KR920005154B1

KR920005154B1 - 불휘발성 반도체기억장치

Info

Publication number: KR920005154B1
Application number: KR1019890013570A
Authority: KR
Inventors: 노부아키 오츠카; 스미오 다나카; 준이치 미야모토; 시게루 아츠미
Original assignee: 가부시키가이샤 도시바; 아오이 죠이치
Priority date: 1988-09-21
Filing date: 1989-09-21
Publication date: 1992-06-27
Also published as: JPH0778998B2; JPH0287394A; KR900005467A

Abstract

내용 없음.

Description

불휘발성 반도체기억장치

제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 불휘발성 반도체기억장치의 구성을 도시해 놓은 회로도.

제2도 및 제3도는 각각 제1도에 도시된 회로의 타이밍챠트.

제4도는 종래의 불휘발성 반도체기억장치의 구성을 도시해 놓은 회로도.

제5도는 제4도에 도시된 회로의 타이밍챠트.

제6도는 제4도에 도시된 회로의 파형도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

MC11, MC12, ~, MC1n, ~, MCmn : 메모리셀

WL1, WL2, ~WLm : 워드선 BL1, BL2, ~, BLn : 비트 선

BT1, BT2, ~, BTn : 비트선선택용 트랜지스터

11 : 헹디코더 12 : 열디코더

13 : 노드 14 : 기록선택용 트랜지스터

15 : 전원단자 16 : 전원변환회로

17 : 전원변환회로의 출력노드 22 : 센스증폭기

23 : 출력버퍼

[산업상의 이용분야]

본 발명은 이중게이트구조를 갖운 불휘발성 메모리셀이 사용된 데이터기록이 가능한 불휘발성 반도체기억장치에 관한 것으로, 특히 데이터의 오기록을 방지할 수 있도록 된 불휘발성 반도체기억장치에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 그 문제점]

제4도는 메모리셀로서 플로우팅게이트형 트랜지스터를 사용한 종래 EPROM의 일부구성을 도시해 놓은 회로도로, 도면에서 참조부호 MC11, MC12, …. MC1n, …, MCmn은 각각 메모리셀이고, WL1, WL2, …, WLm은 워드선이며 BL1, BL2, …, BLn은 비트선, BT1, BT2, …, BTn은 P챈널의 비트선선택용 트랜지스터, 11은 행디코더, 12는 열디코더, 13든 상기 비트선선택용 트랜지스터(BT1~BTn)의 소오스가 공통접속되어 있는 노드, 14는 P챈널의 기록용 트랜지스터, 15는 상기 기록용 트랜지스터(14)의 소오스가 접속됨과 더불어, 데이터독출기간에는 저전위의 전원전압(Vcc)이 공급되고 데이터기록기간에는 고전위의 전원전압(Vpp)이 공급되는 전원단자, 16은 전원변환회로, 17은 이 전원변환회로(16)의 출력노드이다. 또 여기서 상기 전원변환회로(16)는 P챈널 MOS 트랜지스터(18, 19) 및 N 챈널 MOS 트랜지스터(20, 21)로 구성되어 데이터기록기간에 입력되는 기록데이터(Din)에 따라 고전위(Vpp) 또는 접지전위(Vss)를 그 출력노드(17)로 출력시키게 된다.

상기 각 메모리셀(MC11, …, MCln, …, MCmn)에는 플로우팅게이트에 대한 광전자의 주입에 따른 임계전압의 변하를 이용해서 데이터를 기억시키게 되는 바, 즉 예를들어 전자가 주입되어 있지 않은 메모리셀은 데이터 "1"에 해당되고, 전자가 주입되어 있는 메모리셀은 데이터 "0"에 해당된다.

또한, 이와 같은 전자의 주입을 실행하는 경우에는 해당 메모리셀의 드레인과 게이트에 각각 기록용 고전위를 인가하게 된다. 즉, 메모리셀(MC11)에 데이터를 기록하는 경우에는 행디코더(11)로 워드선(WL1)을 선택한 후, 그 워드선(WL1)의 전위를 기록용의 고전위로 설정하고, 또 열디코더(12)의 출력으로 비트선선택용 트랜지스터(BT1)를 도통시켜 비트선(BL1)을 선택하게 된다.

그리고, 이때 "0"데이터의 기록을 실행하는 경우에는 기록 선택용 트랜지스터(14)가 도통상태로 되어 비트선(BL1)에는 전원단자(15)로부터 기록선택용 트랜지스터(14) 및 비트선선택용 트랜지스터(BT1)를 통해서 전원전압(Vpp)에 의한 고전위가 인가되게 된다. 따라서 메모리셀(MC11)이 도통되어 소오스·드레인간에 전류가 흐르게 되는데, 이때 상기 양트랜지스터(14, BT1)에서의 전압강하에 의해 비트선(BL1)의 전위는 Vpp에 비해서 낮게 되지만 데이터독출상태에서의 비트선전위에 비하면 충분히 높기 때문에(이하 이 전압을 Vpp'라 칭한다) 상기 메모리셀(MC11)에는 게이트와 드레인의 양쪽에 동시에 고전위가 인가되게 되고, 그에 따라 소오스·드레인간의 챈널영역의 드레인근방에서 광전자가 발생하여 플로우팅게이트에 주입되게 됨으로써 데이터 "0"이 기록되게 된다.

한편, "1"데이터의 기록을 행하는 경우에는 기록선택용 트랜지스터(14)가 비도통상태로 되게 되므로, 이때 비트선(BL1)에 고전위가 인가되지 않게 된다. 따라서, 이때 메모리셀(MC11)에 있어서는 그 게이트에는 고전위가 인가되지만 드레인에는 낮은 전위밖에 인가되지 않으므로 플로우팅게이트로의 전자주입은 실행되지 않고 데이터 "1"이 보전되게 된다. 또 상술한 "0"기록의 경우에 있어서도 드레인과 게이트가 동시에 고전위 되는 것은 메모리셀(MC11)만이기 때문에 다른 메모리셀에서 플로우팅게이트로 전자가 주입되는 일은 발생되지 않게 된다. 즉, 어드레스에 의해 지정된 메모리셀에만 데이터기록이 실행되게 된다.

그런데, 데이터독출기간에는 전원단자(15)에 낮은 전원전압(Vcc)이 공급되지만, 상기와 같은 데이터기록기간에는 전원전압(Vcc) 대신에 고전위의 전원전압(Vpp)이 공급되게 되는 바, 데이터기록동작은 그 전원단자(15)에 공급되는 전압의 전환을 도시되지 않는 전압검출회로로 검출함으로써 개시되게 된다.

제5도는 데이터기록동작시의 타이밍관계를 간략하게 도시해 놓은 타이밍챠트로, 데이터기록동작이 실행될 때에는 전원단자(15)에 공급되는 전원전압이 Vcc에서 Vpp로 전환되고, 또 이 전압의 전환으로부터 소정시간 후에 외부로부터 입력되는 제어신호, 예컨대 프로그램신호(

)나 칩·이네이블신호(

)가 소정시간동안 "0"레벨로 설정된다. 그리고 이 기록제어신호에 동기되어 워드선의 전위가 Vcc에서 Vpp의 전위로 전환됨과 동시에 비트선의 전위가 그 기록상태가 "0"기록상태인가 또는 "1"기록상태인가에 따라서 Vpp'전위나 Vss 전위로 설정되게 된다.

또 제5도에 도시된 타이밍챠트에 있어서, T1은 통상의 데이터독출기간이고, T2이하가 데이터기록기간에 해당되는데, 특히 이 데이터기록기간은 기록가능기간(T3)과 기록금지기간(T2, T4)으로 이루어지게 된다.

여기서, 어드레스에 의해 제4도중의 메모리셀(MC11)이 선택되고, 또 회로동작기간이 상기 제5도에 도시된 타이밍챠트의 기간(T2)인 기록금지기간으로 되어 있는 경우에는 전원변환회로(16)로부터 그 노드(17)로 Vpp 전위가 출력되게 된다. 따라서 기록선택용 트랜지스터(14)는 비도통상태로 되어 비트선(BL1)에는 고전위가 인가되지 않게 된다.

그런데 이 상태에서 전원단자(15)에 인가되는 전압이 Vcc에서 Vpp로 전환되고 상기 기간(T2)이 시작될 때의 회로동작을 고려해 보면, 상기 기간(T2)이 개시될 때에는 노드(17)의 전위가 전원단자(15)와 마찬가지로 Vcc에서 Vpp로 상승하게 되지만, 전원변환회로(16)는 제4도에 도시된 바와 같이 피드백회로를 이용한 구성으로 되어 있기 때문에 노드(17)의 전위상승이 전원단자(15)의 전위상승에 비해 지연될 가능성이 있게 된다.

즉, 기록데이터(Din)가 "0"레벨로 될때 전원변환회로(16)내에서는 N챈널 MOS 트랜지스터(20)가 비도통 상태로 되면서 P챈널 NOS 트랜지스터(18)는 도통상태로 되므로, 노드(17)는 그 도통된 트랜지스터(18)에 의해 전원단자(15)의 전위(Vcc)로 설정되게 된다. 그리고 이 상태에서 전원단자(15)에 인가되는 전압이 제6도중의 파형 a로 나타낸 바와 같이 Vcc에서 Vpp로 상승하게 되면, 노드(17)는 트랜지스터(18)를 통해서 충전되게 되는데, 이때 트랜지스터(18)의 저항성분과 그 노드에 존재하는 용량성분에 의한 지연시간에 의해 그 노드(17)에서의 전위상승은 제6도중의 파형 b로 나타낸 바와 같이 파형 a에 비해 지연되게 된다. 그리고 이와 같은 지연에 의해 양파형의 전위차(△V)가 P챈널 MOS 트랜지스터의 임계전압의 절대값(｜Vthp｜)보다도 커지게 되면 기록선택용 트랜지스터(14)가 도통되게 되므로, 이 트랜지스터(14)가 도통되는 제6도중의 기간(T11)에 어드레스에 의해 선택되게 되는 비트선(BL1)이 그 도통한 트랜지스터(14)를 통해서 전원단자(15)의 전위(Vpp)로 충전되게 된다. 특히 전원단자(15)의 전위(Vpp)와 노드(17)의 전위와의 차가 ｜Vthp｜보다 작아져서 기록용 트랜지스터(14)가 비도통상태로 복귀된 후에도, 종래의 회로에서는 그 충전된 비트선(BL1)을 방전시키는 경로가 존재하지 않기 때문에 그 비트선(BL1)은 기록용 고전위로 충전되어 있게 된다.

또, 도시되지는 않았지만 비트선선택용 트랜지스터(BT1~BTn)의 게이트구동신호를 발생시키는 열디코더(12)도 상술한 전원변화회로(16)와 동일한 피드백회로를 이용한 구성으로 되어 있기 때문에, 앞의 기록선택용 트랜지스터(14)와 마찬가지로 본래는 비도통상태로 있어야 할 비선택비트선에 접속된 비트선선택용 트랜지스터(BT2~BTn)가 일시적으로 도통될 가능성이 있게 된다. 따라서 종래의 회로에서는 선택되어 있는 비트선만이 아닌 모든 비트선이 기록용 고전위로 충전될 우려가 있다.

물론, 상기 제5도중의 기록금지기간(T2)에서는 워드선전위가 Vcc로 되어 있기 때문에 비선택된 비트선이 기록용 고전위로 충전되더라도 메모리셀에서는 데이터가 기록되지 않게 된다. 그러나 그후 기록제어신호가 "0"레벨로 저하되어 기록가능기간(T3 ; 제5도)으로 이 행하게 됨으로써 워드선전위가 Vpp'의 고전위로 상승하게 되고, 또 "1"기록을 행하는 경우에는, 본래 고전위로 되지 않아야 할 비트선이 미리 고전위로 충전됨에 의해 워드선전위가 고전위로 될 때 그 해당 메모리셀에 대해서 "0"기록이 행해질 우려가 있게 된다.

즉, 이상 설명한 바와 같이 종래의 불휘발성 반도체기억장치에서는 본래 기록해야할 데이터와 다른 데이터가 기록되는 오기록이 발생될 우려가 있다.

[발명의 목적]

이에, 본 발명은 상기한 사정을 고려해서 발명된 것으로, 데이터의 오기록발생을 방지할 수 있도록 된 불휘발성 반도체 기억장치를 제공함에 그 목적이 있다.

[발명의 구성]

본 발명에 따른 불휘발성 반도체기억장치는 소오스, 드레인 및 게이트를 갖춤과 더불어 소오스가 저전위에 접속된 이중게이트구조를 갖춘 불휘발성 메모리셀과, 이 메모리셀의 드레인이 접속된 비트선, 데이터독출기간에는 제1전원전압이 공급되고 데이터기록기간에는 이 제1전원전압보다도 고전위인 제2전원전압이 공급되는 전원단자, 소오스, 드레인중 한쪽이 상기 비트선에 결합됨과 더불어 다른 쪽이 상기 전원단자에 결합되어 기록데이터에 따라 도통제어되는 P챈널의 제1MOS 트랜지스터 및, 소오스, 드레인중 한쪽이 상기 비트선에 결합됨과 더불어 다른 쪽이 저전위에 결합되어 적어도 상기 전원단자에 대해서 제2전원전압의 공급이 개시될 때에 일시적으로 도통상태로 제어되는 N챈널 제2MOS 트랜지스터를 구비한 구성으로 되어 있다.

