KR940022780A - 반도체 소자의 bpsg막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 bpsg막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940022780A
KR940022780A KR1019930005470A KR930005470A KR940022780A KR 940022780 A KR940022780 A KR 940022780A KR 1019930005470 A KR1019930005470 A KR 1019930005470A KR 930005470 A KR930005470 A KR 930005470A KR 940022780 A KR940022780 A KR 940022780A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bpsg film
semiconductor device
formation method
film
bpsg
Prior art date
Application number
KR1019930005470A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960008516B1 (en
Inventor
정창원
이원건
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR93005470A priority Critical patent/KR960008516B1/ko
Publication of KR940022780A publication Critical patent/KR940022780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960008516B1 publication Critical patent/KR960008516B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 인(Phosphorous)농도를 10.17~14.17mole%, 붕소의 농도를 4.19 ~8.19mole%로 하여 BPSG막을 증착하여 콘택에서의 결정 석출물의 성장을 억제하여 반도체 소자의 금속배선 신뢰도를 증진시킬수 있는 반도체 소자의 BPSG막 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 BPSG막형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술에 따른 BPSG막 형성 단면도, 제2도는 본 발명에 따른 BPSG막 형성 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 BPSG(Boron Phospo Silicate Glass Film)막 형성방법에 있어서, SiH4, O2, PH3, B2H6가스를 이용하여 BPSG막(3)을 형성하되 인의 농도를 10.17 ~14.17mole%, 붕소의 농도를 4.19 ~8.19mole%로 하여 BPSG막을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 BPSG막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 BPSG막(3)의 증착온도가 405~445℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 BPSG막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 BPSG막(3)의 증착하기 위한 각 가스흐름양이 O2가 5.74~6.74sccm, SiH4가 0.040~0.080sccm, PH3가 0.200~0.400sccm, B2H6가 0.115~ 0.1 75sccm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 BPSG막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 BPSG막(3)을 4000~6000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 BPSG막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93005470A 1993-03-31 1993-03-31 Forming method of bpsg film KR960008516B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93005470A KR960008516B1 (en) 1993-03-31 1993-03-31 Forming method of bpsg film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR93005470A KR960008516B1 (en) 1993-03-31 1993-03-31 Forming method of bpsg film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940022780A true KR940022780A (ko) 1994-10-21
KR960008516B1 KR960008516B1 (en) 1996-06-26

Family

ID=19353371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR93005470A KR960008516B1 (en) 1993-03-31 1993-03-31 Forming method of bpsg film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960008516B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105280513B (zh) * 2015-09-28 2018-03-30 杭州士兰集成电路有限公司 乙硼烷质量检测结构及检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR960008516B1 (en) 1996-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920001620A (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
ATE518239T1 (de) Verfahren zur uv-vorbehandlung von ultradünnem oxynitrid zur herstellung von siliziumnitridschichten
KR880003403A (ko) 화학적 기상 성장법과 그장치
ES2058354T3 (es) Metodo para depositar wolframio sobre silicio en un procedimiento cvd que no es autolimitante y dispositivo semiconductor fabricado por el.
KR950009904A (ko) 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조 방법
KR980006024A (ko) 더미 웨이퍼
KR940022780A (ko) 반도체 소자의 bpsg막 형성방법
KR940021758A (ko) 텅스텐 박막의 증착 방법
KR970023843A (ko) 화학 기상 증착 방법을 사용한 막질 형성 방법
KR890005881A (ko) 비결정 실리콘의 박막필름 트랜지스터 제조방법
KR940016491A (ko) 반도체 소자의 적층형 보호막 증착방법
KR960026277A (ko) 반도체 소자의 비피에스지(bpsg) 막 형성방법
KR950021108A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR960005797A (ko) 반도체소자 배선 형성방법
KR950034484A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPS56108235A (en) Semiconductor device
KR940022705A (ko) 인이 도핑된 폴리실리콘막의 콘택 형성 방법
KR930011117A (ko) 블랭킷 cvd텅스텐 형성방법
KR940016690A (ko) 반도체장치의 콘택플러그 형성방법
JPS57204135A (en) Manufacture of semiconductor device
KR950021071A (ko) 금속배선 형성방법
KR940001277A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR940022704A (ko) 인이 도핑된 폴리실리콘막의 콘택 형성 방법
KR950034632A (ko) 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법
KR950021077A (ko) 실리사이드 플러그 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090526

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee