KR910007152A - 교류제어소자 - Google Patents

교류제어소자 Download PDF

Info

Publication number
KR910007152A
KR910007152A KR1019900014391A KR900014391A KR910007152A KR 910007152 A KR910007152 A KR 910007152A KR 1019900014391 A KR1019900014391 A KR 1019900014391A KR 900014391 A KR900014391 A KR 900014391A KR 910007152 A KR910007152 A KR 910007152A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
side edge
attached
major surface
adjacent
Prior art date
Application number
KR1019900014391A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940000520B1 (ko
Inventor
료오이찌 이꾸하시
우시오 오카자끼
Original Assignee
모도나까 히로유끼
도오아 보오쇼꾸 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모도나까 히로유끼, 도오아 보오쇼꾸 가부시기가이샤 filed Critical 모도나까 히로유끼
Publication of KR910007152A publication Critical patent/KR910007152A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940000520B1 publication Critical patent/KR940000520B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

교류 제어소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 평면패턴의 예를 나타내는 동실시예의 평면도.

Claims (8)

  1. 서로 대향하는 제1주표면(4)과 제2주표면(6), 및 서로 대향하는 제1옆가장자리와 제2 옆가장자리를 보유하며, 전기한 제1주표면에 인접하는 제1도전형의 제1층(P1)과, 전기한 제2주표면에 인접하는 제1도전형의 제2층(P2)과, 전기한 제1층 및 제2층 사이에 배치되는 전기한 제1도전형과는 반대인 제2도전형이 제3층(N3)과, 전기한 제1주표면에 인접하여 전기한 제1옆가장자리쪽으로 치우쳐서 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제4층(N4)과, 전기한 제2주표면에 인접하여 전기한 제2옆가장자리쪽으로 치우쳐서 전기한 제2층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제5층(N5)과, 전기한 제1주표면의 대략 중앙부에 인접하도록 전기한 제1층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제6층(N6)과 전기한 제4층(N4)과 제6층(N6) 사이에서 전기한 제1주표면에 인접하도록 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제7층(N7)과, 전기한 제5층(N5)과 전기한 제1옆끝가장자리 사이에서 전기한 제2주표면에 인접하도록 전기한 제2층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제8층(N8)을 포함하는 반도체기체(2)와, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제1층(P1)과 접촉되며 전기한 제5층 (N5)에 대향하는 제1전극(16)과, 전기한 제1 주표면에 부착되어 전기한 제4층(N4) 및 제1층(P1)과 접속되며 전기한 제1전극(16)에 전기적으로 접속되는 제2전극(18)과, 전기한 제2주표면에 부착되어 전기한 제2층(P2)과 접속되는 제3전극(14)과, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제6층(P6) 및 제1층(P1)가 접촉되는 게이트 전극(20)과, 전기한 제8층(N8)에 대향하도록 전기한 제1주표면에 부착되는 제1보조게이트전극(24)과, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제7층(N7) 및 제1층(P1)과 접촉되는 제2보조게이트전극(22)으로 구성되며, 전기한 제1옆가장자리와 대향하는 전기한 제8층(N8)의 옆가장자리는 전기한 제1옆가장자리로 부터 전기한 제1옆가장자리에 대항하는 전기한 제6층(N6)의 옆가장자리보다 더 멀리 떨어져 있고, 전기한 제1보조게이트전극(24)은 전기한 제2보조게이트전극(22)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  2. 제1항에 있어서, 전기한 반도체기체(2)는 전기한 제1주표면에(4)에 인접하여, 전기한 제8층(N8)에 대향하며 전기한 제1보조게이트전극(24)의 일부와 전기적으로 접촉하도록 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제9층(N9)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  3. 제1항에 있어서, 전기한 제5층(N5) 및 제8층(N8)은 단일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전기한 제7층(N7)을 다수의 부분으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전기한 제1도전형은 P형이고, 전기한 제2도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  6. 제1항에 있어서, 전기한 제4 층(N4), P 1층(P1), 제3 (N3) 및 제2층(P2)으로 이루어진 제1사이리스터(8)와, 전기한 제5층(N5), 제2층(P2), 제3층(N3) 및 제1층( P1)으로 이루어진 제2사이르스터(10)와, 게이트영역으로 전기한 제6층(N6)을 보유하는 트리거소자(12)로 구성되며, 전기한 양 사이리스터(8)(10)를 분리하기 위해 전기한 제1 사이리스터(8)와 제2 사이리스터(10) 사이에는 간격(38)이 형성되어 있고, 전기한 트리거소자(12)는 전기한 간격(38)을 따라 그 안에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  7. 제6항에 있어서, 전기한 게이트영역은 그 옆가장자리내에 복수의 노치(40)를 보유하고 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
  8. 제6항에 있어서, 전기한 트리거소자(12)의 길이는 전기한 간격(38)의 길이의 상대적으로 작은 부분을 점유하는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900014391A 1989-09-13 1990-09-12 교류 제어소자 KR940000520B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1239166A JPH03101166A (ja) 1989-09-13 1989-09-13 交流制御素子
JP???1-239166 1989-09-13
JP1-239166 1989-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910007152A true KR910007152A (ko) 1991-04-30
KR940000520B1 KR940000520B1 (ko) 1994-01-21

