KR910004645B1 - 에폭시 수지조성물과 그 조성물로 밀봉된 수지밀봉형 반도체장치 - Google Patents

에폭시 수지조성물과 그 조성물로 밀봉된 수지밀봉형 반도체장치 Download PDF

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신에츠 후지에다
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Abstract

내용 없음.

Description

에폭시 수지조성물과 그 조성물로 밀봉된 수지밀봉형 반도체장치
제 1 도는 본 발명에 따른 반도체장치의 평판형 패키지(flat package)를 나타낸 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 에폭시수지조성물 2 : 외부 리이드(lead)
본 발명은 에폭시수지조성물과 그 조성물로 밀봉된 수지밀봉현 반도체장치에 관한 것이다.
에폭시수지는 전기절연특성, 기계적특성, 내습성 등이 우수하기 때문에 신뢰성 높은 절연재료로서 반도체장치, 전자부품, 전기부품 등의 밀봉이나 함침등에 널리 사용되고 있다. 특히, 반도체장치를 밀봉시켜 주는데는 지금까지 널리 사용되어온 세라믹이나 금속을 이용한 밀봉방식에 비하여 수지를 사용한 밀봉방식을 이용하면 저렴한 비용으로 대량생산이 가능하기 때문에 최근에는 수지, 특히 에폭시수지에 의한 밀봉이 많이 사용되고 있다.
반도체 밀봉재료로서 수지가 갖추어야 할 특성은 반도체소자상의 금속(특히, 알루미늄)이 부식됨으로 인해 회로가 단선되거나 불량하게 되는 것을 방지할 수 있도록 내부식성이 높아야 하고, 또한 반도체소자와 프레임(flame)을 접속해 주는 금선(金線)이 열충격에 의해서 단선되거나 불량하게 되는 것을 방지해 줄 수 있도록 내열충격성이 높은 것이어야 한다.
최근, 반도체소자의 고 집적화에 따라서 알루미늄 배선이 보다 미세화되고, 반도체칩의 크기가 보다 대형화되고 있으며, 수지패키지도 보다 소형화, 박판화 되려는 추세가 급속하게 진행되고 있다.
이와 같이 소형화 및 박판화된 수지패키지(소위, 평판형 패키지)에다 반도체소자를 설치시킬 경우, 상기 패키지는 260℃의 땜납내에서 5 내지 10초동안 견딜 필요가 있다. 그러나, 박판형 패키지는 반도체소자 상하의 두께가 얇고, 260℃의 땜납에 침지하게 되면 밀봉재료인 수지에 크랙(crack)이 생기게 되거나, 그 내습성이 저하되게 된다.
이러한 문제점을 해결해주기 위한 수단으로서, 수지재료의 내부응력을 낮추어주는 기술이 제안되어 있는바, 이와 같이 수지재료의 내부응력을 낮춰주기 위하여 에폭시수지에다 예컨대, 천연고무를 첨가하는 기술이 많이 사용되어 왔으나, 이와 같은 변성수지는 내습성이 낮은 또다른 결점이 있었다.
이와 같이 종래의 에폭시수지조성물은 내부응력이 크고, 따라서 이를 사용하여 대형소자를 밀봉할 경우, 열충격에 의해서 반도체소자의 금선이 끊어지거나 수지자체에 크랙이 생기기 쉬우며, 또한, 땜납침지처리에 의해 수지가 프레임에서 용이하게 박리되므로서, 수지크랙이나 내습성저하와 같은 불량발생의 원인이 되기도 하였다.
본 발명의 목적은 종래에 사용되어온 에폭시수지조성물의 문제점을 개선하여 내부응력이 낮고, 프레임 소재에 대한 밀착성이 양호하며, 또한 내습성이 높은 에폭시수지조성물과 그를 이용한 신뢰성이 높은 수지 밀봉형 반도체장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 α선량이 낮고, 기억소자에 적용할 경우, 소프트에러(soft error)를 방지해 줄 수 있는 에폭시수지조성물을 제공하는데 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 에폭시수지조성물은 (A) 에폭시수지 100중량부, (B) 페놀수지 30 내지 75중량부, (C) (1) 실란커플링제 0.05 내지 1.00중량부%와 (2) 실리콘계 계면활성제 0.05 내지 1.00중량% 및 (3) 열경화성 실리콘 고무 0.15 내지 3.00중량부%에 의해서 상온에서 표면처리된 실리카분말 320 내지 570중량부, (D) 스틸렌-부타디엔-메타크릴산메틸의 공중합체 2 내지 30중량부가 함유되어 있는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 수지밀봉형 반도체장치는 반도체장치를 상기 에폭시수지조성물의 경화물로 밀봉한 것이다. 