JP2566069B2 - ハーメチック被覆光ファイバの製造方法とその装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，アモルファス（非晶
質）カーボンなどの導電性ハーメチック被覆を有する光
ファイバのハーメチック被覆の成膜状態をオンラインで
評価して，その評価結果に基づいてハーメチック被覆を
形成させるハーメチック被覆光ファイバの製造方法およ
びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に光ファイバ心線（ケーブル）は，
石英製の光ファイバ母材（プリフォーム）から紡糸され
たコアとクラッドから構成される光ファイバの表面に保
護用プラスチック被覆を設けることにより製造されてい
る。このようなプラスチック被覆を有する光ファイバ心
線は，大気中の水素や水分のコアへの透過侵入によって
光信号の伝送損失が時間の経過と共に増加する性質があ
る。このような光ファイバ心線の欠点を解消するため
に，光ファイバ素線の表面，すなわち，クラッドの外表
面に緻密な構造を有するアモルファスカーボン等の無機
物質よりなるハーメチック被覆を設けて，水素分子や水
分子のコア部への透過を防ぐ構造のハーメチック被覆光
ファイバ心線が提案されている。

【０００３】このようなハーメチック被覆光ファイバ心
線は，光ファイバ母材から紡糸した直後のコアおよびク
ラッドを有する光ファイバを，反応管内においてハーメ
チック被覆形成用原料ガスに接触させ，反応管の外に設
けられたヒータからの熱および紡糸直後の光ファイバ自
体の熱を利用することによって，上記原料ガスを熱分解
反応させてクラッドの外表面にアモルファスカーボン等
のハーメチック被覆を形成させて製造される。その後，
ハーメチック被覆の外表面にプラスチック被覆などの保
護用被覆を施して光ファイバ心線とする。かかる構造の
ハーメチック被覆光ファイバ心線は，前述したハーメチ
ック被覆が有する特徴のため水素や水分の光ファイバの
コア部への透過侵入を防止して長期間にわたって光信号
の伝送損失を増加させず，さらに光ファイバの外表面を
機械的に保護し光ファイバの機械的強度を高めるという
効果を奏する。