Family

ID=17040713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900014391A KR940000520B1 (ko) 1989-09-13 1990-09-12 교류 제어소자

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH03101166A (ko)
KR (1) KR940000520B1 (ko)
DE (1) DE4029121A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621438A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Toshiba Corp 光点弧型トライアック装置およびその駆動方法
US5818074A (en) * 1996-01-31 1998-10-06 Beacon Light Products, Inc. Smooth switching thyristor
JP2008177482A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Sanken Electric Co Ltd 双方向サイリスタ
JP2010245377A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Sanken Electric Co Ltd サイリスタ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3879744A (en) * 1971-07-06 1975-04-22 Silec Semi Conducteurs Bidirectional thyristor
JPS5749269A (en) * 1980-09-08 1982-03-23 Mitsubishi Electric Corp Bidirectional thyristor
JPS63269574A (ja) * 1987-04-27 1988-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR940000520B1 (ko) 1994-01-21
DE4029121A1 (de) 1991-03-21
JPH03101166A (ja) 1991-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8501605L (sv) Kapacitiva omkopplare
KR840001775A (ko) 정전 처크
KR950007059A (ko) 집적 회로
SE9703295D0 (sv) Electrical devices and a method of manufacturing the same
KR870005464A (ko) 반도체장치
ES2173288T3 (es) Elementos calefactores electricos.
KR910008854A (ko) 전기 또는 전자회로의 성형에 사용되는 세라믹기판
KR910020872A (ko) 소자분리구조 및 배선구조의 개량된 반도체 장치
KR910015086A (ko) 고상 스파크 간극
KR900019261A (ko) 반도체장치
KR930003420A (ko) 측 절연게이트 바이폴라 트랜지스터
KR880008458A (ko) 보충 측면 절연 게이트 정류기
KR910010656A (ko) 대전력용 반도체장치
KR890016679A (ko) 반도체장치
KR920005297A (ko) 반도체집적회로 장치
KR910008844A (ko) 반도체 장치
KR910007152A (ko) 교류제어소자
KR960024548A (ko) 액티브 매트릭스 기판
KR910008860A (ko) 전력용 압접형 반도체장치
KR910008861A (ko) 집적회로소자
KR920010343A (ko) 액티브 매트릭스 기판
KR910013570A (ko) 쇼트키.다이오드
KR910013517A (ko) 대전력용 반도체 장치
KR960015660A (ko) 용장성 도체 전자 소스
EP1202352A3 (en) High breakdown voltage semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee