KR890005881A - 비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 비결정 실리콘의 박막 필름 트랜지스터를 제조하는 PECVD장치도,
제3도는 본 발명에 따른 비결정 실리콘의 박막 필름 트랜지스터의 단면도.
Claims (1)
- 수정기판(1)의 상측에 게이트 전극(2), 비결정 실리콘 질화물층(3), 비결정 실리콘층(4), n+층(5),소오스전극(6), 드레인전극(7)이 PECVD장치에 의해 순차적층되는 비결정 실리콘을 이용한 박막 필름 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 비결정 실리콘 질화물층(3)의 상측에 비결정 실리콘층(4)의 형성에 필요한 수소(H2)가스를 서서히 불어넣어 주면서 암모니아(NH3)가스를 서서히 감소시켜 비결정 실리콘질화물층(3)에서 점차 질소(N)가 적게 들어가는 질화물층으로 연속적인 층의 조성이 변화하다가 비결정 실리콘층(4)으로 층착되는 비결정 실리콘 질화물층(3)과 비결정 실리콘층(4)의 중간적 성질을 갖는 변환층(20)을 형성시키고, 상기 비결정 실리콘층(4)의 상측에는 실란수소화규소(SiH2)가스와 수소(H2)가스에 인화수소(PH3)를 서서히 불어넣어 파우어 및 혼입된 가스의 흐름률 조건이 변한만큼 서서히 변화시켜 비결정성 실리콘층(4)과 n+층(5)의 중간적 성질을 갖는 변환층(30)을 형성시켜 각 층간의 계면이 없이 조성이 연속적으로 일어나도록 구성한 것을 특징으로 하는 비결정 실리콘의 박막 필름 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010858A KR890005881A (ko) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | 비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010858A KR890005881A (ko) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | 비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005881A true KR890005881A (ko) | 1989-05-17 |
Family
ID=68343713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR870010858A KR890005881A (ko) | 1987-09-29 | 1987-09-29 | 비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890005881A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419025B1 (ko) * | 1996-11-06 | 2004-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의질화막형성방법 |
| KR100588266B1 (ko) * | 1999-02-12 | 2006-06-13 | 에이케이티 가부시키가이샤 | 제어된 도전율을 갖는 비정질 실리콘계 박막의 증착 방법 |
-
1987
- 1987-09-29 KR KR870010858A patent/KR890005881A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419025B1 (ko) * | 1996-11-06 | 2004-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의질화막형성방법 |
| KR100588266B1 (ko) * | 1999-02-12 | 2006-06-13 | 에이케이티 가부시키가이샤 | 제어된 도전율을 갖는 비정질 실리콘계 박막의 증착 방법 |
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