JPH0650455B2 - 電流源回路 - Google Patents

電流源回路

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JPH0650455B2
JPH0650455B2 JP59127724A JP12772484A JPH0650455B2 JP H0650455 B2 JPH0650455 B2 JP H0650455B2 JP 59127724 A JP59127724 A JP 59127724A JP 12772484 A JP12772484 A JP 12772484A JP H0650455 B2 JPH0650455 B2 JP H0650455B2
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エフエルト・シ−ヴインク
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エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/227Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第1端子、第2端子及び共通端子と; 前記第1端子と共通端子との間に延在し、且つ電流源と
第1トランジスタのコレクタ−エミッタ通路との直列回
路を具え、前記電流源を第1接続点にて前記第1トラン
ジスタのコレクタ−エミッタ通路に接続した第1電流通
路と; 前記第2端子と共通端子との間に延在し、且つ第2トラ
ンジスタのコレクタ−エミッタ通路を具えている第2電
流通路と; を具え、前記第1及び第2トランジスタの導電型を同じ
とし、これら両トランジスタのベース電極を第2接続点
にて共に接続して成る電流源回路に関するものである。
電流ミラー回路とも称される斯種の電流源回路は種々の
電子回路に頻繁に用いられている。また、これらの電流
源回路は特に、オーディオ器機用の集積電力増幅器に用
いることができる。
斯種の電流源回路の最も簡単なものでは、第1電流通路
における第1トランジスタをダイオード接続する。第1
及び第2トランジスタを同一構成のものとすると、第2
電流通路に流れる電流は、各ベース電極を共通にするた
めに上記2個のトランジスタのベース−エミッタ電圧が
等しくなるから、第1電流通路に流れる電流にほぼ等し
くなる。第2電流通路に流れる電流は、第1及び第2ト
ランジスタのエミッタ領域の面積を変えたり、又は、第
1及び第2トランジスタのエミッタリードに抵抗値の異
なる抵抗を設けることによって第1電流通路の電流より
も大きくしたり、又は、小さくすることもできる。トラ
ンジスタを付加することにより第2電流通路の電流を第
1電流通路の電流に一層等しくすることができる。この
1つの例として、この場合には第1及び第2トランジス
タのベース電流を他のトランジスタによって供給するこ
とができ、上記他のトランジスタのエミッタは第1及び
第2トランジスタの共通ベース電極に結合させると共
に、上記他のトランジスタのベース電極は第1トランジ
スタのコレクタに結合させる。
さらに第2トランジスタのベース−エミッタ通路に並列
に各トランジスタのベース−エミッタ通路を接続するこ
とによって追加の出力電流を得ることもできる。
しかし斯種の電流源回路では、第2電流通路における電
流が通常正又は負の供給電圧に接続される共通端子にお
ける電圧変動に極めて左右される。共通ベース電極と大
地(集積回路の場合には基板)との間には高周波に対し
て短絡路を成す寄生容量が存在し、このようなことは特
に横方向pnpトランジスタの場合について云えること
であり、斯種のpnpトランジスタでは基板に対し比較
的大きな寄生容量Cを有するエピタキシャル領域によっ
てベースが形成される。上述した種類の電流源回路に他
のトランジスタを設ける場合、斯かる短絡作用は上記他
のトランジスタのベース電極と基板との間に存在する寄
生容量によって増大する。斯かる他のトランジスタのエ
ミッタ、従って第1及び第2トランジスタの共通ベース
電極に見られるように、斯かる寄生容量はその実際値よ
りも(β+1)倍(βはこのトランジスタの電流増幅率
である)大きい皮相値を呈する。共通端子における電圧
変動、例えば供給電圧で変調される交流電圧形態の電圧
変動は、これらの寄生容量による第1及び第2トランジ
スタのベース−エミッタ電圧の変動に起因し、このよう
な変動が第2電流通路における電流変動をまねくことに
なる。
これがため、共通端子における電圧変動は電流源回路の
出力電流を変動することになり、これにより上記電流源
回路を接続する回路の動作に悪影響を及ぼすことにな
る。このような影響が問題となる用途の1つに集積電力
増幅器があり、このような増幅器では出力トランジスタ
から大きなダイナミックレンジを得るために所謂「ブー
トストラッピング」が利用される。斯種増幅器は例え
ば、フィリップス社のデータハンドブック“Integrated
Circuit”,Part 1,1983年1月に記載されているよう
なタイプTDA 1015の集積回路である。斯種増幅器では所
謂ブートストラップラインを抵抗を介して正の給電ライ
ンに接続する。この場合、上述した種類の電流源回路は
特に、出力段用駆動増幅器に対する負荷として、及び出
力段のバイアス電流調整用電流源として用いることがで
きる。またこの場合、電流源回路の共通端子はブートス
トラップラインに接続する。出力トランジスタからのよ
り大きなダイナミックレンジは、増幅器の出力端子にお
ける交流電圧信号をブートストラップコンデンサを介し
てブートストラップラインによって得られる。しかし、
寄生容量があるために、この場合には電流源回路からの
電流が交流成分も含み、この交流成分が出力段の高イン
ピーダンス入力端子にて比較的大きな交流電圧に変換さ
れ、この交流電圧が出力段の出力端子に現われる。
従って上記交流電圧信号は正帰還ループを通過する。電
流源回路の寄生容量の値によって決定される周波数では
ループ増幅度が1よりも高くなるため、この結果不安定
状態及び振動現象が生じる。
これらの影響は、給電ラインとブーストラップラインと
の間の抵抗に並列にコンデンサを接続して、ブーストラ
ップラインの電位を高周波に対して平滑化することによ
り回避し得ることは既知である。しかし、斯かるコンデ
サの容量値は数100nFとする必要があるため、このよう
なコンデンサは集積化することができず、従って集積回
路に余分な結線が必要となるためにコストが割高とな
る。さらに斯かるコンデンサは集積回路からの妨害信号
の放射を高めることになる。
前述したような不安定状態及び振動現象の発生を回避す
る他の方法として、安定性の理由からしても一般に出力
段の出力端子と駆動段の入力端子との間に配置される補
償コンデンサを出力段の出力端子でなく、この出力段の
入力端子に接続することも既知である。この場合には、
高周波に対しては出力段の入力インピーダンスが極めて
低下するため、電流源回路の交流成分は大地への低イン
ピーダンス通路を見つけることができる。しかし、出力
段の入力が低インピーダンスとなると、所謂「クロスオ
ーバひずみ」が高周波に対して悪影響を及ぼすと云う欠
点が生じる。さらに、バイアス電流調整用の電流源を経
る信号通路が依然存在するため、不安定状態は継続的に
起り得る。
本発明の目的は出力電流が、回路装置のトランジスタ共
通端子における電圧の変動に、実質的に影響を受けない
ような電流源回路装置を得ることにある。
さらに、完全に集積化された電流源回路装置を得ること
にある。
本発明は、冒頭にて述べた種類の電流源回路において第
1及び第2トランジスタの導電型とは反対の導電型で、
且つ前記第2接続点に結合されるエミッタ電極を有する
エミッタホロワとして接続した第3トランジスタと; 前記第3トランジスタのベース電極を前記共通端子に結
合させるインピーダンス素子と; 前記第1接続点に結合させた反転入力端子と、基準電圧
源に結合させた非反転入力端子と、前記第1トランジス
タのベース電極又はエミッタ電極に結合させた出力端子
とを有する差動増幅器: も具えていることを特徴とする。
本発明は、電流源回路の出力電流の変動を回避するには
共通ベース電極の電圧を共通端子の電圧変動に追従させ
る必要があると云う事実の認識に基いて成したものであ
る。共通端子における電圧変動は例えば抵抗のようなイ
ンピーダンス素子を介して第3トランジスタのベース電
極、従ってエミッタホロワ作用により第1及び第2トラ
ンジスタの共通ベース電極にも現われる。
差動増幅器は、基準電圧と第1トランジスタのコレクタ
電圧とを比較し、制御電圧を供給する。
制御電圧は、第1トランジスタのベース・エミッタ電圧
を変更することにより、第1トランジスタのコレクタ電
流を調整するために使用される。
第1トランジスタの実際のコレクタ電流と電流源の電流
