KR910020449A - 도전막 검사방법과 그 검사시스템 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

도전막 검사방법과 그 검사시스템

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 도전막 검사법 및 그것을 실시하는 도전막 검사시스템의 제1실시예로서의 허어메틱 (hermetic) 피복전기 저항측정시스템의 구성도, 제7도는 본 발명의 도전막 검사법 및 그것을 실시하는 도전막 검사시스템의 제2실시 예로서의 허어메틱 피복 전기저항측정 시스템의 구성도이고, 제10도는 본 발명의 도전막 검사법 및 그것을 실시하는 도전막검사시스템의 제4실시 예로서의 허어메틱 피복전기저항 측정시스템의 구성도.

Claims (66)

1. 검사대상의 도전막에 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파자계의 평균강도를 그 고주파자계의 고주파수보다도 충분히 낮은 주파수로 변동시켜, 전기한 고주파자계를 도전막의 근방으로부터 도전막에 인가하여 도전막에 와전류를 발생시키는 단계와, 전기한 도전막에 발생한 와전류를 검출하는 단계와, 그 검출 와전류에 따른 복소임피던스백터의 위상각에 대응하는 도전막의 전기저항치를 산출하는 단계를 구비하는 도전막 검사방법.
2. 제1항에 있어서, 전기한 고주파자계를 발생시키는 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하여, 그 바이어스전류가 가산된 고주파전류를 상기 낮은 주파수로 온, 오프하여 평균강도를 변화시키는 도전막 검사방법.
3. 제1항에 있어서, 전기한 고주파자계를 발생시키는 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하기, 다시 소정의 진폭을 보유하며 상기 낮은 주파수의 교류전류를 가산하여 평균강도를 변화시키는 도전막 검사방법.
4. 제1항에 있어서, 전기한 도전막을 지지하는 부재를 상기 낮은 주파수로 진동시켜, 전기한 낮은 주파수로, 도전막의 근방에 배설되는 와전류발생, 검출센서와 도전막의 거리를 변화시키는 도전막 검사방법.
5. 제1항에 있어서, 전기한 고주파자계를 발생시키는 고주파 전류를 도전막의 근방에 배설된 와전류발생, 검출센서에 인가하여, 그 센서와 도전막의 거리를 전기한 낮은 주파수의 진동수로 센서와도 도전막과의 거리를 변화시키는 도전막 검사방법.
6. 제1항에 있어서, 전기한 도전막은 코어 및 피복을 보유하는 광화이버소선의 피복의 외표면에 형성된 도전성 허어메틱피복의 도전막 검사법.
7. 제5항에 있어서, 전기한 헤어메틱피복은 대략 500 ∼ 1000A 정도의 막두께를 보유하며, 수 ∼수십 ㏀/㎝ 정도의 전기저항치를 보유하고, 상기고주파전류의 주파수는 대략 1∼ 5MHz정도의 도전막 검사방법.
8. 제7항에 있어서, 전기한 충분히 낮은 주파수는, 상기 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파수의 거의 1/ 100이하의 도전막 검사방법.
9. 제8항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 전기저항치의 측정은 허어메틱피복의 외부에 형성된 보호피막의 외부로부터 행하는 도전막 검사법.
10. 제9항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 전기저항치의 측정은 허어메틱피복을 보유하는 광화이버의 이동과정에 있어서, 연속적으로 행하는 도전막 검사방법.
11. 제9항에 있어서, 전기 허어메틱피복의 전기저항치의 측정은 허어메틱피복을 보유하는 광화이버의 정지상태에 있어서 행하는 도전막 검사방법.
12. 제1항에 있어서, 전기한 도전막은 자성박막인 도전막 검사방법.
13. 제1항에 있어서, 다시 그 산출된 전기저항치로부터 상기 도전막의 성막상태를 평가하는 단게를 보유하는 도전막 검사방법.
