KR910013584A - P형 도전성 게이트전극을 갖춘 mos구조의 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 반도체장치의 1실시예인 MOS 다이오드의 게이전극의 단면도,
제4도는 본 발명에 따른 P형 도전성 게이트을 갖춘 반도체장치의 제조방법에 이용되는 질소와 붕소가 첨가된 다결정실리콘층을 퇴적시키는 장치의 개략도.
Claims (7)
- 붕소가 첨가된 다결정실리콘층과 붕소가 불활성화물이 첨가된 다결정 실리콘층을 포함한 2층 구조의 게이트전극을 구비한 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불활성화물이 질소인 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불활성화물이 탄소인 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치.
- 실리콘수소화물(SinH2n+2; n≥1)과 암모니아가스(HN3)중 적어도 2종류의 가스를 포함한 혼합가스를 원료로 해서 퇴적온도가 400∼650℃의 범위에서 적어도 불활성화물이 첨가된 다결정실리콘층을 퇴적시키는 공정과, 이 다결정실리콘층상에 붕소가 첨가된 다결정층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 불활성화물이 질소인 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치의 제조방법.
- 실리콘수소화물(SinH2n+2; n≥1)과 아세틸렌가스중 적어도 2종류의 가스를 포함한 혼합가스를 원료로 해서 퇴적온도가 400∼650℃의 범위에서 적어도 불활성화물이 첨가된 다결정실리콘층을 퇴적시키는 공정과, 이 다결정실리콘층상에 붕소가 첨가된 다결정층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 불활성화물이 탄소인 것을 특징으로 하는 P형 도전성 게이트전극을 갖춘 MOS 구조의 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01-318791 | 1989-12-11 | ||
| JP1318791A JPH03181176A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2263089A JPH04142079A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP02-263089 | 1990-10-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013584A true KR910013584A (ko) | 1991-08-08 |
| KR940001021B1 KR940001021B1 (ko) | 1994-02-08 |
Family
ID=26545854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020301A KR940001021B1 (ko) | 1989-12-11 | 1990-12-11 | P형 도전성 게이트전극을 갖춘 mos구조의 반도체장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940001021B1 (ko) |
-
1990
- 1990-12-11 KR KR1019900020301A patent/KR940001021B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940001021B1 (ko) | 1994-02-08 |
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