【０００４】このようなハーメチック被覆光ファイバ心
線では，ハーメチック被覆のケーブル長手方向の安定性
が重要であり，膜質や膜厚変動が１か所でもあると，膜
厚の薄い部分から水素分子や水分子が光ファイバのコア
部に侵入し伝送損失の増加を招くこととなる。そこで，
ハーメチック被覆が光ファイバ全長に渡って均一に設け
られていることを保証する必要がある。アモルファスカ
ーボンなどのハーメチック被覆は，通常，５００〜１０
００Åの膜厚を有し，数〜数１０ＫΩ／cmの電気抵抗値
を持った導電体でもある。したがって，ハーメチック被
覆の成膜状態を評価する１つの方法としてその電気抵抗
値を測定することがハーメチック被覆の成膜状態を評価
する上で有効である。従来知られているハーメチック被
覆の成膜状態を評価する方法は，ハーメチック被覆の外
表面に形成されたプラスチック被覆を除去し，剥き出し
になったハーメチック被覆をテスターを用いてその電気
抵抗値を測定するオフラインかつ破壊方式の評価方法で
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のオフラインかつ
破壊方式による電気抵抗測定方法では，ハーメチック被
覆が形成され，さらにプラスチック被覆などの保護被覆
が形成された製品として完成された段階で行われるか
ら，ハーメチック被覆の成膜状態に不良が検出されたと
しても，その結果をハーメチック被覆形成段階にオンラ
インで製造工程にフィードバックして，その後連続して
形成されるハーメチック被覆を所定の品質を維持するた
めに有効に使用することができない。また従来の破壊方
式による電気抵抗測定方法では，部分的な抜き取り検査
となり，光ファイバ素線全長にわたってプラスチック被
覆を除去することはできないから，光ファイバ素線のケ
ーブル長手方向全長にわたって連続的にハーメチック被
覆の成膜状態を検査することは出来ない。したがって，
その検査結果を有効にハーメチック被覆形成にフィード
バックさせることができない。ハーメチック被覆形成段
階で未然に不良ハーメチック被覆が形成されないように
することが望まれるが，以上から明らかなように，従来
の電気抵抗測定方法では不良ハーメチック被覆が形成さ
れないように，ハーメチック被覆の形成段階で品質管理
を行うことができない。また，従来の他の方法として
は，保護被覆を形成させる前に電気抵抗測定用プロープ
をハーメチック被覆に直接接触させる接触電気抵抗測定
方式が考えられるが，プローブなどを移動しているハー
メチック被覆に直接接触させるとハーメチック被覆に傷
などがつき光ファイバの強度低下の原因になる場合があ
り，その従来方法を採用することはできない。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め，本願発明者は，渦電流検出方法によって，導電性ハ
ーメチック被覆の電気抵抗値を非接触でかつオンライン
で測定することを見出した。本発明によれば，コアおよ
びクラッドを有する光ファイバに導電性ハーメチック被
覆を形成する光ファイバの製造方法において，渦電流検
査法に基づいて上記ハーメチック被覆の電気抵抗値を非
接触かつオンラインで測定し，この測定した電気抵抗値
に基づいてハーメチック被覆形成条件をオンラインで調
整することを特徴とするハーメチック被覆光ファイバの
製造方法が提供される。好適には，上記渦電流検査法
は，渦電流を発生させるに充分な高周波電流をその周波
数より充分低い周波数で変動させ平均強度を変化させて
行う。また本発明によれば，上記ハーメチック被覆光フ
ァイバの製造方法を行う装置，すなわち，導電性ハーメ
チック被覆が形成された光ファイバの移動経路の近傍に
配設された渦電流発生および検出用コイル，このコイル
に，その平均強度が変化し，上記ハーメチック被覆に渦
電流を発生させる高周波電流を印加する手段，上記コイ
ルでハーメチック被覆に発生した渦電流を検出した渦電
流検出値からハーメチック被覆の電気抵抗値を算出する
手段，この算出された電気抵抗値に基づいてハーメチッ
ク被覆形成装置を制御するプロセス制御手段を有するハ
ーメチック被覆光ファイバ製造装置が提供される。

【０００７】

【作用】渦電流検査法は，導体を交番磁場中に置くとそ
の導体内に磁界を打ち消す方向に渦電流が流れ，この渦
電流の大きさや分布が，導体の形状，導電率，透磁率，
内部欠陥などにより変化することを利用してハーメチッ
ク被覆の電気抵抗値を測定するという原理に基づく。つ
まり，渦電流検査方法は，渦電流により発生する磁界が
相互誘導により渦電流発生・検出用コイルのインピーダ
ンスを変化させるので，このインピーダンスの変化を電
圧値や位相の変化として検出する。特に，本発明におい
ては，電気抵抗値を複素インピーダンス平面における位
相角として検出する。好適には，渦電流を発生されるに
充分な高周波電流をその周波数より充分低い周波数で変
動させてハーメチック被覆の渦電流発生用平均強度を変
化させると，ドリフトなどの影響を受けない位相角を規
定する２点が得られ，電気抵抗値を正確に測定できる。
渦電流検査法によってハーメチック被覆の電気抵抗値を
測定したら，その電気抵抗値からハーメチック被覆の膜
厚形成状態を評価する。この評価結果をハーメチック被
覆形成装置にフィードバックする。