14. 검사대상으로되는 도전막의 근방에 배설된 와전류발생, 검출용센서와, 전기한 도전막에 와전류를 발생시키는데에 충분히 높은 주파수의 고주파전류를 발생하고, 전기한 와전류발생, 검출용센서에 인가하는 고주파전원과, 그 고주파전원으로 부터의 고주파전류를, 그 고주파전류의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 그 평균강도를 변화시켜서 와전류발생, 검출용센서에 인가하는 평균강도 변화수단과, 와전류발생, 검출용센서로 검출한 와전류로부터 도전막의 전기저항치를 산출하는 수단을 구비하는 도전막 검사시스템.
15. 제4항에 있어서, 전기한 평균강도 변화수단은, 전기한 고주전류를 발생하는 고주파전원, 그 고주파전류를 바이어스하는 직류바이어스 전류를 발생하는 직류바이어스전원, 그 직류바이어스 전류를 고주파 전류에 가산하는 회로, 그 가산회로로 부터의 바이어스된 고주파 전류를, 전기한 충분히 낮은 주파수로, 온, 오프하는 스위칭 수단을 보유하는 도전막 검사시스템.
16. 제14항에 있어서, 전기한 평균강도 변화수단은, 고주파 전류를 발생하는 고주파전원, 그 고주파 전류를 바이어스하는 직류바이어스 전류를 발생하는 직류바이어스전원, 소정의 진폭을 보유하고, 전기한 충분한 낮은 주파수의 교류전류를 발생하는 저주파전원 및 고주파전원으로부터의 고주파 전류, 전기한 직류바이어스 전원으로 부터의 직류바이어스 전류 및 저주파전원으로 부터의 저주파 전류를 가산하는 회로를 보유하는 도전막 검사시스템.
17. 제14항에 있어서, 전기한 평균강도 변화수단은, 와전류발생, 검출용센서와 도전막과 거리를 낮은 주파수로 변화시키는 진동수단을 보유하는 도전막 검사시스템.
18. 제16항에 있어서, 전기한 진동수단은 와전류발생, 검출용센서를 진동시켜서 도전막과의 거리를 변화시키는 수단을 보유하는 도전막 검사시스템.
19. 제16항에 있어서, 전기한 진동수단은 도전막을 진동시켜서 와전류발생, 검출용센서와의 거리를 변화시키는 수단을 보유하는 도전막 검사시스템.
20. 제14항에 있어서, 전기한 전기저항치를 산출하는 수단은 컴퓨터를 보유하는 도전막 검사시스템.
21. 제14항에 있어서, 전기한 도전막은, 코어 및 피복을 보유하는 광화이버피복의 그 표면에 형성된 도전성 허어메틸피복의 도전막 검사시스템.
22. 제21항에 있어서, 전기한 허어메틱피복은 대략 500 ∼ 1000A 정도의 막두께를 보유하고, 수 ∼ 수십㏀/㎝ 정도의 전기저항치를 보유하고, 상기고주파전류의 주파수는 대략 1∼ 5MHz 정도의 도전막 검사시스템.
23. 제22항에 있어서, 전기한 충분히 낮은 주파수는, 상기 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파수의 대략 1/ 100이하의 도전막 검사시스템.
24. 제14항에 있어서, 전기한 도전성막은 자성박막인 도전막 검사시스템.
25. 코어 및 피복을 보유하는 광화이버소선을 형성하는 단계와, 그 피복의 그 표면에 도전성 허어메틱피복을 형성하는 단계와, 그 허어메틱피복에 근접적으로 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파수의 고주파자계의 평균강도를 그 고주파자계의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시켜서, 그 변동자계를 전기한 허어메틱피복의 근방으로부터 허어메틱피복에 인가하는 단계와 전기한 허어메틱피복에 발생한 와전류를 검출하는 단계와, 그 검출 와전류로부터 복소 임피던스 베턱의 위상각에 대응하는 허어메틱 피복의 전기저항치를 산출 하는 단계와 그 산출된 전기저항치에 따라서 전기한 허어메틱피복형성 단계에 있어서의 허어메틱피복 형성조건을 조정하는 단계를 보유하는 광화이버의 제조방법.
26. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은 허어메틱피복 형성용 원료가스의 도입량을 조정하는 광화이버의 제조방법.
27. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은 허어메틱피복 형성온도를 조정하는 광화이버의 제조방법.
28. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은, 헤어메틱피복 형성용 원료가스의 도입량 및 허어메틱피복 형성온도를 조정하는 광화이버의 제조방법.
29. 제25항에 있어서, 전기한 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하고, 그 가산전류를 상기 낮은 주파수로 온, 오프하여 평균강도를 변화시키는 광화이버의 제조방법.
30. 제25항에 있어서, 전기한 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하고, 또한 소정의 진폭을 보유하고 상기 낮은 주파수의 교류전류를 가산하여 평균강도를 변화시키는 광화이버의 제조방법.
31. 제25항에 있어서, 전기한 고주파전류를 도전막의 근방에 배설되는 와전류발생, 검출코일에 인가하고, 그 코일과 도전막의 거리를 낮은 주파수의 진동수로, 전기한 코일과 도전막과의 거리를 변화시키는 광화이버의 제조 방법.
32. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복을 보유하는 광화이버가 이동하고 있는 상태로 허어메틱피복의 전기저항치가 연속적으로 산출되어, 온라인으로 허어메틱피복 형성조건의 조정이 행하여지는 광화이버의 제조방법.
33. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복은 대략 500 ∼ 1000A 정도의 막두께를 보유하고, 수 ∼ 수십㏀/㎝ 정도의 전기저항치를 보유하고, 상기고주파전류의 주파수는 대략 1∼ 5MHz 정도인 광화이버의 제조방법.
34. 제33항에 있어서, 전기한 충분히 낮은 주파수는, 상기 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파수의거의 1/100이하인 광화이버의 제조방법.
35. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 외표면에 보호피막을 형성하는 단계를 보유하고, 허어메틱피복의 전기저항치의 측정은 전기한 보호피복의 외부에서 행하는 광화이버의 제조방법.
36. 제25항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 전기저항 측정단계 ∼ 전기한 허어메틱피복 형성 조건의 조정단계를 온라인으로 연속적으로 행하는 광화이버의 제조방법.
37. 광화이버 모재를 선을 끌어서 코어 및 피복을 보유하는 광화이버소선을 형성하는 선인로와, 이 선이로의 후단에 배설되고, 허어메틱피복 형성용 원료가스 및 선인된 광화이버소선이 도입되고, 열분해 반응에 의하여 전기한 원료가스가 도입된 광화이버소선의 피복의 표면에 석출시켜서 도전성 허어메틱피복을 형성시키는 반응로와, 전기한 허어메틱피복의 근방에 배설된 와전류발생, 검출용센서와, 그 와전류발생, 검출용센서에 인가하여 전기한 허어메틱피복에 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파전류를 발생하는 고주파전원과, 그 고주파전원으로 부터의 고주파전류를, 이 고주파전류의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 그 평균강도를 변화시켜서, 와전류발생, 검출용센서에 인가하는 평균강도 변화수단과, 전기한 와전류발생, 검출용센서로 검출한 와전류로부터 허어메틱피복의 전기저항치를 산출하는 수단, 그 전기저항산출 수단으로 부터의 전기저항치에 따라서 허어메틱피복 형성조건을 조정하는 수단을 보유하는 광화이버 제조시스템.
38. 제37항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은 반응로에 도입되는 허어메틱피복 형성용 원료가스의 도입량을 조정하는 광화이버 제조시스템.
39. 제37항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은, 선인로 및 전기한 반응로의 온도를 조정하여 허어메틱피복 형성 온도를 조정하는 광화이버의 제조장치.
40. 제37항에 있어서, 전기한 허어메틱피복 형성조건의 조정은, 반응로에 도입되는 허어메틱피복 형성용 원료가스의 도입량 및 전기한 선인로 및 반응로의 허어메틱피복 형성온도를 조정하는 광화이버 제조시스템.
41. 제37항에 있어서, 전기한 평균강도 변화수단은, 고주파전류를 바이어스하는 직류 전류를 발생하는 직류바이어스전원, 그 직류바이어스 전류를 전기한 충분히 낮은 주파수로 온, 오프하는 스위칭 수단을 보유하는 광화이버 제조시스템.
