KR960030358A - 예비적처리의 완료점 검출장치 및 완료점 검출방법 - Google Patents

예비적처리의 완료점 검출장치 및 완료점 검출방법 Download PDF

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Abstract

「현장 클리닝」 처리로 잔류하는 활성화학종을 클리닝 처리 후의 성막에 해를 주지 않도록 정확히 제거할수 있는 현장 클리닝 처리 후의 예비적 처리완료점 검출장치 및 완료점 검출방법을 제공함을 목적으로 한다.
반응실(10)과 고주파전극(11)과 고주파전원(19)가 박막작성용의 가스공급라인(17)과 「현장 클리닝」용의 가스공급라인(18)과 「현장 클리닝」후에 행하여지는 예비적 처리시에 방전 특성치(자기바이어스전압, 전극전압 또는 방전임피던스)를 검출하는 검출기(20)와 검출기(20)의 출력에 대한 감시수단을 구비하고 있다.
반응실(10)에 대하여 「현장 클리닝」을 한 후, 예비적 처리를 하는 경우, 가스공급라인(18)을 통하여 「현장 클리닝」을 위한 가스를 도입하여 활성화학으로 반응실(10)내를 「현장 클리닝」한 후, 반응실(10)내에서 예비적 처리를 하고 잔류하는 활성화학종을 제거한다. 에비적 처리 중, 방전특성치를 측정하여 측정치의 변화가 거의 일정한 상태로 이행하는 시점을 예비적 처리의 완료점으로 한다.

Description

예비적처리의 완료점 검출장치 및 완료점 검출방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예의 개략 구성도.

Claims (12)

  1. 현장 클리닝 후의 예비적 처리 중에, 고주파 전극에서의 플라즈마의 방전특성치를 검출하는 수단과, 이검출수단의 출력을 감시하면서 완료점을 알아내는 감시수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출수단은 저항분할회로, 평활회로 및 전압검출수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 검출수단은 콘덴서 분할회로, 평활회로 및 전압검출수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 검출수단은 전류프로브, 전압프로브, 디지타이저 및 임피던스 연산수단을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감시수단은 검출수단의 출력을 미분해석한 값을 감시하면서, 그 값이 제로가 된 시점을 알아내고, 그리고 그 시점이 완료점임을 알리는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기감시 수단은 검출수단의 출력이 일정하게 이행하는 시점을 알아내어, 그 시점이 완료점임을 알리는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 완료점 검출장치는 감압가능한 반응실과, 그 반응실내에 성치된 고주파전극과, 그 고주파전극에 고주파전력을 인가하는 수단과, 그 반응실내로 박막 작성용의 가스를 도입하는 수단과, 그 반응 실내를 현장 클리닝하기 위한 가스를 도입하는 수단을 구비한 플라즈마 CVD 장치에 조립해 넣어져 있는 것을 특징으로 하는 완료점 검출장치.
  8. (1) 현장 클리닝 종료 후, 박막 작성 개시전에, 현장 클리닝으로 반응실에 잔류하고 있는 화학활성종과 화학반응하는 원소가 함유된 가스를 그 반응실에 도입하고, 그리고 그 가스에 플라즈마를 발생시켜 잔류활성화 학종을 제거하는 예비적 처리에 있어서, (2) 이 예비적 처리 중에 플라즈마의 방전특성치를 검출하고, 그 검출 된 출력을 감시하면서, 그 출력이 일장한 상태로 이행하는 시점을 완료점으로 하는 예비적 처리의 완료점 검출 방법.
  9. 제8항에 있어서, 그 출력을 미분해석하고, 그 값을 감시하면서, 그값이 제로가 된 시점을 알아내어, 그 시점이 완료점임을 알리는 것을 특징으로 하는 완료점 검출방법.
  10. 제8항에 있어서, 잔류화학활성종과 화학반응하는 원소가 함유된 가스는 수소화규소가스 또는 수소화규소가스와 수소가스, 질소가스 또는 암모니아가스와의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 완료점 검출방법.
  11. 제8항에 있어서, 현장 클리닝은 3불화질소가스를 반응실에 도입하여, 3불화질소가스 중에 플라즈마를 발생시켜 행하는 것을 특징으로 하는 완료점 검출방법.
  12. 제8항에 있어서, 그 박막작성은 아몰퍼스실리콘 박막의 작성인 것을 특징으로 하는 완료점 검출방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950067694A 1995-01-13 1995-12-29 예비적처리의 완료점 검출장치 및 완료점 검출방법 KR100242938B1 (ko)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197116B1 (en) * 1996-08-29 2001-03-06 Fujitsu Limited Plasma processing system
US20030143410A1 (en) * 1997-03-24 2003-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reduction of contaminants in amorphous-silicon film
JP2000031072A (ja) 1998-07-10 2000-01-28 Seiko Epson Corp プラズマモニタ方法及び半導体製造装置
TW455912B (en) * 1999-01-22 2001-09-21 Sony Corp Method and apparatus for film deposition
JP4057198B2 (ja) * 1999-08-13 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6274500B1 (en) 1999-10-12 2001-08-14 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Single wafer in-situ dry clean and seasoning for plasma etching process
DE10004391C2 (de) * 2000-02-02 2002-05-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Durchführung eines Plasmaätzprozesses
AU2001236790A1 (en) * 2000-02-14 2001-08-27 Tokyo Electron Limited Device and method for measuring an electric field inside a plasma
US6543459B1 (en) * 2000-04-07 2003-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of determining an end point for a remote microwave plasma cleaning system
WO2004044970A1 (ja) 2002-11-11 2004-05-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置
JP3657942B2 (ja) * 2003-01-16 2005-06-08 沖電気工業株式会社 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP4411282B2 (ja) 2003-11-27 2010-02-10 株式会社ダイヘン 高周波電力供給システム
JP4416569B2 (ja) * 2004-05-24 2010-02-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
US7871830B2 (en) * 2005-01-19 2011-01-18 Pivotal Systems Corporation End point detection method for plasma etching of semiconductor wafers with low exposed area
US7510742B2 (en) * 2005-11-18 2009-03-31 United Technologies Corporation Multilayered boron nitride/silicon nitride fiber coatings
JP5281766B2 (ja) 2007-07-31 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
US20100098875A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Andreas Fischer Pre-coating and wafer-less auto-cleaning system and method
JP5431901B2 (ja) 2008-12-26 2014-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン真空処理装置、インライン真空処理装置の制御方法、情報記録媒体の製造方法
GB201609119D0 (en) * 2016-05-24 2016-07-06 Spts Technologies Ltd A method of cleaning a plasma processing module
DE102018209730A1 (de) * 2018-06-15 2019-12-19 Terraplasma Gmbh Verfahren zum Prüfen einer Elektrodenanordnung zur Erzeugung eines nicht-thermischen Plasmas und Plasmaquelle mit einer solchen Elektrodenanordnung, eingerichtet zur Durchführung eines solchen Verfahrens
CN111837220B (zh) 2019-02-15 2023-07-25 株式会社日立高新技术 气体成分的监视方法及其装置、以及使用了其的处理装置
US11338280B2 (en) * 2020-02-03 2022-05-24 Usa Debusk Llc Catalytic reactor system treatment processes

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326723A (en) * 1992-09-09 1994-07-05 Intel Corporation Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition

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US5830310A (en) 1998-11-03
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US5900161A (en) 1999-05-04

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