더욱이, 본 발명에 따른 불휘발성 반도체기억장치는 제2MOS 트랜지스터의 컨덕턴스가 상기 전원단자와 상기 비트선과의 사이에 삽입되어 있는 상기 제1MOS 트랜지스터를 포함하는 어떤 MOS 트랜지스터의 컨덕턴스보다도 크게 설정되어 있다.

[작용]

상기한 구성으로 된 본 발명에 의하면, 전원단자에 제2전원전압의 공급이 개시될 때에 비트선과 저전위와의 사이에 삽입된 N 채널의 제2MOS 트랜지스터가 일시적으로 도통상태로 제어됨으로써 제2전원전압의 공급개시후에 그 제2전원전압으로 충전된 비트선이 저전위로 방전되게 된다. 또 이때 제2MOS 트랜지스터의 컨덕턴스를 상기 전원단자와 상기 비트선과의 사이에 삽입되어 있는 상기 제1MOS 트랜지스터를 포함하는 어떠한 MOS 트랜지스터의 컨덕턴스보다도 크게 설정해 놓음으로써 제2MOS 트랜지스터가 도통된 때에 비트선전위를 충분히 저전위로 저하시킬 수 있게 된다.

[실시예]

이하, 도면을 참조해서 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.

제1도는 본 발명을 종래와 마찬가지로 메모리셀로서 플로우팅게이트형 불휘발성 트랜지스터가 사용된 ERROM에 실시한 경우의 일부분의 구성을 도시해 놓은 회로도이다.

제1도에 있어서, 참조부호 MC11, MC12, …, MC1n, …, MCmn은 각각 플로우팅게이트형 트랜지스터이면서 행렬형태로 배치된 메모리셀인데, 이들 메모리셀(MC11, MC12, …, MC1n, …, MCmn)의 소오스는 모두 접지되어 있다. 그리고 상기 메모리셀(MC11, MC12, …, MC1n, …, MCmn)중 동일행에 배치된 각 n개의 메모리셀의 게이트는 행디코더(11)의 출력으로 구동되는 m개의 워드선(WL1, WL2, …, WLm)중 대응하는 1개의 병렬로 접속되어 있고, 또 동일한 열로 배치된 각 m개의 메모리셀의 드레인은 n개의 비트선(BL1, BL2, …, BLn)중 대응하는 1개에 병렬로 접속되어 있다.

상기 n개의 비트선(BL1, BL2, …, BLn)에 열디코더(12)의 출력으로 구동되는 P챈널 MOS 트랜지스터로 이루어진 각 비트선선택용 트랜지스터(BT1, BT2, …, BTn)의 드레인이 접속되어 있는데, 이들 트랜지스터(BT1, BT2, …, BTn)의 소오스는 노드(13)에 공통으로 접속되어 있다. 또한 이 노드(13)에는 P챈널 MOS 트랜지스터로 이루어진 기록선택용 트랜지스터(14)의 드레인이 접속되어 있는데, 이 트랜지스터(14)는 그 소오스에 데이터독출기간에는 저전위의 전원전압(Vcc)이 공급됨과 더불어 데이터기록기간에는 고전위의 전원전압(Vpp)이 공급되는 전원단자(15)가 접속되는 한편, 그 게이트에는 피드백형 전원변환회로(16)의 출력노드(17)의 신호가 공급되게 된다.

상기 전원변환회로(16)는 P챈널 MOS 트랜지스터(18, 19) 및 N챈널 MOS 트랜지스터(20, 21)로 구성되어, 데이터기록기간에 입력되는 데이터(Din)를 근거로 해서 고전위(Vpp) 또는 접지전위(Vss)를 그 출력노드(17)로 출력하게 된다. 또 상기 노드(13)에는 데이터독출기간에 그 노드(13)의 전위를 검출함으로써 데이터를 검출하는 센스증폭기(22)가 접속되어 있는데, 이 센스증폭기(22)에서 검출된 데이터는 출력버퍼(23)를 통해서 출력데이터(Dout)로서 출력된다.

