JPH01234323A - 高温超電導薄膜 - Google Patents
高温超電導薄膜Info
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- JPH01234323A JPH01234323A JP63059964A JP5996488A JPH01234323A JP H01234323 A JPH01234323 A JP H01234323A JP 63059964 A JP63059964 A JP 63059964A JP 5996488 A JP5996488 A JP 5996488A JP H01234323 A JPH01234323 A JP H01234323A
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- superconducting thin
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は超伝導薄膜に対する超伝導臨界温度の改善に関
するものである。
するものである。
〈従来の技術〉
現在ＹＢａ Ｃｕ Ｏｘ系の例えばＹ、Ｂａ ２Ｃｕ３
０×の薄膜は、スパッタ法などにより基板に着膜し、９
００℃前後の温度でアニールを行うことにより高い臨界
温度（Ｔｃ）を得ている。
０×の薄膜は、スパッタ法などにより基板に着膜し、９
００℃前後の温度でアニールを行うことにより高い臨界
温度（Ｔｃ）を得ている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、薄膜の臨界温度（Ｔｃ）は製造条件大き
く変化し、常に一定な温度で超伝導状態となる薄膜を得
るのは難しいという課題があった。
く変化し、常に一定な温度で超伝導状態となる薄膜を得
るのは難しいという課題があった。
また、焼結体（バルク）の状態では例えば９３〜９４に
程度で超伝導状態を示すものでも、薄膜化した場合は８
０〜７７に程度になってしまうという課題があった。
程度で超伝導状態を示すものでも、薄膜化した場合は８
０〜７７に程度になってしまうという課題があった。
本発明は上記従来技術の課題を解決するために成された
もので、薄膜にＸｆｔを照射することにより臨界温度（
Ｔｃ）の改善をはかることを目的とする。
もので、薄膜にＸｆｔを照射することにより臨界温度（
Ｔｃ）の改善をはかることを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記課題を解決するための本発明の構成は、ＹＢａ Ｃ
ｕ Ｏｘ系の薄膜に対しＸ線照射を施したことを特徴と
するものである。
ｕ Ｏｘ系の薄膜に対しＸ線照射を施したことを特徴と
するものである。
〈実施例〉
本発明の一実施例について説明する。
本発明ではマグネトロンスパッタ法により超伝導薄膜を
基板へ着膜した。
基板へ着膜した。
スパッタ条件は次の通りである。
容器中のＡｒ１０２ガス分圧比 ；２７１スパツタガス
圧力 ；５０ｍＴＯＩＩ ターゲット ；’Ｙ＋ Ｂａ３ Ｃｕａ Ｏｘ
（超伝導材） 基板材質 Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３ＲＦ電力
３００Ｗ 基板加熱 室温 次にスパッタした超伝導薄膜に対して超伝導特性を得る
為の熱処理を次の条件で行った。
圧力 ；５０ｍＴＯＩＩ ターゲット ；’Ｙ＋ Ｂａ３ Ｃｕａ Ｏｘ
（超伝導材） 基板材質 Ｓ ｒ Ｔ ｉ ０３ＲＦ電力
３００Ｗ 基板加熱 室温 次にスパッタした超伝導薄膜に対して超伝導特性を得る
為の熱処理を次の条件で行った。
９００℃ １時間加熱後徐冷
熱処理は酸素流量０．２ｍｌ／ｍｉｎの雰囲気中で行っ
た。
た。
次に超伝導薄膜の温度特性の改善のために下記の条件で
Ｘ線照射を行った。
Ｘ線照射を行った。
Ｘ線の種類 ；ＣＩＪ−に１１またはＷ−に線電圧お
よび電流 ；４０ｋＶ／３５ｍＡ照射時間 ；１
２０分 なお、Ｘ線照射装置は一般的なＸｆｔ回折装置（デイフ
ラクトメータ）や蛍光Ｘ線装置を用いることが出来る。
よび電流 ；４０ｋＶ／３５ｍＡ照射時間 ；１
２０分 なお、Ｘ線照射装置は一般的なＸｆｔ回折装置（デイフ
ラクトメータ）や蛍光Ｘ線装置を用いることが出来る。
また１臨界温度の測定は超伝導薄膜に銀ペーストを用い
てｔ ［ｉを取出しヘリウム雰囲気中に配置して４端子
法により温度−抵抗測定を行った。
てｔ ［ｉを取出しヘリウム雰囲気中に配置して４端子
法により温度−抵抗測定を行った。
図は本発明による超伝導薄膜にＸ線を照射した場合と従
来のＸ！！を照射しない場合の抵抗値−臨界温度の関係
を示す図で、Ａで示す曲線はＸ線を照射した場合、Ｂは
Ｘ線照射をしない場合の結果を示している０図によれば
Ｘ線照射前は臨界温度が７８にであったものがＸ線照射
後は８４Ｋまで上昇していることが分る。なお、Ｘ線を
照射した場合の常温での抵抗値は０．３Ω程度上昇した
。
来のＸ！！を照射しない場合の抵抗値−臨界温度の関係
を示す図で、Ａで示す曲線はＸ線を照射した場合、Ｂは
Ｘ線照射をしない場合の結果を示している０図によれば
Ｘ線照射前は臨界温度が７８にであったものがＸ線照射
後は８４Ｋまで上昇していることが分る。なお、Ｘ線を
照射した場合の常温での抵抗値は０．３Ω程度上昇した
。
本出願人は同様に製造したサンプルについても同様な実
験を試みたところ、同様に臨界温度が上昇することを確
認した。
験を試みたところ、同様に臨界温度が上昇することを確
認した。
