KR910007148A - 부상 게이트를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

부상 게이트를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기판 상부에 반도체 소자를 배열한 일반적인 상태를 예시한 평면도.
제3A도는 내지 제3D도는 본 발명에 의해 형성된 반도체 소자에서 제1도의 C-C′선을 따라 절단한 상태를 공정순서에 의하여 나타낸 단면도.

Claims (9)

  1. 부상게이트를 갖는 반도체소자 제조방법에 있어서, P형 기판(1)에 절연층(12)을 산화막층 또는 ONO층으로 500 - 1000Å 정도 형성한 다음, 이온주입 공정으로 P형 기판(1)에 P+영역(2)을 형성하는 단계와, 상기 절연층(12) 상부에 필드 차폐 플레이트를 N형 폴리실리콘 등으로 300 - 5000Å정도 증착하는 단계와, 게이트 전극이 형성될 부분의 상기 필드 차폐 플레이트(13)와 절연층(12)을 사진식각 공정으로 소정부분 제거하여 필드차페 플레이트(13)를 형성하는 단계와, 상기 노출된 P+영역(2) 및 전도물질(4)의 상부 및 측면에 게이트산화막(5)을 300 - 400Å 정도로 성정시키는 단계와, 상기 게이트 산화막(5) 상부에 부상게이트용 N형 폴리실리콘을 증착한 후 패턴공정에 의해 부상게이트(6)를 형성하는 단계와, 상기 부상게이트(6) 상부 및 측면에 중간폴리산화막(7)으로 또는 ONO층을 200 -700Å 정도 형성하는 단계와, 상기 중간 폴리산호막(7) 상부에 N형 폴리실리콘등으로 소정두께 증착하여 패턴공정에 의해 조절게이트(8)를 형성하는 단계와 상기 P+영역(2)에 이온주입 공정으로 N+소오스영역(4) 및 드레인영역(3)을 형성하는 단계와, 상기 부상게이트(6)와 조절게이트(8) 주변에 산화막, BPSG층 또는 PSG층으로 절연층 (9)을 형성하는 단계와, 상기 소오스영역(4)과 드레인여역(3) 상부에 소정부분 절연층(9)을 제거한 후 금속층을 증착하여 패턴공정으로 금속층(10 및 11)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자 제조방법.
  2. 부상게이트를 갖느 반도체 소자에 있어서, 기판(1)에 형성된P+영역(2)내부에 형성된 N형 소오스영역(4)과 드렌인영역(3)과, 상기 소오스영역 (4)과 드레인영역(3)간 상부에는 순차적으로 각각 소정두께를 형성된 게이트 산화막(5), 부상게이트(6), 중간 폴리산화막(7) 및 조절게이트(8)와, 상기 부상게이트(6)와 조절게이트(8) 주변에 절연층(9)이 형성되고 소오스영역(4)과 드레인영역(3)에 접속되어 형성된 금속층(10 및 11)과, 상기 부상게이트(6) 측면의 P+영역(2)상에 각각 소정두께로 형성된 절연층(12) 및 필드 자체 플레이트(13)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부상게이트(6)는필드 차페 플레이트(13)과 일정부분 겹쳐지고 상기 조절게이트(8)은 상기 부상게이트(6)와 그 하부의 필드 차폐 플레이트(13)와 완전히 겹쳐져서 이루어지는 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 부상게이트(6) 및 조절게이트(8)은 N형 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  5. 제2항에 있어서, 상기 필드 차폐 플레이트(13)은 N형 폴리실리콘으로 3000 - 5000Å 정도의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상기 졀연층(12 또는 7)은 산화막층 또는 ONO층등으로 500 - 1000Å 정도의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  7. 제2항에 있어서, 상기 필드 차폐 플레이트(13)을 "GND"에 접속시켜 형성된 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  8. 제2항에 있어서, 상기 필드 차폐 플레이트(13)을 임의의 패드에 접속시켜 형성된 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 부상게이트를 갖는 반도체 소자.
  9. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012924A 1989-09-07 1989-09-07 필드 차폐 플레이트를 갖는 eprom 및 그 제조방법 KR920004763B1 (ko)

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