【０００８】

【実施例】図１は本発明の第１実施例のハーメチック被
覆光ファイバ製造装置の構成図である。このハーメチッ
ク被覆光ファイバ製造装置は，光ファイバ母材（プリフ
ォーム）１を線引（紡糸）するためヒータ５が配設され
た線引炉（図示せず），反応管６，レーザーファイバ外
径測定器９，樹脂被覆用ダイス１０，キャプスタンロー
ラー１１，ダンサーローラー１２，巻取りドラム１３を
有している。ハーメチック被覆光ファイバ製造装置はま
た，シールガスおよび希釈ガスとして用いる不活性ガ
ス，本実施例では窒素（Ｎ₂ ）ガスが充填された窒素ガ
スボンベ１４，ハーメチック被覆形成用原料ガス，本実
施例ではアセチレン（Ｃ₂ Ｈ₂ ）ガスが充填されたアセ
チレンガスボンベ１５，これらの供給量を制御するマス
フローコントローラ（ＭＦＣ）２３〜２６を有してい
る。ハーメチック被覆光ファイバ製造装置はさらに，渦
電流発生・検出用コイル２０，このコイル２０に高周波
電流を供給しハーメチック被覆の電気抵抗値を測定する
電気抵抗測定装置２１，および，プロセス制御装置２２
を有している。

【０００９】反応管６は上部シールゾーンに窒素ガスボ
ンベ１４からシールガスであるＮ₂ ガスを封入する上部
シールガス入口６Ａ，下部のシールゾーンにＮ₂ ガスを
封入する下部シールガス入口６Ｃを有している。これら
のシールガスの質量制御はＭＦＣ２３，２６が行う。上
部シールガス入口６Ａの下部に原料ガス入口６Ｂが設け
られており，ＭＦＣ２４およびＭＦＣ２５によって，原
料ガスのＣ₂ Ｈ₂ ガスと希釈ガスとしてのＮ₂ ガスが反
応部６Ｅに導入される。使用ずみのガスは排気ポンブ８
が排出口６Ｄから排出する。上部シールガス入口６Ａと
下部シールガス入口６Ｃとの間の内部空間６Ｅがハーメ
チック被覆を形成させる反応部である。この反応部６Ｅ
の圧力を測定するため圧力センサ７が配設されている。

【００１０】プリフォーム１を線引炉で線引して，たと
えば，直径１０μｍのコアと，このコアの外部に形成さ
れた外径１２５μｍのクラッドとを有する光ファイバ２
が形成される。この光ファイバ２は反応管６に導入され
て線引炉から導出された直後の光ファイバ２自体の熱，
あるいは，この熱と反応管６の外部に配設されるヒータ
（図示せず）からの熱によって，反応部６Ｂ内に導入さ
れたＣ₂ Ｈ₂ ガスが加熱反応しクラッドの表面にカーボ
ンが析出されて厚さ５００〜１０００Åのアモルファス
・カーボンハーメチック被覆が形成され，裸の光ファイ
バ素線２Ａとして反応管６から引き出される。ＭＦＣ２
４，２５はハーメチック被覆が形成されるように，Ｃ₂
Ｈ₂ ガスおよびＮ₂ ガスを適切に質量（流量）制御を行
う。裸の光ファイバ素線２Ａはレーザー外径測定器９を
通過するときその外径が測定される。レーザー外径測定
器９を通過した光ファイバ２Ａは樹脂被覆用ダイス１０
においてプラスチック樹脂が保護被覆として付着され，
ハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂとなる。図２に上
記製造工程で製造されたハーメチック被覆光ファイバ素
線２Ｂの断面を示す。内部から外部に向けて，コア２
ａ，クラッド２ｂ，アモルファス・カーボンハーメチッ
ク被覆２ｃ，プラスチック被覆２ｄが形成され，それぞ
れ上述した厚さを有している。このハーメチック被覆光
ファイバ素線２Ｂはキャプスタンローラー１１，ダンサ
ーローラー１２を介して搬送され，巻取りドラム１３で
巻き取られる。

