／Ｉ） ＝ Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ） Ｉ0 ；基盤で発生した蛍光Ｘ線の積分強度 Ｉ ；汚染物元素で発生した前記蛍光Ｘ線のピークの積
分強度 ｎ0 ；前記基盤の蛍光収率 ｎ ；前記汚染元素の蛍光収率 という関係を有していることを新たに知見した。
【００１３】ここで、基盤の表面濃度Ｎ0 は結晶構造と
方位とが判っていれば計算により求めることができ、ま
た、基盤および汚染元素の蛍光収率ｎ0 ，ｎも原子番号
が判っていれば計算により求めることができる。
方位とが判っていれば計算により求めることができ、ま
た、基盤および汚染元素の蛍光収率ｎ0 ，ｎも原子番号
が判っていれば計算により求めることができる。
【００１４】したがって、蛍光Ｘ線検出手段で蛍光Ｘ線
の波形を検出し、ピーク分離手段でこの波形から基盤で
発生した蛍光Ｘ線のピークと汚染物元素で発生した蛍光
Ｘ線のピークとを分離して、これらのピークの積分強度
Ｉ0 ，Ｉを積分強度算出手段で算出し、この積分強度Ｉ
0 ，Ｉを汚染元素濃度算出手段に入力して上式の演算を
行うことにより、汚染元素濃度Ｎを得ることができる。
の波形を検出し、ピーク分離手段でこの波形から基盤で
発生した蛍光Ｘ線のピークと汚染物元素で発生した蛍光
Ｘ線のピークとを分離して、これらのピークの積分強度
Ｉ0 ，Ｉを積分強度算出手段で算出し、この積分強度Ｉ
0 ，Ｉを汚染元素濃度算出手段に入力して上式の演算を
行うことにより、汚染元素濃度Ｎを得ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、シリコン
ウエハの（１００）面の汚染元素を分析する場合を例に
とって説明する。
ウエハの（１００）面の汚染元素を分析する場合を例に
とって説明する。
【００１６】本実施例に係わる汚染元素濃度分析装置の
構成は、演算処理回路４８で実行される演算処理の内容
が、図４に示した従来の装置と異なる。
構成は、演算処理回路４８で実行される演算処理の内容
が、図４に示した従来の装置と異なる。
【００１７】図１は、本実施例に係わる汚染元素濃度分
析装置における検出器および演算処理回路の構成を示す
ブロック図である。
析装置における検出器および演算処理回路の構成を示す
ブロック図である。
【００１８】シリコンウエハ４３（図１参照；本発明の
「基盤」に該当する）の表面で発生した蛍光Ｘ線は、図
１に示した例えば半導体検出器等の検出器（本発明の
「蛍光Ｘ線検出手段」に該当する）４６に入射される。
検出器４６は、入射した蛍光Ｘ線を電気信号に変換して
出力する。この電気信号はパルスプロセッサ４７に入力
されて、従来と同様の観測波形（図４参照）が得られ
る。
「基盤」に該当する）の表面で発生した蛍光Ｘ線は、図
１に示した例えば半導体検出器等の検出器（本発明の
「蛍光Ｘ線検出手段」に該当する）４６に入射される。
検出器４６は、入射した蛍光Ｘ線を電気信号に変換して
出力する。この電気信号はパルスプロセッサ４７に入力
されて、従来と同様の観測波形（図４参照）が得られ
る。
【００１９】この観測波形は、演算処理回路４８内のデ
コンボリューション処理回路１１に入力されて、デコン
ボリューション処理が施される。これにより、この観測
波形の歪みを改善することができる。このデコンボリュ
ーション処理は、例えば、検出器４６のエネルギー分解
能等に基づく装置関数を用いてガウス関数による近似演
算を実行することにより、行うことができる。
コンボリューション処理回路１１に入力されて、デコン
ボリューション処理が施される。これにより、この観測
波形の歪みを改善することができる。このデコンボリュ
ーション処理は、例えば、検出器４６のエネルギー分解
能等に基づく装置関数を用いてガウス関数による近似演
算を実行することにより、行うことができる。
【００２０】デコンボリューション処理が施された観測
波形は、ピーク分離回路１２に入力される。このピーク
分離回路１２は、入力した観測波形から、シリコンのピ
ークおよび濃度検出の対象となる汚染元素のピークを分
離させる。ピーク分離の方法としては、例えば、非線形
最適合法を用いて当該ピークをガウス関数で近似する方
法がある。
波形は、ピーク分離回路１２に入力される。このピーク
分離回路１２は、入力した観測波形から、シリコンのピ
ークおよび濃度検出の対象となる汚染元素のピークを分
離させる。ピーク分離の方法としては、例えば、非線形
最適合法を用いて当該ピークをガウス関数で近似する方
法がある。
【００２１】このようにして分離された各ピークの情報
は、積分強度算出回路１３に入力される。この積分強度
算出回路１３は、シリコンのピークの積分強度Ｉ0 およ
び汚染元素のピークの積分強度Ｉを算出する。この積分
強度Ｉ0 ，Ｉの算出は、例えば、図２に示したように、
当該ピークが極大値をとる位置Ｅ0 から±４σ（σは半