なお１本出願人は現在Ｘ線を照射した場合に。
なぜ臨界温度が上昇するのかについてのメカニズムは解
明していない、しかしＹＢａ Ｃｕ Ｏｘ系の材料は酸
素濃度により超伝導特性が著しく変化することから、Ｘ
線照射により薄膜中の酸素が放出されるか、または取り
込まれるかして酸素濃度がより化学的等量論に近いもの
になったと考えられる。
明していない、しかしＹＢａ Ｃｕ Ｏｘ系の材料は酸
素濃度により超伝導特性が著しく変化することから、Ｘ
線照射により薄膜中の酸素が放出されるか、または取り
込まれるかして酸素濃度がより化学的等量論に近いもの
になったと考えられる。
なお１本実施例においては薄膜をマグネトロンスパッタ
五を用いて作成し、Ｘ線の種類をＣｕＫ。
五を用いて作成し、Ｘ線の種類をＣｕＫ。
またはＷ−に線を用い、照射時間を１２０分とした例に
ついて説明したが、Ｘ線の種類、照射時間は本実施例に
限るものではなく、適宜変更可能である。
ついて説明したが、Ｘ線の種類、照射時間は本実施例に
限るものではなく、適宜変更可能である。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、ＹＢａ Ｃｕ Ｏｘ系の薄膜に対しＸ線照射を
施したので臨界温度を高めることができる。その結果、
従来、臨界温度が低く例えば液体窒素温度７７によりわ
ずかに低いため超伝導を得ることが出来ず、デバイスな
どへの応用が不可能と見なされていた薄膜もＸ線を照射
することにより臨界温度を高めることが出来、不良品の
削減をはかることが可能となる。
よれば、ＹＢａ Ｃｕ Ｏｘ系の薄膜に対しＸ線照射を
施したので臨界温度を高めることができる。その結果、
従来、臨界温度が低く例えば液体窒素温度７７によりわ
ずかに低いため超伝導を得ることが出来ず、デバイスな
どへの応用が不可能と見なされていた薄膜もＸ線を照射
することにより臨界温度を高めることが出来、不良品の
削減をはかることが可能となる。
図は本発明によるＸ線照射を行った場合と照射しない場
合の臨界温度の違いを示す図である。 ＴＥＭＰ（Ｋ）
合の臨界温度の違いを示す図である。 ＴＥＭＰ（Ｋ）
Claims (1)
- ＹＢａＣｕＯｘ系の薄膜に対しＸ線照射を施したこと
を特徴とする高温超伝導薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059964A JPH01234323A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 高温超電導薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059964A JPH01234323A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 高温超電導薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234323A true JPH01234323A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13128360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63059964A Pending JPH01234323A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 高温超電導薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261008A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
| JPH0437696A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超伝導体の製造方法 |
| JPH0464270A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導体の処理方法 |
| JPH04119905A (ja) * | 1989-08-21 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超伝導体および超伝導素子とそれらの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP63059964A patent/JPH01234323A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119905A (ja) * | 1989-08-21 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超伝導体および超伝導素子とそれらの製造方法 |
| JPH03261008A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
| JPH0437696A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超伝導体の製造方法 |
| JPH0464270A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導体の処理方法 |
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