【００１１】本実施例においては，キャプスタンローラ
ー１１とダンサーローラー１２の間に，移動するハーメ
チック被覆光ファイバ素線２Ｂに接近させて渦電流発生
・検出用コイル２０を配設して，プラスチック被覆２ｄ
の外側から非接触状態でハーメチック被覆２ｃの電気抵
抗値をオンラインで測定する。図３に示すように，渦電
流発生・検出用コイル２０は円筒状コイル２０１が空心
樹脂２０２内に固められて形成されている。図３はま
た，ハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂに渦電流を発
生させるに充分な高周波電流を渦電流発生・検出用コイ
ル２０に供給し，このコイル２０からの渦電流検出値を
入力する電気抵抗測定装置２１の構成を示す。電気抵抗
測定装置２１は，ハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂ
に渦電流を発生させるに充分な高周波電流，たとえば，
振幅Ａ１は実効値で５ｍＡ，周波数ｆ₁ ＝２〜３ＭＨ_Z
の電流を発生させる高周波電流源２１１，バイアス電流
Ｄ１＝５００ｍＡの直流電流を発生させるバイアス電源
２１２，電流加算回路２１４，制御回路２１５，および
スイッチング回路２１６を有している。

【００１２】この電気抵抗測定装置２１によって渦電流
発生・検出用コイル２０に印加される検査用電流の波形
を図４に示す。制御回路２１５が高周波数ｆ₁ よりも充
分低い周波数ｆ₂ ，たとえば，周波数ｆ₁ の１００分の
１の周波数ｆ₂ ＝２００Ｈ_Z でスイッチング回路２１６
をオン・オフさせることにより，バイアス電流Ｄ１でバ
イアスされた高周波電流が渦電流発生・検出用コイル２
０に断続的に印加される。本実施例では，検出用電流の
平均強度を図４に示すように，検出用高周波数２ＭＨ_Z
よりも充分低い周波数２００Ｈ_Z で検出用高周波電流を
断続的にオン・オフさせた。オンタイミングの電流の周
波数は高い周波数２ＭＨ_Zであるが，その振幅はオン・
オフするときの振幅より充分小さい。このようにオン・
オフするのは，オン時の渦電流とオフ時の渦電流を検出
してこの２点で規定される複素インピーダンスベクトル
の位相角を正確に測定するためである。

【００１３】ハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂの電
気抵抗値は，図５に示すように，渦電流発生・検出用コ
イル２０が検出した渦電流から求めた複素インピーダン
ス平面における位相角θとして規定される。図５の横軸
Ｘは複素インピーダンスの実数部，縦軸Ｙは複素インピ
ーダンスの虚数部を示す。実際に抵抗値の異なる下記の
３つのサンプルａ〜ｃ，すなわち，ハーメチック被覆光
ファイバ心線内の３種のハーメチック被覆に対する測定
結果に基づく複素インピーダンスべクトルの位相角θ_a
〜θ_c を示す。 サンプルａの抵抗値＝４．６ＫΩ／cmのときθ_a ＝２１° サンプルｂの抵抗値＝７．０ＫΩ／cmのときθ_b ＝１９° サンプルｃの抵抗値＝９．３ＫΩ／cmのときθ_c ＝１３° この測定結果は下記の渦電流発生・検出用コイル２０お
よび高周波電流印加条件で求めた。 検出コイル２０１の内径 １．６mmΦ 検出コイル２０１の線径 ０．０５mmΦ 検出コイルのターン数 １５０ 検出コイルの長さ １０mm 検出コイルに流す検出用高周波数電流の周波数ｆ₁ ２ＭＨｚ 検出用電流の平均強度を変化させるオン・オフする周波数ｆ₂ ２００Ｈｚ 光ファイバ２Ｂの走行速度（線速） ６００ｍ／ｍｉｎ

【００１４】以上の結果は，サンプルとなるハーメチッ
ク被覆２ｃの電気抵抗値の増加につれて位相角θが小さ
くなっており，位相角θがサンプルの電気抵抗値に依存
していることを示している。したがって，電気抵抗測定
装置２１内の制御回路２１５にマイクロコンピュータな
どの演算手段を配設して，上記位相角θからハーメチッ
ク被覆光ファイバ素線２Ｂの電気抵抗値を計算すること
ができる。なお，図５において，渦電流発生・検出用コ
イル２０に検査用電流が印加されたＯＮタイミングにお
ける出力点が，１点にならず位相角θ方向に伸びている
のは，走行するハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂの
振動による。コイル２０に印加する検出用電流がオフの
時は，出力は零となるため原点位置になるから，この時
に毎回，零点の補正を行う。したがって，出力の零点が
温度によってドリフトすることによる影響をなくすこと
ができる。