한편, 상술한 전류변환회로(16)로서 피드백형 회로를 이용하는 이유는 다음과 같다.

전류변환회로(16)를 피드백형 회로로 하지 않게 되면, 기록데이터(Din)의 "1"레벨은 Vpp보다 낮은 Vcc 전위이기 때문에 전원단자(15)에 고전위의 전원전압(Vpp)이 공급될 때에 기록 데이터(Din)가 "1"레벨로 되더라도 전원변환회로(16)내의 P챈널 MOS 트랜지스터(18)는 비도통상태로 되지 않게 된다.

그러나, 전류변환회로(16)를 피드백형 회로로 하게 되면, "1"레벨의 기록데이터(Din)가 입력될 때 N챈널 MOS 트랜지스터(20)가 도통되어 노드(17)가 Vss부근의 저전위로 되게 되는데, 이때 그 노드(17)의 전위에 의해 P챈널 MOS 트랜지스터(19)가 도통되어 Vpp의 전위가 트랜지스터(18)의 게이트에 공급되게 됨으로써 트랜지스터(18)가 비도통상태로 되게 된다. 또 전원변환회로(16)내의 N챈널 MOS 트랜지스터(21)는 상기 트랜지스터(18)의 게이트전위가 Vpp로 설정될 때 그 Vpp의 전위가 기록데이터(Din)측으로 전달되지 않도록 하게 된다.

더욱이, 상기 비트선(BL1~BLn)에는 각각 N챈널 MOS 트랜지스터로 이루어진 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)의 각 드레인이 각각 접속되어 있는데, 이들 트랜지스터(BD1~BDn)의 소오스는 모두 접지되어 있고, 또 그 게이트는 공통접속됨과 더불어 리셋트신호(RST)가 공급되도록 되어 있다. 또한, 상기 각 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)의 컨덕턴스(gm값)는 전원단자(15)와 각각의 비트선과의 사이에 직렬로 삽입되어 있는 트랜지스터(14) 및 비트선선택용 트랜지스터(BT1~BTn)중 어떤 것의 컨덕턴스보다도 충분히 크도록 설정되게 된다.

또 제1도에 도시된 회로에서 비트선선택용 트랜지스터는 1단으로 구성되어 있지만, 이는 설명을 간단히 하기 위한 것으로 이 비트선선택용 트랜지스터는 비트선의 갯수에 따라서 2단 이상 직렬접속되게 되고, 또 노드(13)를 근원으로 해서 비트선을 따라 역트리(逆 tree) 구조로 하는 것이 일반적이다. 또한 이 EPROM이 복수비트구성인 경우에는 한번에 기록 또는 독출이 행해지는 데이터의 비트성분만큼 제1도에 도시된 바와 같은 구성의 회로가 복수개 설치되게 되는데, 단 이 경우에도 행디코더(11) 및 열디코더(12)만은 모든 비트에 대해서 공통으로 설치되게 된다.

이어, 상기와 같은 구성으로 된 EPROM의 동작을 설명한다.

제2도는 상술한 구성으로 된 EPROM의 동작을 설명하기 위한 타이밍챠트로, 제2도에서 T1은 통상의 데이터독출기간이고, T2이하가 데이터기록기간이다. 특히 이 기록기간은 기록가능기간(T3)과 기록금지기간(T2, T4) 및 기록데이터의 검색기간(T5)으로 이루어져 있는데, 이 검색기간에는 데이터기록이 실행된 직후에 어드레스를 변화시키지 않고 기록이 실행된 메모리셀로부터 데이터를 독출하여 그 기록된 데이터가 기록데이터와 일치하는가 등의 검증을 실행하게 된다.

메모리셀에 대해서 데이터기록동작이 실행될 때에는 종래의 경우와 마찬가지로 전원단자(15)에 공급되는 전원전압이 Vcc에서 Vpp로 전환된다. 그리고 이 전압의 전환으로부터 소정시간후에 기록제어신호, 예컨대 프로그램신호(

)나 칩이네이블신호(

)가 소정시간동안 "0"레벨로 설정되고, 또 그 기록제어신호에 동기되어 워드선의 전위가 Vcc에서 Vpp의 레벨로 전환됨과 동시에 비트선의 전위가 "0"기록상태인가 "1"기록상태인가에 따라서 Vpp 또는 Vss 전위로 설정되게 된다.