との差は、これによって打消される。この結果、トラン
ジスタのコレクタ電流は電流源からの電流と等しくな
る。
ベース・エミッタ電圧の変更は、2つの別個の態様で実
施できる。
第1の態様では、差動増幅器の出力端子を第3トランジ
スタのベース・エミッタ接続を介して第1トランジスタ
のベースに結合する。
第2の態様では、差動増幅器の出力端子を第1トランジ
スタのエミッタに結合する。
本発明の好適例によれば、前記差動増幅器が、差動対と
して接続される第4及び第5トランジスタを具え、第4
トランジスタのベース電極を前記第1接続点に結合さ
せ、前記第5トランジスタのベース電極を基準電圧端子
に接続し、且つ前記第5トランジスタのコレクタに前記
インピーダンス素子を接続したことを特徴とする。
本発明の他の好適例によれば、前記第4及び第5トラン
ジスタの導電型を互いに反対の導電型とし、第5トラン
ジスタの導電型を前記第3トランジスタの導電型と同じ
としたことを特徴とする。
さらに、本発明の他の好適例によれば、前記第1及び第
2トランジスタのエミッタリードを共通抵抗を介して前
記共通端子に結合させ、且つ前記差動増幅器の反転入力
端子を第1接続点に接続するとともに、差動増幅器の出
力端子を前記共通抵抗と前記第1及び第2トランジスタ
のエミッタリードとの相互接続点に結合したことを特徴
とする。
さらに本発明の他の好適例によれば、前記差動増幅器が
第4トランジスタを具え、この第4トランジスタのベー
ス電極を前記第1トランジスタのコレクタに結合させ、
且つ前記第4トランジスタのコレクタを前記相互接続点
に結合させたことを特徴とする。
以下図面を参照して本発明を説明する。
第1図は従来の電流源回路の一例を示す回路図である。
この回路は端子1(この場合には大地)と共通端子2
(この場合には正の給電ライン)との間に延在する第1
電流通路と、第2端子4と共通端子2との間に延在する
第2電流通路とで構成される。第1電流通路は電流源3
と、PNPトランジスタT1のコレクタ−エミッタ通路
と、抵抗R1との直列回路を具えている。「電流源」と
は、本明細書では高インピーダンスの電流供給素子のこ
とを意味するものとする。第2電流通路はPNPトラン
ジスタT2のコレクタ−エミッタ通路と、抵抗R2との直
列回路で構成される。トランジスタT2のベースはトラ
ンジスタT1のベースと共通である。第3PNPトラン
ジスタT3のベース−エミッタ接合は、トランジスタT1
のコレクタとトランジスタT1及びT2の共通ベースとの
間に接続され、またトランジスタT3のコレクタは接地
端子1に接続される。既知の如く、トランジスタT1
びT2を同一構成のものとし、抵抗R1及びR2の抵抗値
を同じとすれば、第2電流通路の電流は電流源3からの
電流にほぼ等しくなる。
第1電流通路の電流と第2電流通路の電流との比は、抵
抗R1とR2との比を調整することにより調節することが
できる。電流源回路には、追加のトランジスタのベース
をトランジスタT1及びT2の共通ベース電極に接続し、
且つそれらの追加トランジスタのエミッタをそれぞれ抵
抗を介して共通端子2に接続することにより追加の電流
出力端子を設けることができる。第1図では斯かる追加
のトランジスタをT4にて示してあり、またそのエミッ
タ抵抗をR3にて示してある。トランジスタT1及びT2
の共通ベースと接地端子1、一般には集積回路の基板と
の間には寄生容量C1が存在し、またトランジスタT3
べースと接地端子1との間には寄生容量C2が存在す
る。これらの寄生容量を第1図では破線にて示してあ
る。トランジスタT3のエミッタ、従ってトランジスタ
1及びT2のベースから見た寄生容量C2は(β+1)
2の皮相値を呈し、ここにβはトランジスタT2の電流
増幅率である。周波数が増大すると寄生容量のインピー
ダンスは低下する。高周波の場合、これらの寄生容量は
短絡回路を成すため、トランジスタT1及びT2の共通ベ
ースが接地される。交流電圧信号が給電ライン2に現わ
れる場合には、トランジスタT1及びT2の共通ベースと
給電ラインとの間の電圧が上記寄生容量のために変調さ
れる。これがため、トランジスタT2及びT4のコレクタ
リードにおける出力電流が変調され、その変調度は周波
数が高くなるにつれて大きくなる。従って、給電ライン
2における妨害信号が電流源回路の出力電流に妨害電流
を引き込み、これが電流源回路を接続する回路に不都合
な影響を及ぼすことになる。
第2図は寄生容量の不都合な影響を殆どなくすようにし
た本発明による電流源回路の第1例を示す回路図であ
る。なおこの第2図において、第1図の回路におけるも
のと同一部分を示すものには同一符号を付して示してあ
る。この例の場合の電流源回路も共通ベースを有するト
ランジスタT1及びT2を具えており、これらトランジス
タのエミッタは抵抗R1及びR2を介して正の給電ライン
2に接続し、またトランジスタT1のコレクタは電流源
3に接続する。トランジスタT1及びT2の共通ベース電
極はエミッタホロワ接続したトランジスタT5によって
駆動され、このトランジスタT5のベースは抵抗R5を介
して正の給電ライン2に接続する。トランジスタT5
エミッタリードには電流源5を設ける。この電流源はト
ランジスタT1及びT2並びにこれらのトランジスタに接
続する他のトランジスタのベース電流を供給し得るよう
に十分大きなものとする必要がある。第2図の電流源回
路は差動対として接続されるトランジスタT6及びT7
よって構成される制御ループも具えており、トランジス
タT6及びT7の共通エミッタリードには電流源6を設け
る。トランジスタT6のベースはトランジスタT1のコレ
クタに接続し、トランジスタT6のコレクタは正の給電
ライン2に接続される。トランジスタT7のベースは基
準電圧Vrefに接続し、このトランジスタT7のコレクタ
リードに抵抗R5を設ける。基準電圧Vrefの値は、電流
源6からの電流がトランジスタT6とT7との間にほぼ均
等に分配される直線範囲内にて差動対T6及びT7が動作
するような値とする。制御ループは差動対T6,T7を適
切に調整して、トランジスタT7のコレクタ電流が或る
値を呈するようにし、抵抗R5間の電圧降下によりトラ
ンジスタT5のベース電圧、従ってトランジスタT1,T
2のベース電圧が適当な大きさとなり、トランジスタT6
のベース電流は別として、トランジスタT1のコレクタ
電流が電流源3からの電流にほぼ等しくなるようにす
る。
交流電圧信号が給電ライン2に現われる場合、その信号
はトランジスタT5のベースにもほぼ全面的に現われ
る。抵抗R5の抵抗値は低い値とすることができ、実際
には数100オームとすることができる。トランジスタ
1,T2のベースの大地との間、従ってトランジスタT
5のエミッタと大地との間の寄生容量は、トランジスタ
5のベースから見て実際値よりも(β+1)倍小さい
皮相値を呈し、ここにβはトランジスタT5の電流増幅
率である。これがため、抵抗R5と斯かる皮相容量とを
組合わせたものの時定数は小さくなり、斯かる寄生容量
の不都合な影響は殆ど除去される。トランジスタT7
コレクタと大地との間に存在する寄生容量と、抵抗R5
とを組合わせたものの時定数も、抵抗R5の抵抗値を低
くすることにより小さくなるため、この寄生容量も電流
源回路の出力電流に何等不都合な影響を及ぼさなくな
る。トランジスタT5のエミッタホロワ作用により、こ
のトランジスタのベースに現われる信号はトランジスタ
1及びT2の共通ベースにも現われる。従って、トラン
ジスタT1のベース電圧は給電ライン2における電圧と
同程度に変化するため、斯かるトランジスタT1のベー
スと給電ライン2との間の電圧は一定のままとなり、こ
の結果トランジスタT2のコレクタ電流も一定のままと
なる。
第3図は本発明による電流源回路の第2例を示す回路図
であり、ここに第2図のものと同一部分を示すものには
同一符号を付して示してある。本例が第2図の例と相違
している点は、本例では制御ループを同一構成のトラン
ジスタにより差動増幅器として構成するのではなく、反
対導電型のトランジスタにより差動増幅器として構成す
る点にある。制御ループはPNPトランジスタT8を具
えており、このトランジスタのベースもトランジスタT
1のコレクタに接続する。トランジスタT8のコレクタは
接地端子1に接続する。トランジスタT8のエミッタは
NPNトランジスタT9のエミッタに接続し、このトラ
ンジスタT9のベースは基準電圧Vrefに接続する。トラ
ンジスタT9のコレクタも第2図の例と同様に抵抗R5
接続する。原則として、制御ループはPNPトランジス
タT8だけで構成することができる。しかし、トランジ
スタT8のベースと大地との間の寄生容量は、トランジ
スタT8のエミッタ、従ってトランジスタT5のベースの
方向から見て実際よりも(β+1)倍大きい値を呈し、
この結果としてトランジスタT5のベースにおける電圧
変動数は平滑化されることになる。トランジスタT9
ベースは基準電圧に接続されるため、トランジスタT8
のベースにおける寄生容量は給電ライン2に発生する信
号とは減結合される。差動増幅器はPNPトランジスタ
とNPNトランジスタから成るため、この場合の電流源
回路の電流源は第2図に示す例の場合に比べて1個減ら
すことができる。また、この場合の制御ループもトラン
ジスタT5のベース電圧を制御して、トランジスタT1
コレクタ電流が電流源3からの電流にほぼ等しくなるよ
うにする。
第4図は本発明による電流源回路の第3例を示すもので
あり、この場合にも第1図のものと同一部分を示すもの
には第1図の符号と同一符号を付して示してある。この
第4図の例では抵抗R5を電流源10に接続する。電流源1
0はトランジスタT5のベース電圧、従ってトランジスタ
1及びT2の共通ベースにおける電圧も規定する。トラ
ンジスタT1のコレクタ電流が電流源3からの電流にほ
ぼ等しくなるようにする制御ループは、この場合トラン
ジスタT1及びT2のエミッタリードに作用する。これが
ため、トランジスタT1及びT2のエミッタリードにおけ
る抵抗R1及びR2は直接給電ライン2に接続しないで、
抵抗R6を介して給電ライン2に接続する。この例にお
ける制御ループはNPNトランジスタT10で構成し、こ
のトランジスタのベースはトランジスタT1のコレクタ
に接続し、上記トランジスタT10のエミッタは接地す
る。また、トランジスタT10のコレクタは抵抗R1,R2
抵抗R6との接続点に結合させる。
第5図は本発明による電流源回路を有利に組込んだ電力
増幅器の一例を示す回路図であるが、明瞭化のために増
幅器の回路は非常に簡単に示してある。この増幅器には
準相補形の出力段を設ける。NPNトランジスタT20
NPNエミッタホロワトランジスタT21によって駆動さ
れ、このトランジスタT21はトランジスタT20と共にダ
ーリントンペアを形成する。NPNトランジスタT22
PNPトランジスタT23により駆動され、このトランジ
スタT23はトランジスタT22と共に準−PNPトランジ
スタを形成する。バイアス電流は3個のダイオード21,2
2及び23によって調整され、これらのダイオードを流れ
る電流はトランジスタT2のコレクタ電流に等しい。こ
のトランジスタT2は第3図に示した種類の電流源回路
の一部を成し、この第5図でも第3図の電流源回路の各
部に対応するものには同一符号を付して示してある。入
力信号は電圧増幅トランジスタT24のベース24に供給さ
れ、このトランジスタT24のコレクタはダイオード23に
接続する。このダイオード23にはこの場合、トランジス
タT2のコレクタ電流にほぼ等しいバイアス電流も流れ
る。トランジスタT21及びT23のベースには増幅された
入力信号が現われる。この増幅信号の位相に応じてトラ
ンジスタT20,T21とT22,T23とが交互に導通する。
増幅器の出力端子25の信号はコンデンサ26を介して負荷
27に供給される。増幅器により大きなダイナミックレン
ジを得るためには、出力信号をブートストラップ、即ち
出力信号が給電コンデンサ28を経て給電ライン2に供給
され、このライン2が給電抵抗R20を経て正の給電ライ
ン20に接続されるようにする。給電ラッピングのため
に、給電ライン2における電圧、従ってトランジスタT
21及びT23のベース電圧も出力信号と一緒に給電ライン
20の電圧にまで、又はそれ以上になる。トランジスタT
5のエミッタホロワ作用のために、T1及びT2の共通ベ
ースにおける電圧は給電ライン2における電圧に追従
し、従ってトランジスタT2のコレクタ電流は一定のま
まとなる。このトランジスタT2のコレクタ電流が給電
ライン2における信号に応じて寄生容量により変調され
る場合には、この変調信号が出力端子25に現われると共
に給電コンデンサ28を介して再び給電ライン2に現われ
るため、この信号は正帰還ループを通過したことにな
る。
この結果、不安定な状態及び振動が生ずることになる。
しかし、本発明による電流源回路を用いれば前述したよ
うに寄生容量の影響を受けないようにすることができる
ため、このようなことは回避される。
以上の説明では、電流源回路のトランジスタをPNPト
ランジスタとし、これらのトランジスタのエミッタをそ
れぞれ抵抗を介して正の給電ラインに接続する例につき
本発明を説明したが、本発明による電流源回路では、エ
ミッタ抵抗をなくすこともでき、また電流源回路にNP
Nトランジスタを設け、これらのトランジスタのエミッ
タをそれぞれ抵抗を介して負の給電ラインに接続するよ
うにすることもできることは勿論である。この場合には
電流源回路に存在するNPNトランジスタをPNPトラ
ンジスタと置代える必要がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の電流源回路の一例を示す回路図; 第2図は本発明による電流源回路の第1例を示す回路
図; 第3図は本発明電流源回路の第2例を示す回路図; 第4図は本発明電流源回路の第3例を示す回路図; 第5図は本発明電流源回路を具えている電力増幅器の一
例を示す回路図である。 1…第1端子 2…共通端子 3…電流源 4…第2端子 T1…第1トランジスタ T2…第2トランジスタ T5…第3トランジスタ T6,T10…第4トランジスタ T7…第5トランジスタ R5…インピーダンス素子 Vref…基準電圧

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1端子(1)、第2端子(4)及び共通
    端子(2)と; 前記第1端子(1)と共通端子(2)との間に延在し、
    且つ電流源(3)と第1トランジスタ(T1)のコレク
    タ−エミッタ通路との直列回路を具え、前記電流源
    (3)を第1接続点にて前記第1トランジスタのコレク
    タ−エミッタ通路に接続した第1電流通路と; 前記第2端子(4)と共通端子(2)との間に延在し、
    且つ第2トランジスタ(T2)のコレクタ−エミッタ通
    路を具えている第2電流通路と; を具え、前記第1及び第2トランジスタ(T1,T2)の
    導電型を同じとし、これら両トランジスタのベース電極
    を第2接続点にて共に接続して成る電流源回路におい
    て、当該電流源回路が: 前記第1及び第2トランジスタ(T1,T2)の導電型と
    は反対の導電型で、且つ前記第2接続点に結合されるエ
    ミッタ電極を有するエミッタホロワとして接続した第3
    トランジスタ(T5)と; 前記第3トランジスタ(T5)のベース電極を前記共通
    端子(2)に結合させるインピーダンス素子(R5
    と; 前記第1接続点に結合させた反転入力端子と、基準電圧
    源(Vref)に結合させた非反転入力端子と、前記第1
    トランジスタ(T1)のベース電極又はエミッタ電極に
    結合させた出力端子とを有する差動増幅器: も具えていることを特徴とする電流源回路。
  2. 【請求項2】前記差動増幅器が、差動対として接続され
    る第4及び第5トランジスタ(T6,T7)を具え、第4
    トランジスタ(T6)のベース電極を前記第1接続点に
    結合させ、前記第5トランジスタ(T7)のベース電極
    を基準電圧端子(Vref)に接続し、且つ前記第5トラ
    ンジスタ(T7)のコレクタに前記インピーダンス素子
    (R5)を接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載の電流源回路。
  3. 【請求項3】前記第4及び第5トランジスタ(T8
    9)の導電型を互いに反対の導電型とし、第5トラン
    ジスタ(T9)の導電型を前記第3トランジスタ(T5
    の導電型と同じとしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第2項に記載の電流源回路。
  4. 【請求項4】前記第1及び第2トランジスタ(T1
    2)のエミッタリードを共通抵抗(R6)を介して前記
    共通端子(2)に結合させ、且つ前記差動増幅器の反転
    入力端子を第1接続点に接続するとともに、差動増幅器
    の出力端子を前記共通抵抗(R6)と前記第1及び第2
    トランジスタ(T1,T2)のエミッタリードとの相互接
    続点に結合したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の電流源回路。
  5. 【請求項5】前記差動増幅器が第4トランジスタ
    (T10)を具え、この第4トランジスタのベース電極を
    前記第1トランジスタ(T1)のコレクタに結合させ、
    且つ前記第4トランジスタのコレクタを前記相互接続点
    に結合させたことを特徴とする特許請求の範囲第4項に
    記載の電流源回路。
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