【００１５】図６にハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値
の変化を示す。図６の曲線ＣＶ１はＭＦＣ２４が同じ設
定条件でＣ₂ Ｈ₂ ガスを原料ガス供給入口６Ｂに導入し
たときの変化を示す。このときの光ファイバ製造条件を
下記に示す。 線引炉の温度 ２１００°Ｃ 線引速度 ６００ｍ／ｍｉｎ 反応管６内圧力 −３０ｍｍＡｑ シールガス流量 １０リットル／ｍｉｎ 原料ガス流量 １リットル／ｍｉｎ 希釈ガス流量 ９リットル／ｍｉｎ 渦電流発生・検出用コイル２０の形状は上記したものと
同じである。通常，ハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値
は１０ＫΩ／ｃｍ前後であるが，曲線ＣＶ１は，ＭＦＣ
２４が同じ設定値であっても，ハーメチック被覆２ｃの
電気抵抗値が増加すること，換言すれば，膜厚が薄くな
ることを示している。その理由としては，時間経過とと
もにカーボンが反応部６Ｅの内壁に付着して管径が細く
なりガス流速が大きくなるため，クラッド２ｂの外表面
に付着するカーボン量が低下するためと考えられる。

【００１６】上記ハーメチック被覆２ｃの成膜状況のオ
ンライン補正を行うため，本発明においては，電気抵抗
測定装置２１において計算したハーメチック被覆２ｃの
電気抵抗値をプロセス制御装置２２に出力する。プロセ
ス制御装置２２は，この電気抵抗値が所定の範囲，たと
えば，１０ＫΩ／ｃｍになるようにＭＦＣ２４に制御指
令を出力する。ＭＦＣ２４はプロセス制御装置２２から
の制御指令に基づいて，アセチレンガスボンベ１５から
反応部６Ｅに導入されるＣ₂ Ｈ₂ ガスの流量を低下させ
て，クラッド２ｂの外表面に所定の厚さのアモルファス
カーボン被覆が形成されるようにする。このようにＣ₂
Ｈ₂ ガスの流量を制御して，図６の曲線ＣＶ２に示すよ
うにハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値をほぼ１０ＫΩ
／ｃｍに保ち，ハーメチック被覆２ｃの膜厚が所定の
値，たとえば，１０００Åになるようにする。このよう
にＣ₂ Ｈ₂ ガスの導入量を形成されたハーメチック被覆
２ｃの電気抵抗値をフィードバックさせることにより，
後続して形成されるハーメチック被覆２ｃの膜厚を正確
に管理することができる。

【００１７】図７に本発明の第２実施例のハーメチック
被覆光ファイバの製造装置の構成を示す。この実施例
は，図１にハーメチック被覆光ファイバの製造装置の構
成と比較すると明らかなように，プロセス制御装置２２
からのフィードバックをヒータ５を制御する温度調整器
２７の設定値を変化させるように構成したものである。
すなわち，この例は第１実施例のように直接，カーボン
流量を制御するのではなく，線引炉における線引温度を
制御する。図８Ａ〜図８Ｃに電気抵抗値と線引温度との
関係を示す。この図は，電気抵抗値がそれぞれ１０，１
５，２０ＫΩ／ｃｍにおける線引温度，そして線速を示
す。線引温度を低下させると，コア２ａおよびクラッド
２ｂからなる光ファイバの直径が細くなり，線速が遅く
なる。これにより，原料ガスの分解温度を効果的に低下
させることができる。さらに，第１実施例を参照して述
べたように，反応部６Ｅ内の変化によって電気抵抗値が
上昇するため，個々の設定条件では，ハーメチック被覆
２ｃの電気抵抗値を一定にするように線引温度を徐々に
上昇させている。