여기서, 어드레스에 의해 제1도의 메모리셀(MC11)이 선택되어 있을때, 전원단자(15)에 인가되는 전압이 Vcc에서 Vpp로 전환되어 제2도의 기록금지기간(T2)이 개시될 때의 회로동작을 고찰해 본다.

기록금지기간(T2)이 개시될 때, 제4도에 도시된 종래 회로에서 이미 설명한 바와 같이 "0"레벨의 기록데이터(Din)가 공급되고 있는 때에는 모든 비트선(BL1~BLn)이 트랜지스터(14)를 통해서 Vpp 전위로 충전될 가능성이 있다.

그러나, 본 실시예에 따른 회로에서는 전원단자(15)의 전위가 전화되어, 비트선(BL1~BLn)에 고전위의 전원전압(Vpp)의 공급이 개시될 때에, 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)에 공통게이트에 공급되는 리셋트신호(RST)가 예컨대 제2도의 ①로 나타낸 바와 같이 일시적으로 "1"레벨로 설정[이때의 리셋트신호(RST)의 "1"레벨기간은 기간(T2)와 동일한 크기로 설정된다.]되게 됨으로써, 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)가 모두 도통되어 Vpp 전위로 충전된 비트선(BL1~BLn)이 이들 트랜지스터(BD1~BDn)를 통해서 접지전위로 방전되게 된다. 그리고, 그후 기록제어신호가 "0"레벨로 저하되게 되는 제2도의 기록가능기간(T3)의 개시와 동시에 리셋트신호(RST)가 "0"레벨로 저하되게 됨으로서 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)는 모두 비도통상태로 되게 된다. 따라서 워드선전위가 고전위로 됨에 의해 메모리셀에 잘못하여 "0"기록이 행해지는 것을 방지할 수 있게 된다.

한편, 상기 기록가능기간(T3)일때, "1"레벨의 기록데이터(Din)가 공급되고 있는 비트에 해당되는 전원변환회로(16)의 출력노드(17)의 전위는 "0"레벨(Vss)로 되기 때문에 이 비트의 기록선택용 트랜지스터(14)는 도통되게 된다. 따라서 노드(13)의 전위가 Vpp의 고전위로 상승하게 됨으로서 그 해당 비트에서는 정상적으로 "0"기록동작이 실행되게 된다.

또한, 제2도의 ①로 나타낸 리셋트신호(RST)는 그후 T4의 기간에서도 "1"레벨로 되게 되는데, 이것은 그후의 T5기간인 검색기간에서는 메모리셀로부터 데이터를 독출하기 위해 비트선을 데이터독출용 저전위로 설정할 필요가 있기 때문이다. 즉, T4의 기간에서도 리셋트신호(RST)의 "1"레벨에 의해 비트선방전용 트랜지스터(BD1~BDn)가 모두 도통되어 비트선(BL1~BLn)이 접지전위로 방전되게 되고, 그후 어드레스에 의해 선택된 비트선이 센스증폭기(22)내에 설치된 도시되지 않는 데이터독출용 부하회로에 의해 다시 독출시의 저전위로 설정되게 된다. 그리고 검색기간(T5)은 외부로부터 공급되는 출력이네이블신호(

)가 "0"레벨로 저하될때 개시되게 된다.

상기 ①의 리셋트신호(RST) 대신에 제2도의 ②와 같은 신호를 이용해도 되는데, 이 리셋트신호(RST)의 "1"레벨기간은 전원단자(15)의 전압이 Vcc에서 Vpp로 전환된 후부터 다음에 기록가능기간(T3)이 개시될 때까지의 기간보다도 짧게 설정된다. 또 이 ②의 리셋트신호(RST)도 기간(T5)에서의 검색동작을 고려하면 도면중 점선으로 나타낸 바와 같이 그 이전 기간(T4)의 최초 소정기간만 "0"레벨로 저하시키는 것이 좋다.

한편, 저전위의 전원전압(Vcc)이 외부로부터 공급됨과 동시에 전원단자(15)에 고전위의 기록용 전원전압(VPP)이 공급되도록 하는 방법이 채용된 경우에는 제3도에 나타낸 타이밍 챠트와 같이 전원전압(Vcc)의 상승에 동기되어 소정기간 "1"레벨로 설정되도록 한 ③의 리셋트신호(RST)를 이용해도 된다.

