KR920007320A - 정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로 - Google Patents

정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920007320A
KR920007320A KR1019910016770A KR910016770A KR920007320A KR 920007320 A KR920007320 A KR 920007320A KR 1019910016770 A KR1019910016770 A KR 1019910016770A KR 910016770 A KR910016770 A KR 910016770A KR 920007320 A KR920007320 A KR 920007320A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
constant current
voltage
power supply
circuit
source
Prior art date
Application number
KR1019910016770A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950005155B1 (ko
Inventor
마꼬또 스와따
슈이찌 이노우에
유조 우스이
Original Assignee
새끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 새끼자와 다다시, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 새끼자와 다다시
Publication of KR920007320A publication Critical patent/KR920007320A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950005155B1 publication Critical patent/KR950005155B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/227Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
    • H03K3/0231Astable circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/06Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
    • H03K4/08Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
    • H03K4/48Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
    • H03K4/50Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor
    • H03K4/501Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor the starting point of the flyback period being determined by the amplitude of the voltage across the capacitor, e.g. by a comparator
    • H03K4/502Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth voltage is produced across a capacitor the starting point of the flyback period being determined by the amplitude of the voltage across the capacitor, e.g. by a comparator the capacitor being charged from a constant-current source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 정전류 회로의 기초 구성도.
제2도는 본 발명에 의한 발진회로의 기초 구성도.

Claims (5)

  1. 전원전압 공급원과 ; 2개의 정전류 공급원과 ; 상기 전원전압 공급원과 상기 정전류 공급원의 하나 사이에 접속돼 있고, 기준전압이 공급되는 게이트 수단을 갖는 제1트랜지스터와 ; 상기 전원전압의 분할된 전압을 공급하는 분압기와 ; 상기 전원전압 공급원과 상기 정전류 공급원의 다른 하나 사이에 접속돼 있고 상기 분할전압이 공급되는 게이트 수단을 갖는 제2트랜지스터와 ; 상기 제1트랜지스터와 제2트랜지스터와 상기 정전류 공급원들의 각각에 노드간에 접속된 저항을 구비함으로써 ; 상기 제2트랜지스터를 흐르는 전류가 상기 전원전압의 크기에 따라서 제어되고 상기 전류변화 대 상기 전원전압 변화의 비율이 상기 저항의 저항치에 의존하는 것이 특징인 정전류회로.
  2. 전원전압 공급원과 ; 각각 소정 저항치를 갖고, 직렬 접속되어 각각에 대해 일단부와 공통노드를 제공하는 제1과 제2저항과 ; 상기 저항들의 노드에 접속된 정전류 공급원과 ; 상기 전원전압 공급원과 상기 제1저항의 상기 단부 사이에 접속돼 있고, 기준전압이 공급되는 게이트 수단을 갖는 제1트랜지스터와 ; 상기 전원전압의 분할된 전압을 공급하는 분압기와 ; 상기 전원전압 공급원과 상기 제2저항의 상기 단부 사이에 접속돼 있고, 상기 분할전압이 공급되는 게이트 수단을 갖는 제2트랜지스터를 구비함으로써 ; 상기 제2트랜지스터를 흐르는 전류가 상기 전원전압의 크기에 따라서 제어되고, 상기 전류변화 대 상기 전원전압 변화의 비율이 상기 저항의 합계 저항치에 의존하는 것이 특징인 정전류회로.
  3. 제1항 또는 제2항 기재의 정전류회로에 의해 제어되며, 콘덴서와 ; 상기 정전류 회로와 결합되어 이 정전류회로의 상기 제2트랜지스터를 통해 흐르는 전류와 동등한 전류로 상기 콘덴서를 충전시키는 충전회로와 ; 상기 콘덴서에 병렬 접속된 스위칭 수단 및 ; 상기 콘덴서에 걸린 전압을 검출하여, 이 전압이 소정의 저전압에 도달하면 상기 스위칭 수단을 개방시키고, 상기 전압이 소정의 고전압에 도달하면 상기 스위칭 수단을 폐쇄시키는 검출수단을 더 구비한 것이 특징인 발진회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 콘덴서와 결합되어 상기 정전류회로의 상기 제2트랜지스터를 통해 흐르는 전류와는 독립된 부가의 충전 전류를 상기 콘덴서에 공급하는 부가적인 정전류 공급원을 더 구비함으로써, 이 부가의 정전류 공급원에 의하여, 상기 발진회로의 발진 주파수 범위가 더욱 높은 고주파대로 이동되는 것이 특징인 발진회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 스위칭 수단과 직렬로 접속된 부가적인 정전류 공급원을 더 구비하며, 이 부가의 정전류 공급원이 상기 스위칭 수단을 통해 흐르는 전류를 제어하여, 이 스위칭수단이 폐쇄되는 경우, 상기 전류가 상기 정전류 공급원의 상기 제2트랜지스터를 통해 흐르는 전류 보다 n(n은 1보다 큰 양수임)배 크도록 제어함으로써, 상기 발진회로의 출력단에서 출력되는 펄스의 충격률을 변경할 수 있는 것이 특징인 발진회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910016770A 1990-09-26 1991-09-26 정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로 KR950005155B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990-256294 1990-09-26
JP2256294A JP2763393B2 (ja) 1990-09-26 1990-09-26 定電流回路および発振回路
JP90-256294 1990-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920007320A true KR920007320A (ko) 1992-04-28
KR950005155B1 KR950005155B1 (ko) 1995-05-19

Family

ID=17290663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910016770A KR950005155B1 (ko) 1990-09-26 1991-09-26 정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5146188A (ko)
EP (2) EP0664502A3 (ko)
JP (1) JP2763393B2 (ko)
KR (1) KR950005155B1 (ko)
CA (1) CA2052248C (ko)
DE (1) DE69118798T2 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994022208A1 (en) * 1993-03-17 1994-09-29 National Semiconductor Corporation Frequency shift circuit for switching regulator
US5349286A (en) * 1993-06-18 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits
US5619125A (en) * 1995-07-31 1997-04-08 Lucent Technologies Inc. Voltage-to-current converter
US6441693B1 (en) * 2001-03-20 2002-08-27 Honeywell International Inc. Circuit for voltage to linear duty cycle conversion
DE10121821B4 (de) * 2001-05-04 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Frequenzregelschaltung
DE10259384B3 (de) * 2002-12-18 2004-05-13 Siemens Ag Vorrichtung zur Ermittlung des Energiezustandes eines Energiespeichers eines mobilen Datenträgers
JP5762755B2 (ja) * 2010-01-18 2015-08-12 ローム株式会社 発光素子の駆動回路およびそれを用いた発光装置
JP6576306B2 (ja) 2016-06-28 2019-09-18 三菱電機株式会社 電圧電流変換回路および負荷駆動回路
CN109002076B (zh) * 2017-06-07 2021-10-29 苏州瀚宸科技有限公司 电阻电流镜像电路、rssi电路及芯片

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3870971A (en) * 1973-03-17 1975-03-11 Victor Company Of Japan Circuit arrangement of voltage controlled oscillator
US3831113A (en) * 1973-06-01 1974-08-20 Rca Corp Relaxation oscillator
DE2912492A1 (de) * 1979-03-29 1980-10-09 Siemens Ag Monolithisch integrierbarer rechteckimpulsgenerator
US4471326A (en) * 1981-04-30 1984-09-11 Rca Corporation Current supplying circuit as for an oscillator
NL8302215A (nl) * 1983-06-22 1985-01-16 Philips Nv Stroombronschakeling.
JPS60263507A (ja) * 1984-06-11 1985-12-27 Nec Corp 発振回路
JPH0659024B2 (ja) * 1985-12-23 1994-08-03 日本電気株式会社 時定数回路
US4667146A (en) * 1986-10-10 1987-05-19 Tektronix, Inc. Voltage-controlled push-pull current source

Also Published As

Publication number Publication date
US5146188A (en) 1992-09-08
DE69118798T2 (de) 1996-09-05
JP2763393B2 (ja) 1998-06-11
DE69118798D1 (de) 1996-05-23
EP0477907A3 (en) 1993-06-30
CA2052248C (en) 1994-07-26
EP0664502A3 (en) 1997-08-06
CA2052248A1 (en) 1992-03-27
KR950005155B1 (ko) 1995-05-19
EP0477907B1 (en) 1996-04-17
JPH04133113A (ja) 1992-05-07
EP0477907A2 (en) 1992-04-01
EP0664502A2 (en) 1995-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980004941A (ko) 출력 전위 공급 회로
KR940010061A (ko) 기준전류 발생회로
KR940004973A (ko) 반도체 소자의 모스(mos) 발진기
KR930009245A (ko) 리셋기능을 가지는 고속 임계치(문턱값) 교차 검출기
KR880001108A (ko) Cmos 입력회로
KR950010340A (ko) 정 전류 발생 장치
KR970023370A (ko) 기준전류 발생회로
KR920007320A (ko) 정전류회로 및 이 회로에 의해 제어되는 발진회로
KR940008249A (ko) 리셋 신호를 발생시키기 위한 집적 회로
KR860007783A (ko) 개선된 출력특성을 갖는 비교기 회로
KR960003087A (ko) 수정발진회로
KR850005057A (ko) 게이트 회로장치
KR890001268A (ko) 완화 발진기
KR890011216A (ko) Mos형 집적회로의 전원 재공급회로
JP2743853B2 (ja) 電流源回路
KR930020847A (ko) 기준전류 발생회로
KR920013442A (ko) 집적 회로용 용량성-부하 고속 구동 회로
JPH0621776A (ja) 電圧制御型発振回路
KR940017142A (ko) 동기(sync) 신호검출장치
KR890004498A (ko) 논리회로
KR930011445A (ko) 전압제어 발진회로
KR970029748A (ko) 반도체 장치의 기준전압 발생회로
SU834841A1 (ru) Генератор импульсов
JPS6262093B2 (ko)
KR880012012A (ko) 논리회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020508

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee