KR950007034A - 젖음성(wettability) 향상을 위한 SOI 웨이퍼의 암모니아 급속열처리 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 SOI웨이퍼의 ZMR 공정시 용융된 Si과 SiO2계면에서의 젖음성을 향상시키기 위해 행하는 암모니아 열처리의 공정개선에 관한 것이다.
SOI 웨이퍼의 제조시 암모니아 열처리는 표면보호산화막의 파열을 방지하여 재결정화된 Si박막의 결정성을 증대시키는 역할을 한다. 기존의 열처리로 방식은 표면 보호산화막이 입혀진 상태로 열처리하여 질소원자를 산화막을 통해 확산시키는 방법이다. 이는 고온(1000∼1200℃)에서 장시간(1∼4시간) 열처리를 하게 되며 여기에 서서히 온도를 올리고 내리는 시간까지 고려한다면 많은 시간이 필요한 공정이다.
또한 열처리 중 계속 반응가스를 흘려주어야 하므로 반응가스의 소모량도 많고 결과적으로 많은 에너지가 소모된다.
본 발명은 최근에 반도체 제조공정에 활발히 이용되고 있는 급속고온 열처리 장비를 이용하여 10초 이내의 매우 짧은 시간내에 Si박막의 표면에 직접 질소원자를 확산시키는 방법이다. 이는 공정중의 웨이퍼 온도에 그다지 믹감하지도 않고 반응가스의 소모량도 최대한 줄일 수 있으며 전체적으로 공정시간의 단축을 가져오게 된다. 결과적으로 SOI웨이퍼의 제조시 원가절감 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 급속열처리 공정을 이용한 암모니아 열처리 공정.
제3도는 암모니아 열처리를 하지 않고 재결정하는 경우의 깊이에 따르는 질소원자 농도.
제4도는 암모니아 열처리를 하여 재결정하는 경우의 깊이에 따르는 질소원자 농도.
Claims (4)
- 실리콘 온 인슐레이터 대 용융 재결정화 공정에서 용융 실리콘과 SiO2보호막 사이의 젖음성을 향상시키는 방법에 있어서, 암모니아 가스를 이용하여 급속 고온 열처리를 함으로써 다결정 Si과 SiO2계면사이에 질소원자를 확산시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 급속 고온 열처리동안 온도는 500 내지 1000℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 급속 고온 열처리는 2 내지 10초동안 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 암모니아의 압력은 상압으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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