또한, 상기 ①의 리셋트신호(RST)는 전원전압(Vpp)이 공급되고 있는 기간에 출력이네이블신호(

)가 "1"레벨이면서 기록제어신호가 "0"레벨로 되어 있는 기간과, 전원전압(Vpp)이 공급되고 있는 기간에 출력이네이블신호(

)가 "0"레벨이면서 기록제어신호가 "1"레벨로 되어 있는 기간을 제외한 기간에서는 그 출력이 "1"레벨로 되도록 논리회로를 조합함으로서 발생시킬 수 있다.

또, 상기 ②의 리셋트신호(RST)는 통상의 어드레스천이검사회로와 마찬가지로 전원전압(Vpp)으로의 전위상승을 검출할 수 있도록 된 회로를 이용함으로써 발생시킬 수 있게 되고, 더욱이 상기 ③의 리셋트신호(RST)는 전원전압(Vpp)으로의 전위상승을 검출하는, 이른바 파워-온 회로(power-on circuit)를 이용함으로써 발생시킬 수 있다.

그런데, 많은 EPROM에서는 기록모드[제2도중의 기간(T3)에서의 동작모드]로부터 검색모드[제2도중의 기간(T5)에서의 동작모드]로 이행할 때에 비트선전위를 방전시키기 위한 검색용 리셋트트랜지스터가 각 비트선마다 설치되게 된다. 그러므로 제1도에 도시된 바와 같이 새로은 트랜지스터(BD1~BDn)를 설치하지 않고 그 검색용 리셋트트랜지스터를 이용하는 것도 가능하다. 즉, 그 검색용 리셋트트랜지스터의 게이트에 상기 ①, ②, ③의 각 리셋트신호(RST)를 OR 게이트회로를 통해서 공급함으로써 그 검색용 리셋트트랜지스터가 검색용 리셋트트랜지스터와 트랜지스터(BD1~BDn)를 겸하도록 할 수 있는데, 이렇게 하게 되면 소자수의 삭감을 도모할 수 있게 됨으로써 직접회로화하는 경우에 칩면적의 증가를 피할 수 있게 된다.

또, 검색용 리셋트트랜지스터가 트랜지스터(BD1~BDn)를 겸하도록 하는 경우에도 그 트랜지스터의 컨덕턴스를 트랜지스터(14)나 비트선선택용 트랜지스터(BT1~BTn)보다도 충분히 크게 설정해 놓을 필요가 있다.

[발명의 효과]

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 불휘발성 반도체기억장치에서는 전원단자에 고전위의 전원전아브이 공급이 개시될 때에 비트선과 저전위와의 사이에 삽입된 N챈널 MOS 트랜지스터를 일시적으로 도통상태로 제어해서 비트선전위를 저전위로 방전시키게 되므로 데이터의 오기록발생을 방지할 수 있게 된다.

Claims

소오스, 드레인 및 게이트를 갖춤과 더불어 소오스가 저전위에 접속된 이중게이트구조를 갖춘 불휘발성 반도체메모리셀(MC11~MCmn)과, 이 메모리셀(MC11~MCmn)의 드레인이 접속된 비트선(BL1~BLn), 데이터의 독출기간에는 제1전원전압(Vcc)이 공급되고 데이터기록기간에는 상기 제1전원전압(Vcc)보다도 고전위인 제2전원전압(Vpp)이 공급되는 전원단자(15), 소오스, 드레인중 한쪽이 상기 비트선(BL1~BLn)에 결합되면서 그 다른 쪽이 상기 전원단자(15)에 결합됨과 더불어 기록데이터(Din)에 따라 도통제어되는 P챈널 제1MOS 트랜지스터(41) 및, 소오스, 드레인중 한쪽이 상기 비트선(BL1~BLn)에 결합되면서 그 다른쪽이 저전위(접지전위)에 결합됨과 더불어 적어도 상기 전원단자(15)에 대해서 제2전원전압(Vpp)의 공급이 개시될 때에 일시적으로 도통상태로 제어되는 N챈널 제2MOS 트랜지스터(BD1~BDn)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
제1항에 있어서, 상기 제2MOS 트랜지스터(BD1~BDn)의 컨덕턴스가 상기 전원단자(15)와 상기 비트선(BL1~BLn)의 사이에 삽입되어 있는 상기 제1MOS 트랜지스터(14)를 포함하는 어떤 MOS 트랜지스터의 컨덕턴스보다도 크게 설정된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.