KR910007152A - 교류제어소자 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 평면패턴의 예를 나타내는 동실시예의 평면도.
Claims (8)
- 서로 대향하는 제1주표면(4)과 제2주표면(6), 및 서로 대향하는 제1옆가장자리와 제2 옆가장자리를 보유하며, 전기한 제1주표면에 인접하는 제1도전형의 제1층(P1)과, 전기한 제2주표면에 인접하는 제1도전형의 제2층(P2)과, 전기한 제1층 및 제2층 사이에 배치되는 전기한 제1도전형과는 반대인 제2도전형이 제3층(N3)과, 전기한 제1주표면에 인접하여 전기한 제1옆가장자리쪽으로 치우쳐서 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제4층(N4)과, 전기한 제2주표면에 인접하여 전기한 제2옆가장자리쪽으로 치우쳐서 전기한 제2층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제5층(N5)과, 전기한 제1주표면의 대략 중앙부에 인접하도록 전기한 제1층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제6층(N6)과 전기한 제4층(N4)과 제6층(N6) 사이에서 전기한 제1주표면에 인접하도록 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제7층(N7)과, 전기한 제5층(N5)과 전기한 제1옆끝가장자리 사이에서 전기한 제2주표면에 인접하도록 전기한 제2층(P2)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제8층(N8)을 포함하는 반도체기체(2)와, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제1층(P1)과 접촉되며 전기한 제5층 (N5)에 대향하는 제1전극(16)과, 전기한 제1 주표면에 부착되어 전기한 제4층(N4) 및 제1층(P1)과 접속되며 전기한 제1전극(16)에 전기적으로 접속되는 제2전극(18)과, 전기한 제2주표면에 부착되어 전기한 제2층(P2)과 접속되는 제3전극(14)과, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제6층(P6) 및 제1층(P1)가 접촉되는 게이트 전극(20)과, 전기한 제8층(N8)에 대향하도록 전기한 제1주표면에 부착되는 제1보조게이트전극(24)과, 전기한 제1주표면에 부착되어 전기한 제7층(N7) 및 제1층(P1)과 접촉되는 제2보조게이트전극(22)으로 구성되며, 전기한 제1옆가장자리와 대향하는 전기한 제8층(N8)의 옆가장자리는 전기한 제1옆가장자리로 부터 전기한 제1옆가장자리에 대항하는 전기한 제6층(N6)의 옆가장자리보다 더 멀리 떨어져 있고, 전기한 제1보조게이트전극(24)은 전기한 제2보조게이트전극(22)에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제1항에 있어서, 전기한 반도체기체(2)는 전기한 제1주표면에(4)에 인접하여, 전기한 제8층(N8)에 대향하며 전기한 제1보조게이트전극(24)의 일부와 전기적으로 접촉하도록 전기한 제1층(P1)내에 배치된 전기한 제2도전형의 제9층(N9)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제1항에 있어서, 전기한 제5층(N5) 및 제8층(N8)은 단일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 전기한 제7층(N7)을 다수의 부분으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 전기한 제1도전형은 P형이고, 전기한 제2도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제1항에 있어서, 전기한 제4 층(N4), P 1층(P1), 제3 (N3) 및 제2층(P2)으로 이루어진 제1사이리스터(8)와, 전기한 제5층(N5), 제2층(P2), 제3층(N3) 및 제1층( P1)으로 이루어진 제2사이르스터(10)와, 게이트영역으로 전기한 제6층(N6)을 보유하는 트리거소자(12)로 구성되며, 전기한 양 사이리스터(8)(10)를 분리하기 위해 전기한 제1 사이리스터(8)와 제2 사이리스터(10) 사이에는 간격(38)이 형성되어 있고, 전기한 트리거소자(12)는 전기한 간격(38)을 따라 그 안에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제6항에 있어서, 전기한 게이트영역은 그 옆가장자리내에 복수의 노치(40)를 보유하고 있는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.
- 제6항에 있어서, 전기한 트리거소자(12)의 길이는 전기한 간격(38)의 길이의 상대적으로 작은 부분을 점유하는 것을 특징으로 하는 교류제어소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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