KR910007249A - 다이나믹램의 센스증폭기 - Google Patents

다이나믹램의 센스증폭기 Download PDF

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KR910007249A
KR910007249A KR1019890013736A KR890013736A KR910007249A KR 910007249 A KR910007249 A KR 910007249A KR 1019890013736 A KR1019890013736 A KR 1019890013736A KR 890013736 A KR890013736 A KR 890013736A KR 910007249 A KR910007249 A KR 910007249A
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nmosfet
pmosfet
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dynamic ram
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KR1019890013736A
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Inventor
윤명철
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
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Description

다이나믹램의 센스 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 다이나믹램의 센스 증폭기,
제4도는 제3도의 동작설명을 위한 전압파형도,
제5도는 제4도의 øs신호를 생성시키기 위한 래칭부.

Claims (1)

  1. 다이나믹램의 센스증폭기에 있어서, 메모리 셀에 각 기준 및 선택된 비트선이 접속된 프립플롭(1)과 상기 플립플롭(1)으로부터 접속되어 게이트 단자에 공급되는 래칭부(2)의 제어신호 øS에 따라 동작하는 MOSFET Q7를 구비하되, 상기 래칭부(2)는, 전원 Vcc로부터 병렬접속된 NMOSFET Q8 및 PMOSFET Q9와, 상기NMOSFET Q8로부터 직렬접속된 Q12와, 상기 PMOSFET Q9로부터 PMOSFET Q10을 경유해 직렬접속된 NMOSFET Q14와, 상기 NMOSFET Q12 및 Q14로부터 접속되고, 상기 NMOSFET Q12의 게이트 단자에 접속된 NMOSFET Q13과, 그의 게이트 단자와 드레인 단자가 접속되어 상기 PMOSFET Q10과 NMOSFET Q14의 직렬 접속점으로부터 상기 NMOSFET Q12의 게이트 단자에 접속된 NMOSFET Q11과, 상기 PMOSFET Q10의 게이트 단자에 접속되는 상기 NMOSFET Q8 및 Q12의 직렬접속점인 VA노드를 구비하여 그로인하여, 상기 NMOSFET Q8, Q12, Q13, Q14 및 PMOSFET Q9의 게이트 단자에 인가되는 구형파 펄스 øT신호에 의해 상기 øS제어신호를 생성하도록 구성한 것을 특징으로 하는 다이나믹램의 센스증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890013736A 1989-09-25 1989-09-25 다이나믹램의 센스증폭기 KR910007249A (ko)

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