42. 제37항에 있어서, 전기한 평균강도 변화수단은 고주파전류를 바이어스하는 직류전류를 발생하는 직류바이어스 전원, 전기한 충분히 낮은 주파수의 교류전류를 발생하는 저주파 전원 및 고주파 전원으로부터의 고주파전류, 직류 바이어스전원으로 부터의 직류바이어스 전류와 저주파 전원으로부터의 저주파 전류를 가산하는 회로를 보유하는 광화이버 제조시스템.
43. 제37항에 있어서, 전기한 평균강도 변화 수단은, 와전류발생, 검출용센서와 전기한 도전막과의 거리를 낮은 주파수로 변동시키는 진동수단을 보유하는 광화이버 제조 시스템.
44. 제37항에 있어서, 전기한 진동수단은, 와전류발생, 검출용코일을 도전막에 대하여 진동시켜서 전기한 도전막과 와전류발생, 검사용센서와의 거리를 변화시키는 수단을 보유하는 광화이버 제조시스템.
45. 제37항에 있어서, 전기한 진동수단은, 도전막을 와전류발생, 검사용센서에 대하여 진동시켜서 전기한 도전막과 와전류발생, 검사용센서와의 거리를 변화시키는 수단을 보유하는 광화이버 제조시스템.
46. 제37항에 있어서, 전기한 전기저항치를 산출하는 수단은 컴퓨터를 보유하는 광화이버 제조 시스템.
47. 제37항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 외표면에 보호피막을 형성하는 수단을 보유하는 광화이버 제조시스템.
48. 코어 및 피복을 보유하는 광화이버소선을 형성하고, 그 피복의 그 표면에 형성하여 광화이버를 제조하는 방법에 있어서, 그 허어메틱피복에 근접적으로 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파수의 고주파자계의 평균강도를 그 고주파자계의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시켜서, 그 변동자계를 전기한 허어메틱피복의 근방으로부터 허어메틱피복에 인가하는 단계와 전기한 허어메틱피복에 발생한 와전류를 검출하는 단계와, 그 검출 와전류로부터 복소 임피던스 벡터의 위상각에 대응하는 허어메틱 피복의 전기저항치를 산출 하는 단계와 그 산출된 전기저항치에 따라서 허어메틱피복형성 단계에 있어서의 허어메틱피복 형성조건을 조정하는 단계를 보유하는 광화이버의 허어메틱피복 형성조건 조정방법.
49. 제48항에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 전기저항측정단계 ∼ 전기한 허어메틱피복 형성 조건의 조정을 온라인으로 연속적으로 행하는 광화이버의 허어메틱피복 형성 조건 조정방법.
50. 광화이버모재르 선을 끌어서 코어 및 피복을 보유하는 광화이버소선을 형성하고, 이 광화이버소선의 피복의 표면에 도전성 허어메틱피복을 형성시켜서 광화이버를 제조하는 시스템에 있어서, 전기한 허어메틱피복의 근방에 배설된 와전류발생, 검출용센서와, 그와전류발생, 검출용센서를 인가하여 허어메틱피복에 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파전류를 발생하는 고주파전원과, 그 고주파전원으로 부터의 고주파 전류를 이고주파 전류의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 그 평균강도를 변화시켜서 전기한 와전류발생, 검출용센서에 인가하는 평균강도 변화수단과, 와전류발생, 검출용센서에서 검출한 와전류로부터 전기한 허어메틱피복의 전기저항치를 산출하는 수단과, 그 전기저항치 수단으로 부터의 전기저항치에 따라서 허어메틱피복 형성조건을 조정한 제어수단을 보유하는 광화이버의 헤어메틱피복 형성조건 조정시스템.
51. 기판위에 형성된 도전성박막에 비접촉상태로 와전류를 발생시키고, 그 발생된 와전류를 검출하고, 이 검출지로부터 산출되는 복소임피던스벡터의 위상각도로부터 상기 도전성 박막의 성막상태를 검사하는 도전막 검사법.
52. 제51항에 있어서, 도전성박막은 평면적인 넓이가 있는 박막이고, 와전류발생, 검사용센서를 도전성박막의 면위를 2차원적으로 주사시켜, 전기한 도전성박막의 전체면에 걸쳐서 그 성막상태를 검사가능케한 도전막 검사법.
53. 제51항에 있어서, 전기한 와전류발생, 검사용센서에는 도전성박막에 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파자계의 평균강도를 그 고주파자계의 고주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시켜서 전기한 고주파자계를 도전막의 근방으로부터 도전막에 인가하여 도전막에 와전류를 발생시키는 도전막 검사법.
54. 제53항에 있어서, 전기한 고주파자계를 발생시키는 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하여, 그 바이어스전류가 가산된 고주파전류를 상기 낮은 주파수로 온, 오프하여 평균강도를 변화시키는 도전막 검사방법.
55. 제53항에 있어서, 전기한 고주파자계를 발생시키는 고주파전류에 직류바이어스 전류를 가산하고, 다시 소정의 진폭을 보유하고, 상기 낮은 주파수의 교류전류를 가산하여 평균강도를 변화시키는 도전막 검사방법.
56. 제51항에 있어서, 전기한 도전성박막과 와전류발생, 검사용 센서와의 사이의 거리를 와전류발생용 고주파전류의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시키는 도전막 검사법.
57. 제51항에 있어서, 전기한 도전성박막은 반도체 웨이퍼위에 형성된 도전성 활성충인 도전막 검사법.
58. 제51항에 있어서, 전기한 도전성박막은 글라스 기판상에 형성된 도전성박막인 도전막 검사법.
59. 기판위에 형성된 도전성박막에 비접촉상태로 와전류를 발생시키고, 그 발생된 와전류를 검출하는 수단 및, 이 검출치로부터 복소임피던스벡터 위상각을 산출하여 상기 도전전성박막의 성막상태를 검사하는 수단을 구비하는 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
60. 제59항에 있어서, 전기한 도전성박막은 평면적인 넓이가 있는 박막이고, 와전류 발생, 검출수단은 와전류발생, 검출용센서 및 그 와전류발생, 검출용센서를 도전성박막의 면위를 2차원적으로 주사시키는 수단을 보유하고, 전기한 도전성박막의 전체면에 걸쳐서 그 성막상태를 검사가능케한 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
61. 제60항에 있어서, 전기한 성막상태 검사수단은, 와전류발생, 검사용센서에는 도전막박막에 와전류를 발생시키는데에 충분한 고주파자계의 평균강도를 그 고주파자계의 고주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시켜서, 전기한 고주파자계를 도전막의 근방으로부터 도전막에 인가하여 도전막에 와전류를 발생시키는 수단을 보유하는 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
62. 제61항에 있어서, 전기한 고주파전류의 평균강도를 변화시키는 수단은 고주파자계를 발생시키는 고주파전류에 직류바이어스전류를 가산하여, 그 바이어스 전류가 가산된 고주파 전류를 상기 낮은 주파수로 온, 오프하여 평균강도를 변화시키는 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
63. 제61항에 있어서, 전기한 고주파전류의 평균강도를 변화시키는 수단은, 고주파자계를 발생시키는 고주파 전류에 직류바이어스 전류를 가산하고, 다시 소정의 진폭을 보유하며 상기 낮은 주파수의 교류전류를 가산하여 평균강도를 변화시키는 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
64. 제61항에 있어서, 전기한 와전륨발생, 검출수단은, 도전성박막과 와전류발생, 검사용센서와의 거리를 와전류발생용 고주파전류의 주파수보다 충분히 낮은 주파수로 변동시키는 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
65. 제60항에 있어서, 전기한 도전성박막은 반도체웨이퍼 위에 형성된 도전성활성층인 도전성박막의 성막상태 검사시스템.
66. 제51항에 있어서, 전기한 도전성박막은 글라스 기판위에 형성된 도전성박막인 도전성박막의 성막상태 검사 시스템.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.