値半幅）の範囲内について積分を行うことにより行う。
そして、算出された積分強度Ｉ0 ，Ｉは、汚染元素濃度
算出回路１４に送られる。
は、積分強度算出回路１３に入力される。この積分強度
算出回路１３は、シリコンのピークの積分強度Ｉ0 およ
び汚染元素のピークの積分強度Ｉを算出する。この積分
強度Ｉ0 ，Ｉの算出は、例えば、図２に示したように、
当該ピークが極大値をとる位置Ｅ0 から±４σ（σは半
値半幅）の範囲内について積分を行うことにより行う。
そして、算出された積分強度Ｉ0 ，Ｉは、汚染元素濃度
算出回路１４に送られる。
【００２２】汚染元素濃度算出回路１４は、演算部およ
び記憶部（ともに図示せず）を備えている。記憶部は、
予め算出された、シリコンウエハの表面濃度Ｎ0 、シリ
コンウエハの蛍光収率ｎ0 および汚染元素の蛍光収率ｎ
を記憶している。
び記憶部（ともに図示せず）を備えている。記憶部は、
予め算出された、シリコンウエハの表面濃度Ｎ0 、シリ
コンウエハの蛍光収率ｎ0 および汚染元素の蛍光収率ｎ
を記憶している。
【００２３】ここで、シリコンの（１００）面は面心立
方格子であり、各ユニットセルについて、最表面原子は
２個、最近接原子間距離（２．３５オングストローム）
内の原子は２個、格子定数は５．４３１オングストロー
ムであるので、 Ｎ0 ＝４／（５．４３１×１０-8）2 ＝１．３５５×１０15(atoms／cm2 ) となる。
方格子であり、各ユニットセルについて、最表面原子は
２個、最近接原子間距離（２．３５オングストローム）
内の原子は２個、格子定数は５．４３１オングストロー
ムであるので、 Ｎ0 ＝４／（５．４３１×１０-8）2 ＝１．３５５×１０15(atoms／cm2 ) となる。
【００２４】また、原子番号をｚとすると、蛍光収率η
（ｎ0 またはｎ）は、 η＝（ａ＋ｂｚ＋ｃｚ3 ）4 ／｛１＋（ａ＋ｂｚ＋ｃｚ3 ）4 ｝ ａ＝−０．０３８ ｂ＝０．０３４ ｃ＝−０．１１６×１０-6 で与えられる（J.W.Robinson：“Handbook of Spectros
copy”,Vol.1,CRC Press(1974)参照）。例えば、シリコ
ンの蛍光収率ｎ0 は０．０４７となり、汚染元素の蛍光
収率ｎは、Ｆｅの場合は０．３４７、Ｎｉの場合は０．
４１４である。
（ｎ0 またはｎ）は、 η＝（ａ＋ｂｚ＋ｃｚ3 ）4 ／｛１＋（ａ＋ｂｚ＋ｃｚ3 ）4 ｝ ａ＝−０．０３８ ｂ＝０．０３４ ｃ＝−０．１１６×１０-6 で与えられる（J.W.Robinson：“Handbook of Spectros
copy”,Vol.1,CRC Press(1974)参照）。例えば、シリコ
ンの蛍光収率ｎ0 は０．０４７となり、汚染元素の蛍光
収率ｎは、Ｆｅの場合は０．３４７、Ｎｉの場合は０．
４１４である。
【００２５】汚染元素濃度算出回路１４の演算部（図示
せず）は、積分強度算出回路１３から積分強度Ｉ0 ，Ｉ
を入力するとともに、記憶部１４ｂから記憶データ
Ｎ0 ，ｎ0 ，ｎを入力し、演算 Ｎ＝Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） を実行することにより、汚染元素の表面濃度Ｎを算出す
る。
せず）は、積分強度算出回路１３から積分強度Ｉ0 ，Ｉ
を入力するとともに、記憶部１４ｂから記憶データ
Ｎ0 ，ｎ0 ，ｎを入力し、演算 Ｎ＝Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） を実行することにより、汚染元素の表面濃度Ｎを算出す
る。
【００２６】図３は、本実施例に係わる汚染元素濃度分
析装置による濃度分析とＷＳＡおよび原子吸光分析を用
いて行った濃度分析との精度の比較のためのグラフであ
り、縦軸は本実施例により分析した濃度、横軸はＷＳＡ
および原子吸光分析を用いて分析した濃度である。同図
において、黒点は汚染物元素がＦｅの場合であり、白点
は汚染物元素がＮｉの場合である。
析装置による濃度分析とＷＳＡおよび原子吸光分析を用
いて行った濃度分析との精度の比較のためのグラフであ
り、縦軸は本実施例により分析した濃度、横軸はＷＳＡ
および原子吸光分析を用いて分析した濃度である。同図
において、黒点は汚染物元素がＦｅの場合であり、白点
は汚染物元素がＮｉの場合である。
【００２７】同図から判るように、本実施例による濃度
分析結果とＷＳＡおよび原子吸光分析を用いた濃度分析
結果とは非常に良い精度で一致しており、さらに、この
相関性は１０9 atoms/cm2 以下でも維持される。このこ
とより、本実施例の汚染元素濃度分析装置でも、従来の
汚染元素濃度分析装置と同じ精度の濃度分析結果を得る
ことができる。
分析結果とＷＳＡおよび原子吸光分析を用いた濃度分析
結果とは非常に良い精度で一致しており、さらに、この
相関性は１０9 atoms/cm2 以下でも維持される。このこ
とより、本実施例の汚染元素濃度分析装置でも、従来の
汚染元素濃度分析装置と同じ精度の濃度分析結果を得る
ことができる。
【００２８】本実施例では、シリコンの積分強度Ｉ0 も
その都度求めることとした。このため、例えば試料台４
２（図４参照）の位置がずれたことなどによって測定条
件にゆらぎが生じてもＩ0 とＩとの比は変化しないの
で、測定誤差の発生を防止することができる。
その都度求めることとした。このため、例えば試料台４
２（図４参照）の位置がずれたことなどによって測定条
件にゆらぎが生じてもＩ0 とＩとの比は変化しないの
で、測定誤差の発生を防止することができる。
【００２９】なお、本実施例ではシリコンの（１００）
面の濃度分析を行う場合を例にとって説明したが、他の
面や他の材料の基盤の濃度分析も同様にして行うことが
できることはもちろんである。
面の濃度分析を行う場合を例にとって説明したが、他の
面や他の材料の基盤の濃度分析も同様にして行うことが
できることはもちろんである。
【００３０】また、本実施例では、本発明のピーク分離
手段、積分強度算出手段、汚染元素濃度算出手段および
デコンボリューション処理手段を回路で構成した場合を
例にとって説明したが、演算処理回路４８としてマイク
ロプロセッサを使用し、これらの各手段の一部または全
部をソフトウエアで構成してもよいことももちろんであ
る。
手段、積分強度算出手段、汚染元素濃度算出手段および
デコンボリューション処理手段を回路で構成した場合を
例にとって説明したが、演算処理回路４８としてマイク
ロプロセッサを使用し、これらの各手段の一部または全
部をソフトウエアで構成してもよいことももちろんであ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の汚
染元素濃度分析装置によれば、検量線を用いずに、従来
と同様の精度で汚染元素の被破壊分析を行うことができ
る。
染元素濃度分析装置によれば、検量線を用いずに、従来
と同様の精度で汚染元素の被破壊分析を行うことができ
る。
【００３２】また、基盤自体の濃度分析もその都度行う
こととしたので、測定条件のゆらぎにともなう測定誤差
を防止することができる。
こととしたので、測定条件のゆらぎにともなう測定誤差
を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例に係わる汚染元素濃度分析装
置における検出器および演算処理回路の構成を示すブロ
ック図である。
置における検出器および演算処理回路の構成を示すブロ
ック図である。
【図２】図１に示した積分強度算出回路における積分方
法を説明するための概念的なグラフである。
法を説明するための概念的なグラフである。
【図３】図１に示した汚染元素濃度分析装置による濃度
分析とＷＳＡおよび原子吸光分析を用いて行った濃度分
析との精度の比較のためのグラフである。
分析とＷＳＡおよび原子吸光分析を用いて行った濃度分
析との精度の比較のためのグラフである。
【図４】従来の汚染元素濃度分析装置の一構成例を示す
概念図である。
概念図である。
【図５】図４に示したパルスプロセッサの出力波形を示
すグラフである。
すグラフである。
１１ デコンボリューション処理回路 １２ ピーク分離回路 １３ 積分強度算出回路 １４ 汚染元素濃度算出回路 ４６ 検出器 ４７ パルスプロセッサ ４８ 演算処理回路
Claims (2)
- 【請求項１】エネルギー分散型の全反射蛍光Ｘ線分析を
用いて基盤表面の汚染元素濃度を測定する汚染元素濃度
分析装置において、 前記基盤表面でＸ線を全反射させたときに発生する蛍光
Ｘ線を検出する蛍光Ｘ線検出手段と、 この蛍光Ｘ線検出手段で検出された前記蛍光Ｘ線の波形
を入力して、この波形から前記基盤で発生した前記蛍光
Ｘ線のピークおよび前記汚染物元素で発生した前記蛍光
Ｘ線のピークを分離するピーク分離手段と、 このピーク分離手段で分離された前記ピークを入力し
て、前記基盤で発生した前記蛍光Ｘ線のピークの積分強
度Ｉ0 および前記汚染物元素で発生した前記蛍光Ｘ線の
ピークの積分強度Ｉを算出する積分強度算出手段と、 この積分強度算出手段から前記積分強度Ｉ0 ，Ｉを入力
して、汚染元素濃度 Ｎ＝Ｎ0 ・（ｎ0 ／Ｉ0 ）・（Ｉ／ｎ） Ｎ0 ；前記基盤の表面濃度 ｎ0 ；前記基盤の蛍光収率 ｎ ；前記汚染物の蛍光収率 を算出する汚染元素濃度算出手段と、 を備えたことを特徴とする汚染元素濃度分析装置。 - 【請求項２】前記蛍光Ｘ線検出手段で検出された前記蛍
光Ｘ線の波形を入力し、この波形に対して前記蛍光Ｘ線
検出手段のエネルギー分解能に基いて設定された装置関
数を用いたデコンボリューション処理を行って前記ピー
ク分離手段に対して出力するデコンボリューション処理
手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の汚
