KR920010450A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR920010450A
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시게오 오시마
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아오이 죠이치
가부시기가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 도시한 블록도,
제2도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 블록도,
제3도는 앤드게이트를 다른 게이트를 사용하여 구성한 예를 도시한 회로도.

Claims (1)

  1. 워드선에 인가되는 구동신호에 응답하여 비트선에 유지신호를 출력하는 다이나믹형 메로리셀이 매트릭스 모양으로 배치된 복수의 메로리셀 어레이(3a-3h)와, 각 메모리셀 어레이의 행방향으로 배치되고, 행디코더(4a-4h)의 출력에 따라서 상기 구동신호를 발생시키는 복수의 워드선 구동회로(6a-6h)와, 각 메모리셀 어레이의 열방향으로 배치되고, 상기 비트선으로의 출력을 논리 레벨로 도출하는 복수의 센드앰프(5a-5h)와, 상기 복수의 워드선 구동회로의 전부에서 상기 구동신호가 발생한 것을 검지하고 검지신호를 발생시키는 구동신호검지수단(26)과, 지령신호에 응답하여 각 센스앰프를 동작시키는 센스앰프구동회로(11)와, 상기 검지신호를 소정시간 지연시켜서 상기 센스앰프 구동회로에 상기 지령신호로서 공급하는 지연회로(23)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021790A 1990-11-30 1991-11-29 반도체 기억장치 KR950003134B1 (ko)

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JP33606690 1990-11-30
JP90-336066 1990-11-30

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KR950003134B1 KR950003134B1 (ko) 1995-04-01

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EP0488265A2 (en) 1992-06-03
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EP0488265B1 (en) 1996-08-14
KR950003134B1 (ko) 1995-04-01
DE69121366T2 (de) 1997-01-23
US5251180A (en) 1993-10-05

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