JPH01188421A - 超伝導体薄膜の製造方法 - Google Patents
超伝導体薄膜の製造方法Info
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- JPH01188421A JPH01188421A JP63012506A JP1250688A JPH01188421A JP H01188421 A JPH01188421 A JP H01188421A JP 63012506 A JP63012506 A JP 63012506A JP 1250688 A JP1250688 A JP 1250688A JP H01188421 A JPH01188421 A JP H01188421A
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- oxygen
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 3
- 229910003097 YBa2Cu3O7−δ Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導体薄膜の製造方法に係シ、特に酸素中
での熱処理を比較的低温で行な5ことが可能な、 Ba
zYCusOt系酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関す
る。
での熱処理を比較的低温で行な5ことが可能な、 Ba
zYCusOt系酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関す
る。
従来のBatYCusOt系酸化物超伝導体の製造方法
は、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド−フ
ィジックス26、L352(1987年) (J 、J
。
は、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド−フ
ィジックス26、L352(1987年) (J 、J
。
Appl、Phys、26.L332(1987))に
おいて述べられている様に、BaxYCusOt 6
(0<s <α5)系酸化物を酸素中900℃で数時間
から数十時間保持し、その後、酸素中で徐冷することに
より、該酸化物中への酸素の拡散を促しBaxYCus
Ot −a (α5くa〈1)酸化物超伝導体を得てい
た。
おいて述べられている様に、BaxYCusOt 6
(0<s <α5)系酸化物を酸素中900℃で数時間
から数十時間保持し、その後、酸素中で徐冷することに
より、該酸化物中への酸素の拡散を促しBaxYCus
Ot −a (α5くa〈1)酸化物超伝導体を得てい
た。
〔発明が解決しよ5とする課題〕
上記従来技術は、900℃という高温で保持することが
必要なため、例えば絶縁体基板上に超伝導体薄膜を形成
する際には、超伝導体中に絶縁物を構成する元素が拡散
し、超伝導特性な劣化させるという課題があった。
必要なため、例えば絶縁体基板上に超伝導体薄膜を形成
する際には、超伝導体中に絶縁物を構成する元素が拡散
し、超伝導特性な劣化させるという課題があった。
本発明の目的は、酸素雰囲気中での熱処理をより低温で
行ない、酸素以外の元素の拡散を抑えながらかつ、該酸
化物中への酸素の拡散を容易ならしめることにある。
行ない、酸素以外の元素の拡散を抑えながらかつ、該酸
化物中への酸素の拡散を容易ならしめることにある。
上記目的は、熱処理時の雰囲気ガスである酸素ガスの分
圧を高めかつ、酸素ガスを紫外光照射により励起し、活
性化させることによシ達成される・酸素ガスの分圧とし
ては1気圧以上、より高い方が望ましいが、1気圧未満
では、酸素の該酸化物表面からの脱離が進行し、好まし
くない。また紫外光の波長は、酸素分子の吸収帯である
160〜200 nmが好ましく、この場合に酸素分子
は効率的G(励起され活性糧となる。さらに、この時の
基板温度としては、該酸化物表面に吸着した酸素分子或
はその励起種の、該酸化物中への拡散を促すため、10
0〜400℃に保つのが好ましい。
圧を高めかつ、酸素ガスを紫外光照射により励起し、活
性化させることによシ達成される・酸素ガスの分圧とし
ては1気圧以上、より高い方が望ましいが、1気圧未満
では、酸素の該酸化物表面からの脱離が進行し、好まし
くない。また紫外光の波長は、酸素分子の吸収帯である
160〜200 nmが好ましく、この場合に酸素分子
は効率的G(励起され活性糧となる。さらに、この時の
基板温度としては、該酸化物表面に吸着した酸素分子或
はその励起種の、該酸化物中への拡散を促すため、10
0〜400℃に保つのが好ましい。
酸素ガス分圧を高めることによp核酸化物中への酸素の
拡散は容易となる。これは温度を上げたことと同様の効
果をもたらすため、該酸化物の温度は、酸素ガス分圧を
高めない場合に比べて低く抑えることができる。
拡散は容易となる。これは温度を上げたことと同様の効
果をもたらすため、該酸化物の温度は、酸素ガス分圧を
高めない場合に比べて低く抑えることができる。
また紫外光照射によって酸素分子を励起することによシ
酸素分子は種々の活性化された状態となりこれらは非常
に反応性に富んでいる。該酸化物の酸素中での熱処理中
にこの紫外光を酸化物表面に照射すると、該表面近傍で
生じた酸素活性種は、表面層の酸化物と反応し、同時に
、内部への拡散も起こり易くなり、この場合にも該酸化
物の温度を低く抑えることができる。
酸素分子は種々の活性化された状態となりこれらは非常
に反応性に富んでいる。該酸化物の酸素中での熱処理中
にこの紫外光を酸化物表面に照射すると、該表面近傍で
生じた酸素活性種は、表面層の酸化物と反応し、同時に
、内部への拡散も起こり易くなり、この場合にも該酸化
物の温度を低く抑えることができる。
さらに、この紫外光としてレーザー光を用いることによ
り励起効率を高め、熱処理時間を短くすることができる
。
り励起効率を高め、熱処理時間を短くすることができる
。
以下、本発明の実施例を第1図により説明する。
第1図は8rT i(h基板1上Kfi層しりBazY
CusOt−6(0(、a < 0.5 )系酸化物層
2を酸素雰囲気(3)下(1気圧)、紫外光5(波長1
80nm)を照射しながら熱処理を行なっている様子の
断面図である。
CusOt−6(0(、a < 0.5 )系酸化物層
2を酸素雰囲気(3)下(1気圧)、紫外光5(波長1
80nm)を照射しながら熱処理を行なっている様子の
断面図である。
紫外光照射により該酸化物層の表面近傍に生じた活性酸
素分子4は表面層と反応し、該酸化物中を拡散し、その
酸素欠陥部分に到達する。基板温度350℃で5時間保
持することにより従来と同等のTc(87K)?有する
超伝導体薄膜が得られた。
素分子4は表面層と反応し、該酸化物中を拡散し、その
酸素欠陥部分に到達する。基板温度350℃で5時間保
持することにより従来と同等のTc(87K)?有する
超伝導体薄膜が得られた。
本発明によれば、BazYCuaOy−a系の超伝導体
の熱処理温度を低く抑えることができる。その結果基板
上へ積層した超伝導体薄膜や、絶縁層により隔てられた
超伝導配線等の熱処理の際に、超伝導相に異種元素が拡
散することを抑え、超伝導特性の低下を抑えることがで
きる。
の熱処理温度を低く抑えることができる。その結果基板
上へ積層した超伝導体薄膜や、絶縁層により隔てられた
超伝導配線等の熱処理の際に、超伝導相に異種元素が拡
散することを抑え、超伝導特性の低下を抑えることがで
きる。
@1図は本発明の一実施例の、基板上に積層したBax
YCusOt −s 系酸化物を紫外光照射しながら熱
処理する際の、基板の断面図を示している。 1・・・基板 2 ・BatYCusOy−a系酸化物3・・・雰囲気
酸素分子 4・・・紫外光により励起された活性酸素分子5・・・
紫外光 第 1 図 !、基 a 2. f3a27’ctn(h−1
; 3. 敏券分ひ4、月す柱鯖々トチ S、禁
タト九
YCusOt −s 系酸化物を紫外光照射しながら熱
処理する際の、基板の断面図を示している。 1・・・基板 2 ・BatYCusOy−a系酸化物3・・・雰囲気
酸素分子 4・・・紫外光により励起された活性酸素分子5・・・
紫外光 第 1 図 !、基 a 2. f3a27’ctn(h−1
; 3. 敏券分ひ4、月す柱鯖々トチ S、禁
タト九
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スパッタリング法或はイオンビームスパッタリング
法により、基板上に形成されたBa_2YCu_3O_
7_−_δ(0≦δ≦1)酸化物を熱処理する方法にお
いて、1気圧以上の酸素雰囲気下、基板温度を100〜
400℃に保ちながら、該酸化物上に160〜200n
mの波長の紫外光を照射しながら1〜10時間保持する
ことを特徴とする超伝導体薄膜の製造方法。 2、紫外光として、レーザー光を用いることを特徴とす
る、請求項1記載の超伝導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63012506A JPH01188421A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63012506A JPH01188421A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01188421A true JPH01188421A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11807235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63012506A Pending JPH01188421A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01188421A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04119905A (ja) * | 1989-08-21 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超伝導体および超伝導素子とそれらの製造方法 |
JP2016508943A (ja) * | 2013-01-15 | 2016-03-24 | ミュラー、カール アレックス | 紫外線放射による酸化物の急速な固相反応 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63012506A patent/JPH01188421A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04119905A (ja) * | 1989-08-21 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超伝導体および超伝導素子とそれらの製造方法 |
JP2016508943A (ja) * | 2013-01-15 | 2016-03-24 | ミュラー、カール アレックス | 紫外線放射による酸化物の急速な固相反応 |
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