染元素濃度分析装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29547393A JP3164720B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 汚染元素濃度分析装置および汚染元素濃度分析方法 |
| KR1019940030850A KR0172623B1 (ko) | 1993-11-25 | 1994-11-23 | 오염 원소 농도 분석 방법 및 장치 |
| US08/348,929 US5528648A (en) | 1993-11-25 | 1994-11-25 | Method and apparatus for analyzing contaminative element concentrations |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29547393A JP3164720B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 汚染元素濃度分析装置および汚染元素濃度分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146260A true JPH07146260A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3164720B2 JP3164720B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17821058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29547393A Expired - Lifetime JP3164720B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 汚染元素濃度分析装置および汚染元素濃度分析方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5528648A (ja) |
| JP (1) | JP3164720B2 (ja) |
| KR (1) | KR0172623B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3525643B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-05-10 | 株式会社島津製作所 | 定性分析装置 |
| DE102008049774B4 (de) * | 2008-09-30 | 2017-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Prozessanlage und Verfahren zur prozessinternen Überwachung der Metallkontamination während der Bearbeitung von Mikrostrukturen |
| KR102043665B1 (ko) | 2018-11-14 | 2019-11-12 | 한국철도기술연구원 | 철도차량 하부 실시간 모니터링 시스템 및 그 설치방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2928688B2 (ja) * | 1992-09-07 | 1999-08-03 | 株式会社東芝 | 汚染元素分析方法及び装置 |
| JP2848751B2 (ja) * | 1992-12-04 | 1999-01-20 | 株式会社東芝 | 元素分析方法 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29547393A patent/JP3164720B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-11-23 KR KR1019940030850A patent/KR0172623B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-25 US US08/348,929 patent/US5528648A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0172623B1 (ko) | 1999-05-01 |
| US5528648A (en) | 1996-06-18 |
| KR950014882A (ko) | 1995-06-16 |
| JP3164720B2 (ja) | 2001-05-08 |
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