NL8302215A - Stroombronschakeling. - Google Patents

Description

* * * 1 2HN 10.714 t N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.

Strocmbiconschakeling.

De uitvinding heeft betrekking op een strocmbronschakeling bevattende een eerste keten tussen een eerste kien en een gemeenschappelijke klem, welke eerste keten een stroombron en de kollektor-emit-terweg van een eerste transistor bevat, een tweede keten tussen een 5 tweede klem en de gemeenschappelijke klem, welke tweede keten de kolléktor-emitterweg van een tweede transistor bevat, welke een gemeenschappelijke stuur elektrode met de eerste transistor bezit en welke van hetzelfde geleidingstype is als de eerste transistor.

In elektronische schakelingen worden dergelijke strocmbrcn-W schakelingen, die ook wel strocmspiegelschakelingen worden genoemd, veelvuldig toegepast. In het bijzonder kunnen deze strocmbronschake-lingen worden toegepast in geïntegreerde vermogens versterkers voor audiotoepassingen.

Bij de eenvoudigste uitvoeringsvorm van een dergelijke 15 stroombronschakeling is de eerste transistor in de eerste keten als een diode geschakeld. Bij onderlinge gelijkheid van de eerste en tweede transistor vloeit in de tweede keten een nagenoeg gelijke stroom als in de eerste keten, daar door de gemeenschappelijke stuurelektrode de basis-enitterspanningen van beide transistoren gelijk zijn.

20 De stroom in de tweede keten kan ook groter of kleiner dan de stroom in de eerste keten worden gemaakt door het schalen van de emitter-oppervlakken van de eerste en tweede transistor of door het cpnemen van ongelijke weerstanden in de emitterleidingen van de eerste en tweede transistor. Door het toevoegen van een transistor kan de stroom 25 in de tweede keten in grotere mate gelijk warden gemaakt aan de strocm in de eerste keten. Hierbij kan volgens een uitvoeringsvorm de basis-stroon van de eerste en tweede transistor worden geleverd door een verdere transistor, waarvan de emitter met de gemeenschappelijke stuurelektrode van de eerste en tweede transistor en de stuurelektrode 30 met de kollëktor van de eerste transistor is gekoppeld.

Verder kunnen door transistoren met hun basis-emitterwegen parallel aan de basis-emitterweg van de tweede transistor te schakelen meerdereuitgangsstronen warden verkregen.

8302215 - * fc « FHN 10.714 2

Bij dergelijke strocmbronschakelingen is de strocm in de tweede keten echter sterk afhankelijk van variaties in de spanning op de gemeenschappelijke klem, die veelal de positieve of negatieve voedingsspanning voert. Tussen de gemeenschappelijke stuurelektrode 5 en massa (het substraat bij een geïntegreerde schakeling) is een parasitaire kapaciteit aanwezig, die voor hoge frekwenties een kortsluiting vormt. Dit is met name het geval voor laterale PNP-transistoren, waarbij de basis wordt gevormd door een epi-gebied, dat een relatief grote parasitaire C naar het substraat vertcont. In het geval de 10 strocmbronschakeling zoals beschreven met een verdere transistor is uitgevoerd wordt dit laatste effékt nog versterkt door de aanwezigheid van de parasitaire kapaciteit tussen de stuurelektrode van deze verdere transistor en het substraat. Gezien op de emitter van deze verdere transistor en dus op de gemeenschappelijke stuurelektrode van de eerste 15 en tweede transistor bezit deze kapaciteit een schijnbare waarde, die ^ + 1 zo groot is, waarbij ^ de strocmversterkingsfaktor van die transistor is. Variaties van de spanning op de gemeenschappelijke klem bijvoorbeeld in de vorm van een op de voedingsspanning gemoduleerde wisselspanning hebben door deze parasitaire kapaciteiten variaties 20 van de basis-emitterspanning van de eerste en tweede transistor tot gevolg, die resulteren in variaties van de stroon in de tweede keten.