【００１８】本発明の実施に際しては，上述した第１実
施例と第２実施例とを組み合わせることもできる。また
図１および図７において，渦電流発生・検出用コイル２
０を樹脂被覆用ダイス１０とキャプスタンローラー１１
との間に配設してもよい。さらに，本発明においては，
渦電流発生・検出用コイル２０とハーメチック被覆２ｃ
とは接触しないので，レーザー外径測定器９と樹脂被覆
用ダイス１０との間に配設して，ハーメチック被覆２ｃ
の電気抵抗値を測定することもできる。

【００１９】また渦電流発生・検出用コイル２０に印加
する高周波電流は上述した図４に示した波形の他，種々
の波形の高周波電流を印加することができる。図９にそ
の高周波電流波形を示す。この高周波電流は，渦電流発
生・検出用コイル２０に流す検出用電流の周波数を３Ｍ
Ｈｚとし，検出用電流の平均強度を５０Ｈｚで変化させ
たものである。すなわち，第１実施例では高周波電流を
断続（オン・オフ）させたが，この第２実施例では，正
弦波状に変化させる。この例においては，高周波電流の
振幅Ａ２は実効値で３ｍＡ，低周波交流の振幅Ａ３は実
効値で１０ｍＡ，直流バイアス電流Ｄ２は２０ｍＡであ
った。この場合，電気抵抗測定装置２１は，図３に示す
ように，高周波数ｆ₃ ＝３ＭＨ_Z の交流電源２１１と，
破線で示した低周波数ｆ₄ ＝５０Ｈ_Z の交流電源２１
３，たとえば，商用周波数電源を有し，さらに，５０Ｈ
_Z の交流電流に３ＭＨ_Z の電流を加算する回路２１４を
有している。この加算された交流電流は渦電流発生・検
出用コイル２０に印加される。この例においても，上述
したように，ハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値に応じ
た位相角を求めることができ，その位相角からハーメチ
ック被覆２ｃの電気抵抗値を算出することができる。直
流バイアス電源２１２の出力電流を調整することによ
り，出力点が原点（零点）に近づいた時に，信号の変化
の直線が零点を通るように，補正することができる。ま
た補正をしなくとも複素インピーダンス・ベクトルの方
向のみ，すなわち位相角θを測定すれば，零点のドリフ
トとは関係なく安定した測定が可能である。

【００２０】ハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値を非接
触かつオンラインで行う他の実施例について述べる。図
１０は，図１または図７の部分図を示す。この実施例に
おいては，電気抵抗測定装置２１がキャプスタンローラ
ー１１とダンサーローラー１２との間に配設された振動
台２８を，渦電流を発生させる高周波電流の１／１０程
度の２００Ｈ_Z 程度の振動数で高速に振動させ，この載
置台２８に載置された渦電流発生・検出用コイル２０を
移動するハーメチック被覆光ファイバ素線２Ｂの近傍で
高速に振動させる。この振動は上述した高周波電流を低
い周波数電流に加算して平均電力を変化させることに等
しい。したがって，この方法によっても，移動するハー
メチック被覆光ファイバ素線２Ｂ内のハーメチック被覆
２ｃの電気抵抗値を非接触かつオンラインが正確に測定
することができる。なお，渦電流発生・検出用コイル２
０を固定しておき，移動するハーメチック被覆光ファイ
バ素線２Ｂを渦電流発生・検出用コイル２０に対して振
動させてもよい。以上から明らかなように，渦電流発生
・検出用コイル２０とハーメチック被覆光ファイバ素線
２Ｂとの間を渦電流発生用高周波電流の周波数の１／１
０程度の周波数で接近・離間させることにより，上述し
たと同様にハーメチック被覆２ｃの電気抵抗値を測定す
ることができる。

【００２１】以上の実施例はハーメチック被覆としてア
モルファスカーボン被覆を例示したが，導電性被覆であ
れば上記本発明の方法および装置を適用することができ
る。したがって，たとえば，本発明をアルミニウムなど
の導電性被覆を有するケーブルなどの製造にも用いるこ
とができる。

【００２２】

【発明の効果】以上に述べたように，本発明によれば，
移動しているハーメチック被覆光ファイバ素線内の導電
性ハーメチック被覆の電気抵抗値を非接触かつオンライ
ンで測定し，その結果をハーメチック被覆形成にフィー
ドバックさせることができるので，ハーメチック被覆形
成条件の変化に依存せず，一定の条件を充足するハーメ
チック被覆を形成することができ，不良品の発生を防止
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のハーメチック被覆光ファ
イバの製造装置の構成を示す図である。

【図２】図１に示したハーメチック被覆光ファイバの製
造装置において製造されるハーメチック被覆光ファイバ
心線の断面図である。

【図３】図１における電気抵抗測定装置および渦電流発
生・検出用コイルの構成を示す図である。

【図４】図３の電気抵抗測定装置によって渦電流発生・
検出用コイルに印加される電流波形図である。

【図５】図４に示した渦電流発生・検出用コイルによっ
て検出されるハーメチック被覆の電気抵抗値に相当する
位相角測定結果を示すグラフである。

【図６】ハーメチック被覆形成工程における時間経過に
よって変化するハーメチック被覆の電気抵抗値の時間変
化を示すグラフである。

【図７】本発明の第２実施例のハーメチック被覆光ファ
イバの製造装置の構成を示す図である。

【図８】図７に示したハーメチック被覆光ファイバの製
造装置によるハーメチック被覆の電気抵抗値，線引温度
および線速の関係を示すグラフである。

【図９】図３に示した電気抵抗測定装置によって渦電流
発生・検出用コイルに印加される電流波形の変形例を示
す図である。

【図１０】本発明のハーメチック被覆光ファイバの製造
装置におけるハーメチック被覆の電気抵抗値を測定すの
他の方法として，渦電流発生・検出用コイルをハーメチ
ック被覆光ファイバ素線に対して振動させる構成を示す
図である。

【符号の説明】

１・・プリフォーム，２Ｂ・・ハーメチック被覆光ファ
イバ素線，２ｃ・・ハーメチック被覆，５・・線引炉の
ヒータ，６・・反応管，６Ｅ・・反応部，７・・圧力セ
ンサ，９・・レーザー外径測定器，１０・・樹脂被覆用
ダイス，１１・・キャプスタンローラー，１２・・ダン
サーローラー，１３・・巻取りドラム，１４・・窒素ガ
スボンベ，１５・・アセチレンガスボンベ，２０・・渦
電流発生・検出用コイル，２１・・電気抵抗測定装置，
２２・・プロセス制御装置，２３〜２６・・ＭＦＣ，２
７・・温度調整器，２８・・振動載置台。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コアおよびクラッドを有する光ファイバ
   に導電性ハーメチック被覆を形成する光ファイバの製造
   方法において，渦電流検査法に基づいて上記ハーメチッ
   ク被覆の電気抵抗値を非接触，オンラインで測定し，こ
   の測定した電気抵抗値に基づいてオンラインでハーメチ
   ック被覆形成条件を調整することを特徴とするハーメチ
   ック被覆光ファイバの製造方法。
2. 【請求項２】 導電性ハーメチック被覆が形成された光
   ファイバの移動経路の近傍に配設された渦電流発生およ
   び検出用コイル，このコイルに，その平均強度が変化
   し，上記ハーメチック被覆に渦電流を発生させる高周波
   電流を印加する手段，上記コイルでハーメチック被覆に
   発生した渦電流を検出した渦電流検出値からハーメチッ
   ク被覆の電気抵抗値を算出する手段，この算出された電
   気抵抗値に基づいてハーメチック被覆形成装置を制御す
   る制御手段を有するハーメチック被覆光ファイバ製造装
   置。