KR910005498A - 박막 초전도체 및 초전도 디바이스와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

박막 초전도체 및 초전도 디바이스와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예의 박막P형 초전도체의 제조장치의 기본구성 단면도.
제5도는 본 발명의 일실시예의 박막N형 초전도체의 제조장치의 기본구성 단면도.
제8도는 본 발명의 일실시예의 전체반사각 이하로 전자파를 조사하는 것을 특징으로 하는 박막 초전도체의 기본구성 단면도.
제9도는 막두께 방향으로 주기적으로 산소 결합을 포함하는 초전도체 박막의 단면도.

Claims (20)

  1. 박막의 형성시 또는 형성후에, 자외선이상의 에너지를 가진 전자기파를 조사한 화합물 고온초전도체 박막.
  2. A-B-Cu-O로 표시되는 화합물의 박막형성시 또는 형성후에(형성조내 또는 형성조외에서)자외선 이상의 에너지를 가진 전자기파를 조사하는 동시에 또는 조사후에 산화처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 P형 박막 초전도체의 제조방법 여기서 A는 Ti, Bi, Y 및 랜턴계열원소 (원소번호 57~71)중의 적어도 1종류, B는 Ⅱa족 원소중 적어도 1종류의 원소를 표시한다.
  3. A-B-Cu-X로 표시되는 화합물박막의 형성시 또는 형성후에(형성조내 또는 형성조외에서)자외선 이상의 에너지를 가진 전자파를 조사하는 것을 특징으로 하는 N형 박막 초전도체 제조방법, 여기서 A는 Nd, Sm, Pr중의 적어도 1종류, B는 Le, Th중 적어도 1종류의 원소를 표시한다. X는 O또는 F중 적어도 1종류의 원소를 표시한다.
  4. 제2항 및 제3항에 있어서, 박막형성의 행정으로서, 박막퇴적행정과 자외선 이상의 에너지를 가진 전자기파 조사행정과, P형 초전도체라면 산화처리 행정을 교호로 반복하는 것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  5. 제2항 및 제4항에 있어서, 산소이온 혹은 여기상태에 있는 준안정산소원자를 조사하여 자외선이상의 에너지를 가진 전자파를 조사한 P형 초전도박막을 산화처리하는것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  6. 제2항, 제3항 및 제4항에 있어서, 1회의 박막퇴적행정에 있어서 퇴적시키는 박막의 두께를 10A이상 100A이하로 하는 것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  7. 제2항~제6항에 있어서, 박막퇴적행정과 자외선이상의 에너지를 가진 전자파조사행정, P형 초전도체라면 산화처리행정에 있어서, 박막을 형성하는 기체의 온도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  8. A-B-Cu-O[A는 Ti, Bi, Y 및 랜턴계열원소 (원소번호 57~71)중의 적어도 1종류, B는 Ⅱa족 원소중 적어도 1종류의 원소를 표시한다]로 표시되는 P형 초전도체, 그리고/또는 A-B-Cu-X[A는 Nd, Sm, Pr중의 적어도 1종류, B는 Le, Th중 적어도 1종류, X는 O또는 F 중 적어도 1종류의 원소를 표시한다]로 표시되는 N형 초전도체의 박막형성시 또는 형성후에 (형성조내 또는 형성조외에서)자외선 이상의 에너지를 가진 전자파를 전체반사각 이하의 입사각도로 박막표면에 조사하는 것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 초전도체 박막형성의 행정으로서, 박막퇴적행정과 자외선이상의 에너지를 가진 전자기파를 전체반사각 이하 조사하는 행정을 교호로 반복하는것을 특징으로 하는 박막초전도체의 제조방법.
  10. 청구범위 제1항 기재의 초전도체박막을 메모리매체로서 사용하고, 상기 초전도체박막의 자화의 절대치를 인가자장에 의해 이동시켜 메모리의 상태를 구별하는 초전도자기메모리.
  11. 초전도체박막의 미소부분에 자외선이상의 에너지를 가진 전자기파를 조사하므로서 상기 박막중에 약결합부를 형성하고, 상기 박막을 이 약결합부에 의해 적어도 2개의 영역으로 분리한 구조를 형성하는것을 특징으로 하는 박막초전도소자의 제조방법.
  12. 청구범위 제1항 기재의 초전도체박막을 사용하고, 미소한 간격부에 의해서 분리된 2개의 영역에만 선택적으로 산화처리를 실시하므로서 상기 초전도체 중의 상기 간격부에 접합부를 형성하는 것을 특징으로 하는 조셉슨소자의 제조방법.
  13. 구리화합물 초전도체 박막표면의 미소한 간격부에 의해서 분리된 2개의 영역에만 선택적으로 자외선 이상의 에너지를 가진 전자파를 조사하는 동시에 또는 조사후에 상기초전도체박막표면에 산화처리를 실시함으로서 상기 초전도체중의 상기 간격부에 접합부에 형성하는 것을 특징으로 하는 조셉슨소자의 제조방법.
  14. 초전도체 박막표면의 미소한 간격부에 의해서 분리된 2개의 영역에만 선택적으로 자외선이상의 에너지를 가진 전자파를 조사하는 동시에 또는 조사후에 상기 초전도체박막표면의 상기 2개의 영역에만 산화처리를 실시하므로서 상기 초전도체중의 상기 간격부에 접합부를 형성하는것을 특징으로하는 조셉슨소자의 제조방법.
  15. 제11항~제14항에 있어서, 접합부 형성의 마스크 패턴으로서 PMMA등의 아크릴수지계나 CMS등의 스틸렌수지계의 전자선레지스트 혹은 사진평판용의 음저항을 사용하는 것을 특징으로 하는 조셉슨소자의 제조방법.
  16. 제11항~제14항에 있어서, 산소이온 혹은 여기상태에 있는 준안정산소원자를 조사하여 산화처리하는 것을 특징으로 하는 조셉슨소자의 제조방법.
  17. 제11항~제14항에 있어서, 오존을 함유한 기채중에서 산화처리를 하는 것을 특징으로 하는 조셉슨소자의 제조방법.
  18. 채널층의 표면에 게이트절연막을 개재하고 게이트전극을 형성하여 이루어진 초전도 트랜지스터에 있어서, 초전도 소오스영역 및 상기 채널층 및 초전도 드레인영역이 구리화합물 고온초전도체박막으로 이루어지고, 상기 초전도 소오스영역 및 상기 초전도드레인영역이 자외선이상의 에너지를 가진 전자파의 조사에 의해 상기 채널층보다 결정성이 향상된 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 초전도 트랜지스터.
  19. 제18항에 있어서, 초전도체박막을 형성후, 상기박막을 패턴 가공하여 초전도 소오스영역 및 채널층 및 초전도드레인 영역에 상당하는 부분을 형성한후 상기 채널층에 상당하는 상기 박막위에 게이트절연막과 게이트전극을 형성하고, 자외선 이상의 에너지를 가진 전자파를 상기 박막에 대하여 게이트전극쪽으로부터 조사하는 동시에 또는 조사후에 산화처리를 실시함으로서 초전도 소오스영역 및 초전도 드레인영역의 결정성의 향상화를 행하고 동시에 채널층을 형성하여 제조하는 것을 특징으로 하는 초전도트렌지스터의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 게이트전극의 재료로서 금속 또는 규화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도 트렌지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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