Variaties van de spanning op de gemeenschappelijke klem hebben dus variaties van de uitgangsstromen van de strocmbronschakeling tot gevolg, die de werking van de verdere schakeling 25 nadelig kunnen beïnvloeden. Een van de toepassingen waarbij deze invloed problsnen met zich mee brengt is die van geïntegreerde vermogensversterkers waarin zogenaamde bootstrapping wordt toegepast voor het verkrijgen van een grote uitsturing van de eindtransistoren.

Een dergelijke versterker is bijvoorbeeld de geïntegreerde schakeling 30 TDA 1015 zoals beschreven in "Philips Data Handbook Integrated Circuits" Part 1, January 1983. In een dergelijke versterker is een zogenaamde bootstrap-lijn door middel van een weerstand verbonden met de positieve voedingsspanningslijn. Daarbij kunnen stroombronschakelingen van het beschreven soort worden toegepast onder andere als belasting voor 35 de stuurversterker van de eindtrap en als stroombron voor de ruststroom-instelling van de eindtrap. De gemeenschappelijke klem van de stroomr bronschakeling is daarbij verbonden met de bootstrap-lijn.

De grotere uitsturing van de eindtransistoren wordt verkregen doordat 8302215 ESN 10.714 3 * « ft Λ het wisselspanningssignaal qp de uitgang van de versterker via een bootstrap-kapaciteit naar de bootstrap-lijn wordt gevoerd. Door de aanwezigheid van de parasitaire kapaciteiten zal hierdoor echter ook de stroan van de stroatibronschakeling een wisselstrocmkomponent 5 bevatten, die op de hoogohmige ingang van de eindtrap in een relatief grote wisselspanning wordt omgezet, die weer op de uitgang van de eindtrap verschijnt. Het signaal heeft dan een meekoppellus doorlopen.

Bij een frekwentie, die bepaald wordt door de grootte van de parasitaire kapaciteiten van de strocmbronschakeling, wordt de rondgaande versterking 10 groter dan één, waardoor instabiliteiten en oscillaties optreden.

Het is békend cm deze effékten te voorkomen door parallel aan de weerstand tussen de voedingsspanningslijn en de bootstraplijn een kapaciteit te schakelen, waardoor de bootstraplijn wordt afgevlakt voor hoge frekwenties. Deze kondensator dient echter een kapaciteit 15 van een paar honderd nanofarad te bezitten, zodat deze kondensator niet kan worden geïntegreerd, hetgeen extra kosten met zich mee brengt vanwege de benodigde extra aansluiting op de geïntegreerde schakeling. Voorts veroorzaakt deze kondensator een toename van de stoorstraling van de geïntegreerde schakeling.

20 Een andere bekende methode cm deze instabiliteiten en oscilla ties te voorkomen is de kcmpensatie-kapaciteit, die eveneens om stabiliteitsredenen gewoonlijk tussen de uitgang van de eindtrap en de ingang van de stuurtrap wordt aangebracht, niet met de uitgang maar met de ingang van de eindtrap te verbinden. Hierdoor wordt voor hoge 25 f rekwenties de ingangsimpedantie van de eindtrap sterk verlaagd, zodat de wisselstrocmkomponent van de strocmbronschakeling een laagohmige weg naar aarde kan vinden. Het laag-ohmig worden van de ingang van de eindtrap heeft echter het nadeel, dat de z.g. ovemame-vervormig (cross-over distorsion) voor hoge frekwenties verslechtert. Verder blijft 30 de signaalweg via de stroombron voor de ruststrccminstelling bestaan, waardoor instabiliteiten kunnen blijven optreden.

Het is dan ook het doel van de uitvinding een strocmbron-schakeling aan te geven, waarbij de uitgangsstrcmen nagenoeg onafhankelijk zijn van variaties van de spanning op de gemeenschappelijke 35 klem van de transistoren van de schakeling. Het is voorts het doel van de uitvinding een dergelijke strocmbronschakeling aan te geven, die volledig kan worden geïntegreerd.

Een strocmbronschakeling van een in de aanhef genoemde soort 8302215 ~ » % PHN 10.714 4 wordt volgens de uitvinding gekenmerkt, doordat de gemeenschappelijke stuureléktrode van de eerste en tweede transistor wordt aangestuurd door een als emittervolger geschakelde derde transistor, van een gelei-dingstype tegengesteld aan dat van de eerste en tweede transistor en 5 waarvan de stuur elektrode door middel van een impedantie-element met de gemeenschappelijke klem is gekoppeld. De uitvinding is gebaseerd op het inzicht, dat de gemeenschappelijke stuur elektrode de variaties van de spanning op de gemeenschappelijke klem moet volgen cm variaties van de uitgangsstroom van de stroombronschakeling te voorkomen.

10 De spanningsvariaties op de gemeenschappelijke klem verschijnen via het impedantie-element, bijvoorbeeld een weerstand, op de stuur elektrode van de derde transistor en door de emittervolgerwerking daarmee ook op de gemeenschappelijke stuureléktrode van de eerste en tweede transistor.

15 Een uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat tussen de kollektor van de eerste transistor en de stuureléktrode van de derde transistor een regellus is aangebracht, welke de spanning op de stuureléktrode van de derde transistor zodanig regelt, dat de kollektor-strocm van de eerste transistor, nagenoeg gelijk is aan de stroom 20 van de stroombron. De spanning op de stuureléktrode van de derde transistor legt de basis-emitter spanning en daarmee de kollektorstroom van de eerste transistor vast. Door de regellus wordt bewerkstelligd, dat de kollektorstroom van de eerste transistor nagenoeg gelijk is aan de stroom van de stroombron. Volgens een andere uitvoeringsvorm kan dit 25 ook worden gerealiseerd, doordat de emitterleidingen van de eerste en tweede transistor een gemeenschappelijk punt bezitten, dat via een weerstand met de gemeenschappelijke klem is gekoppeld en dat een regellus aanwezig is tussen de kollektor van de eerste transistor en het gemeenschappelijke punt in de emitterleidingen van de eerste en 30 tweede transistor.

De uitvinding wordt bij wijze van voorbeeld nader toegelicht aan de hand van bijgaande tekening, waarin figuur 1 een békende stroombronschakeling toont, figuur 2 een eerste uitvoeringsvorm van een strocmbronschake-35 ling volgens de uitvinding toont, figuur 3 een tweede uitvoeringsvorm van een stroombronschakeling volgens de uitvinding toont, figuur 4 een derde uitvoeringsvorm van een strocmbronschake- 8302215 Η3Ν 10.714 5 ψ· · ling volgens de uitvinding toont, en figuur 5 een vermogensversterker voorzien van een strocmbron-schakeling volgens de uitvinding toont.

In figuur 1 is een strocmbronschakeling volgens de stand 5 van de techniek weergegeven. Deze wordt gevormd door een eerste keten tussen een kien 1 in dit geval massa en een gemeenschappelijke klem 2, die in dit geval de positieve voedingsspanningslijn is, een tweede keten tussen een tweede klem 4 en de gemeenschappelijke klem 2.

De eerste keten bevat de serieschakeling van een stroombron 3, de 10 kollektor-emitterweg van een ÏNP-transistor , en een weerstand .

Onder een stroombron wordt in deze aanvrage een stroomverzorgings-element met een grote impedantie verstaan. De tweede keten wordt gevormd door de serieschakeling van de kollektor-emitterweg van een ïNP-transis-tor T2 en een weerstand R^ De transistor T2 bezit een gemeenschappe-15 lijke basis met transistor . Een derde ENP-transistor is met zijn basis-emitterovergang tussen de kollektor van en de gemeenschappelijke basis van en T2 geschakeld, terwijl de kollektor roet de aardkien 1 is verbonden. Zoals bekend is bij gelijke trans is toren en T2 en gelijke weerstanden Rj en R2 de stroom in de tweede keten 20 nagenoeg gelijk aan de stroom van stroombron 3. De overdrachtsverhouding tussen de stromen in de eerste en tweede keten kan worden ingesteld door de verhouding van de weerstanden Rj en R2> De strocmbronschakeling kan van meerdere stroomuitgangen worden voorzien door extra trans is toren met de basis-elektroden op de gemeenschappelijke elektrode van ei 25 T2 aan te sluiten en de anitters via een weerstand met de gemeenschappelijke klem 2 te verbinden. In de figuur is dit voor transistor met weerstand R^ weergegeven. Tussen de gemeenschappelijke basis van en T2 en de aardkien 1, gewoonlijk het substraat van de geïntegreerde schakeling, is een parasitaire kapaciteit en tussen 30 de basis van transistor en de aardkiem 1 is een parasitaire kapaciteit C2 aanwezig, welke in de figuur gestippeld zijn weergegeven.

De kapaciteit C2 bezit naar de emitter van transistor en dus, naar de basis van en T2 gezien een schijnbare waarde ( ^ + 1)C2, waarbij ^ de strocmversterkingsfaktor van de transistoren is.

35 Bij toenemende frékwentie neent de irrpedantie van de parasitaire kapaciteiten af. Voor hoge frekwenties vormen deze parasitaire kap?aciteiten een kortsluiting, zodat de gemeenschappelijke basis van transistor en T2 is geaard. Indien op de voedingsspanningslijn 2 8302215 PHN 10.714 6 een wisselspanningssignaal aanwezig is, zal ten gevolge van deze parasitaire kapaciteiten de spanning tussen de gemeenschappelijke basis en de voedingsspanningslijn worden gemoduleerd. Hierdoor zullen de uitgangsstromen in de kolléktorleidingen van de transistoren T2 en 5 worden gemoduleerd, waarbij deze modulatie toeneant bij toenemende frékwentie. Stoorsignalen op de voedingsspanningslijn 2 hebben dus stoorstromen in de uitgangsstromen van de stroombronschakeling tot gevolg, die de verdere schakeling nadelig kunnen beïnvloeden.

In figuur 2 is een eerste uitvoeringsvorm van een stroombron-· 10 schakeling weergegeven, waarbij de nadelige effekten van de parasitaire kapaciteiten nagenoeg zijn geëlimineerd. Gelijke onderdelen zijn met dezelfde verwij zingscij fers weergegeven als in figuur 1. De stroam.-bronschakeling bevat weer de transistoren en T2 met gemeenschappelijke basis, die met weerstanden en R2 met de positieve voedingsspannings-15 lijn 2 zijn verbonden en waarbij de kollektor van transistor met stroombron 3 is verbonden. De gemeenschappelijke basis-elèktrode van de transistoren en T2 wordt aangestuurd door een als emittervolger geschakelde transistor T^, waarvan de basis via een weerstand Rg met de positieve voedingsspanningslijn 2 is verbonden. In de emitterleiding 20 van transistor Tg is een stroombron 5 opgenomen, die voldoende groot moet zijn om de basisstromen van de transistoren en T2 en eventueel verdere aangesloten transistoren te kunnen leveren. De schakeling bevat verder een regellus, die wordt gevormd door de als verschilpaar geschakelde transistoren Tg en Ty, waarbij in de gemeenschappelijke 25 emitterleiding een stroombron 6 is opgenemen. De basis van transistor Tg is met de kollektor van transistor T^ gekoppeld, terwijl de kollektor met de positieve voedingsspanningslijn 2 is gekoppeld. De basis van transistor Ty voert een referentiespanning en in de kollektor-leiding van transistor Ty is de weerstand Rg opgenomen. De referentie-30 spanning heeft een zodanige grootte, dat het verschilpaar Tg, T_, zich in het lineaire gebied bevindt, waarbij de stroom van stroombron 6 zich in ongeveer gelijke mate over de transistoren Tg en Ty verdeelt.

De regellus stelt het verschilpaar T-, T_ nu zo in, dat de kollektor- O / stroom van Ty een zodanige grootte heeft, dat door de spanningsval 35 over weerstand Rg de spanning op de basis van transistor Tg en daarmee de spanning op de basis T1, T2 zo groot is dat afgezien van de basis-stroom van transistor Tg de kollektorstrocm van transistor T^ nagenoeg gelijk is aan de stroom van stroombron 3.

8302215 PEN 10.714 7

Indien nu een wisselspanningss ignaal aanwezig is op de voedingsspanningslijn 2 verschijnt dit signaal nagenoeg geheel op de basis van transistor Tg. De weerstand Rg kan laag-ohmig gekozen worden en bedraagt in de praktijk enkele honderden ohms. De parasitaire 5 kapaciteit tussen de basis van transistor T^, T2 en aarde en dus ook tussen de emitter van transistor Tg en aarde bezit gezien vanuit de basis van transistor Tg een schijnbare waarde, die (3+1 maal zo klein is, waarbij ^ de strocmversterkingsfaktor van transistor Tg is.

De tijdkonstante van de weerstand Rg en deze schijnbare kapaciteit is 10 daarmee zo klein, dat de nadelige invloed van die kapaciteit is geëlimineerd. De tijdkonstante van de weerstand Rg en de parasitaire kapaciteit die aanwezig is tussen de kollektor van transistor en aarde is door de lage weerstandswaarde van Rg ook voldoende klein, zodat deze kapaciteit eveneens geen nadelige invloed uitoefent op de uitgangs-15 stremen van de strocmbronschakeling. Door de anitter-volgerwerking van de transistor Tg verschijnt het signaal op de basis van deze transistor eveneens op de gemeenschappelijke basis van transistor en T2.

. Hierdoor varieert de spanning op de basis van transistor in dezelfde mate als de spanning op de voedingsspanningslijn 2, zodat de spanning 20 ertussen konstant blijft waardoor ook de kollektorstrocm van transistor T2 konstant blijft.

Een tweede uitvoeringsvorm van een strocmbronschakeling volgens de uitvinding wordt toegelicht aan de hand van figuur 3, waarin gelijke onderdelen met dezelfde verwijzingscijfers als in fig. 2 zijn 25 aangeduid. Deze uitvoeringsvorm verschilt daarin met die van fig. 2, dat de regellus niet wordt gevormd door een verschilpaar met onderling gelijke transistoren maar door een verschilpaar met transistoren van het tegengestelde geleidingstype. De regellus bevat een ENP-transistor Tg, waarvan de basis weer met de kollektor van transistor en de 30 kollektor met de aardkiem 1 is verbonden. De emitter van transistor Tg is verbonden met de emitter van een NIN-transistor Tg, waarvan de basis een referentiespanning voert. De kollektor van transistor Tg is weer verbonden met de weerstand Rg. In principe zou de regellus alleen met de PNP-tr ans is tor Tg kunnen worden uitgevoerd. Echter de parasitaire 35 kapaciteit tussen de basis en aarde van de transistor Tg bezit naar de emitter en dus naar de basis van transistor Tg gezien een + 1 maal zo grote waarde, waardoor de spanningsvariaties op de basis van transistor Tg zouden worden afgevlakt. Doordat de basis van transistor Tg 8302215 PHN 10.714 8 een referentiespanning voert, is de parasitaire kapaciteit op de basis van transistor Tg ontkoppeld voor signaal, dat op de voedingsspannings-lijn 2 aanwezig is. Doordat het verschilpaar is uitgevoerd met een PNP- en een NPN-transistor kan de schakeling t.o.v. de in fig. 2 getoonde 5 uitvoeringsvorm met een stroombron minder warden uitgevoerd. De regellus regelt de spanning op de basis van transistor Tg weer zo, dat de kollektorstroom van transistor T^ weer nagenoeg gelijk is aan de stroom van stroombron 3.

Een derde uitvoeringsvorm van een stroombronschakeling wordt 10 toegelichtaan de hand van figuur 4, waarin gelijke onderdelen met dezelfde verwijzingscijfers als in fig. 1 zijn weergegeven. Op de weerstand Rg is een stroombron 10 aangesloten, die de spanning op de basis van transistor Tg en daarmee ook de spanning op de gemeenschappelijke basis van de trans is toren T^ en T^ vastlegt. De regellus, welke er voor 15 zorgt dat de kollektorstroom van transistor T^ nagenoeg gelijk is aan de stroom van stroombron 3, dient in dit geval dan op de emitterleidingen van de transistoren T^ en T2 aan te grijpen. Hiertoe zijn de weerstanden R.j en R2 in de emitterleidingen van de transistoren T^ en T2 niet rechtstreeks maar via een weerstand Rg roet dë positieve voedingsspan-20 ningsleiding 2 gekoppeld. De regellus wordt gevormd door NPN-transistor T^q, waarvan de basis is verbonden met de kollëktor van transistor T^ en waarvan de emitter geaard is. De kollëktor van transistor T^q is gekoppeld met de gemeenschappelijke aansluiting van de weerstanden R„ en R~ met weerstand R-.

12 6 25 In figuur 5 is een vermogens versterker weergegeven waarin op voordelige wijze een stroombronschakeling volgens de uitvinding is opgenomen. Omwille van de duidelijkheid is een sterk vereenvoudigd schema van de versterker weergegeven. De versterker is voorzien van een quasi-karplonentaire eindtrap. De NPN-transistor T2Q wordt gestuurd 30 door NEN-enittervolger-transistor T^, die tezamen met transistor T2Q een darlingtonpaar vormt. De NPN-transistor T22 wordt gestuurd door een PNP-transistor T^, die met transistor T22 een quasi-PNP; transistor vormt. De ruststroominstelling wordt verkregen met behulp van drie dioden 21, 22 en 23, waardoor een gelijkstroom wordt gestuurd, die 35 gelijk is aan de kollektorstroom van transistor T2· Deze transistor T2 maakt deel uit van een stroombronschakeling zoals in fig. 3 is getoond en waarvan gelijke onderdelen met dezelfde verwijzingscijfers zijn weergegeven. Het ingangssignaal wordt toegevoerd aan de basis 24 8302215 « . EHN 10.714 9 van een spanningsversterker T24' waarvan de kollektor is aangesloten qp de diode 23 en waardoor dan eveneens een ruststrocm vloeit, die nagenoeg gelijk is aan de kolléktorstrocm van transistor T2. Het versterkte ingangssignaal verschijnt op de bases van stuurtrans is toren g en T22» Afhankelijk van de fase van het versterkte signaal geleiden afwisselend transistoren T2Q, en T22, T23. Het signaal op de uitgang 25 van de versterker wordt via een kondensator 26 toegevoerd aan een belasting 27. Cta een grote uitsturing van de versterker te verkrijgen wordt het uitgangssignaal gebootstrapped, d.w.z. het uitgangs-10 signaal wordt via een bootstrap kondensator 28 toegevoerd aan de bootstraplijn 2, die via een bootstrapweerstand verbonden is met de positieve voedingsspanningslijn 20. Door de bootstrapping wordt de spanning op de boots traplijn 2 en daarmee ook de spanning qp de basis van transistor en T22 meegetrokken met het uitgangssignaal tot op of 15 tot boven de spanning op de voedingsspanningslijn 20. Door de emitter-volger-werking van transistor volgt de spanning op de gemeenschappelijke basis van de transistoren en T2 de spanning op de bootstraplijn 2, zodat de kolléktorstrocm van transistor T2 konstant blijft.

Zou de kolléktorstrocm van transistor T2 gemoduleerd worden volgens het 20 signaal qp de bootstraplijn 2, dan verschijnt dit gemoduleerde signaal qp de uitgang 25 en via de bootstrapkapaciteit 28 weer qp de bootstraplijn 2, zodat dit signaal een lus heeft doorlopen. Hierdoor kunnen insta-biliteiten en oscillaties optreden. Met de stroombronschakeling volgens de uitvinding wordt dit voorkomen.

25 De uitvinding is toegelicht aan de hand van uitvoeringsvoor- beelden waarin de transistoren van de strocmbronschakeling ENP-transistoren zijn, waarvan de emitters via weerstanden met de positieve voedingsspanningslijn zijn verbonden. Afgezien van het feit, dat de schakeling ook zonder emitterweerstanden kan worden uitgevoerd, is het 3Q natuurlijk ook mogelijk de schakeling uit te voeren met NPN-transistoren waarvan de emitters al of niet via weerstanden met de negatieve voedingsspanningslijn zijn gekoppeld. De in de schakeling aanwezige NRJ-transistoren dienen dan door ENP-transistoren vervangen te worden.

35 8302215

Claims (6)

1. Stroanbronschakeling bevattende een eerste keten tassen een eerste klem en een gemeenschappelijke klem, welke eerste keten een stroombron en de kollèktor-emitterweg van een eerste transistor bevat, een tweede keten tussen een tweede klem en de gemeenschappelijke klem, 5 welke tweede keten de kollèktor-emitterweg van een tweede transistor bevat, welke een gemeenschappelijke stuureléktrode met de eerste transistor bezit en welke van hetzelfde geleidingstype is als de eerste transistor, met het kenmerk, dat gemeenschappelijke stuur elektrode van de eerste en tweede transistor wordt aangestuurd door een als emitter-10 volger geschakelde derde transistor, van een geleidingstype tegengesteld aan dat van de eerste en tweede transistor en waarvan de stuur elektrode door middel van een iirpedantie-element met de gemeenschappelijke kien is gekoppeld.

2. Stroombronschakeling volgens konklusie 1, met het kenmerk, 15 dat tussen de kollektor van de eerste transistor en de stuurelektrode van de derde transistor een regellus is aangebracht, welke de spanning op de stuurelektrode van de derde transistor zodanig regelt, dat de kollektor stroom van de eerste transistor, nagenoeg gelijk is aan de-stroom van de stroombron.

3. Stroombronschakeling volgens konklusie 2, met het kenmerk, dat de regellus wordt gevormd door een als verschilpaar geschakelde vierde en vijfde transistor, waarbij de stuurelektrode van de vierde transistor met de kollektor van de eerste transistor is gekoppeld, de stuurelektrode van de vijfde transistor een referentiespanning voert en 25 het icnpedantie-element is de kolléktor-leiding van de vijfde transistor is opgenomen.

4. Stroombronschakeling volgens konklusie 3, met het kenmerk, dat de vierde en vijfde transistor onderling van een tegengesteld geleidingstype zijn, waarbij de vijfde transistor van hetzelfde 30 geleidingstype is als de derde transistor.

5. Stroombronschakeling volgens konklusie 1, met het kenmerk, dat de emitterleidingen van de eerste en tweede transistor een gemeenschappelijk punt bezitten, dat via een weerstand met de gemeenschappelijke klan is gekoppeld en dat een regellus aanwezig is tussen de 35 kollektor van de eerste transistor en het gemeenschappelijke punt in de emitterleidingen van de eerste en tweede transistor.

6. Stroombronschakeling volgens konklusie 5, met het kenmerk, dat de regellus wordt gevormd door een zesde transistor, waarvan de « 8302215 * , ΡΗΝ 10.714 11 T J stuur elektrode met de kollektor van de eerste transistor is gekoppeld en waarvan de kollèktor met het gemeenschappelijke punt in de emitter-leidingen van de eerste en tweede transistors is gekoppeld. 5 10 15 20 25 30 35 8302215