KR920005353A - 접촉구에서의 장벽금속 형성방법 - Google Patents
접촉구에서의 장벽금속 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 단면도.
Claims (6)
- 접촉구(35)가 형성된 반도체 기판(20)의 장벽금속 형성 방법에 있어서, 상기 접촉구(35) 표면에 티타늄막(26)을 형성하는 제1공정과, 상기 기판(20)에 바이어스를 인가하지 않은 상태에서 상태에서 스파터법으로 상기 티타늄막(26)상면에 제1질화티타늄막(28)을 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에 연속하는 상기 1기판(20)에 소정의 바이어스를 인가한 상태에서 제2질화티타늄막(30)을 형성하는 제3공정과, 상기 기판(20)상면에 금속배선(32)을 형성하는 제4공정이 순차적으로 이루어짐을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판(20)이 실리콘 기판임을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배선(32)이 알루미늄 또는 알류미늄-2%실리콘 합금배선임을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에서 인가되는 바이어스 전압이 60-80V임을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정과 제3공정이 같은 반응실내에서 연속적으로 이루어짐을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2질화티타늄막(28,30)이 티타늄-텅스텐 합금이나 지르코늄 질화물로 대신 될수도 있음을 특징으로 하는 접촉구에서의 장벽금속 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019900012216A KR920005353A (ko) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 접촉구에서의 장벽금속 형성방법 |
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| KR1019900012216A KR920005353A (ko) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 접촉구에서의 장벽금속 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920005353A true KR920005353A (ko) | 1992-03-28 |
Family
ID=67542625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019900012216A KR920005353A (ko) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | 접촉구에서의 장벽금속 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920005353A (ko) |
-
1990
- 1990-08-09 KR KR1019900012216A patent/KR920005353A/ko not_active IP Right Cessation
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