이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 에폭시수지조성물은 4종류의 상기 성분(A) 내지 (D)를 필수성분으로 함유하고 있는 것이다. 그중에서 성분(A)는 에폭시수지로서, 그 자체는 공지된 것을 사용하여도 좋은 바, 그 예를들어보면 비스페놀 A형 에폭시수지, 페놀 노보락형에폭시수지, 크레졸노보락형 에폭시수지 등의 글리시딜에테르형 에폭시수지와, 글리시딜에스테르형 에폭시수지, 글리시딜아민형 에폭시수지, 선상지방족 에폭시수지, 지환식에폭시수지, 복소환식에폭시수지, 할로겐화에폭시수지 등과 같이 1분자중에 에폭시기를 2개 이상 갖고 있는 에폭시수지를 예로들 수 있다. 이들 에폭시수지는 2종 이상의 혼합물의 형태로 사용하여도 좋다.
본 발명에서 사용되는 에폭시수지는 반도체장치의 배선등 금속재료의 부식을 방지하기 위하여, 바람직하기로는 염소이온의 함유량이 10ppm이상이고, 가수분해성 염소의 함유량은 0.1중량%이하인 것이 좋다. 또한 에폭시수지로서는 글리시딜에테르형 에폭시수지가 가장 적당하고, 특히 에폭시 당량이 170 내지 300인 노보락형 에폭시수지를 이용할 경우에 우수한 특성이 얻어진다.
또한, 성분(B)는 에폭시수지성분(A)의 경화제로 작용하는 페놀수지로서, 그 예를들어보면 페놀노보락수지, 크레졸 노보락수지, tert-페놀노보락수지, 노닐페놀노보락수지 등과 같은 노보락형페놀수지와, 레졸형페놀수지, 비스페놀 A수지, 페놀아르알킬수지, 디시클로펜타디엔 페놀수지 및, 그외 각종 변성페놀수지 등이 있다. 이들 수지는 2종 이상의 혼합물의 형태로 사용할 수도 있는데, 예를들면 페놀노보락수지의 10 내지 70중량%를 페놀아르알킬수지로 치환시켜주게 되면 반도체장치와의 밀착성이 향상되고, 땜납침지에 대한 내성도 크게 개선된다.
한편, 에폭시수지(A)와 페놀수지(B)의 배합비율은 에폭시수지의 에폭시당량과 페놀수지의 페놀성수산기 당량과의 당량비(에폭시당량/OH당량)가 0.5 내지 1.5로 되도록 하는 것이 좋은 바, 만일 상기 당량비가 상기 범위를 벗어나게 되면 경화후의 에폭시수지조성물의 강도가 저하되게 된다.
본 발명에 따른 에폭시수지조성물의 성분 (C)는 (1) 실란커플링제와 (2) 실리콘계 계면활성제 및 (3) 열경화성 실리콘고무에 의해서 상온에서 처리된 실리카 분말이다. 이때, 상기 실리카분말로서는 용융실리카나, 결정성실리카 분말을 사용할 수가 있는데, 이러한 실리카분말은 분쇄형, 구형, 섬유형중의 어떤 형태로 되어 있어도 좋다.
또한, 반도체장치의 손상을 방지해주고 성형성 및 저응력성을 부여해주기 위해서는 조(粗)실리카를 절단시킨 실리카분말을 이용하는 것이 좋다. 그리고, 기억소자등의 반도체장치를 밀봉시켜줄 경우에는 소프트에러를 경감시키기 위하여 실리카분말로서 우라늄 및 토륨의 함유량이 1.0ppb 이하인 용융 실리카분말을 사용하는 것이 좋다.
이러한 실리카분말을 처리하기 위하여 사용되는 첫 번째 성분인 실란커플링제(1)에는 비닐트리스(β-메톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로틸트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란 등이 있다. 이들중에서 β-(3,4-에톡시시클로헥실)에틸트리메톡시실란과 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란이 가장 좋다. 이들 실란커플링제는 2종 이상을 조합하여서 사용하여도 좋다.
실리카분말을 처리하는데 사용되는 두 번째 성분은 실리콘 계면활성제(2)로서, 특히 실리콘계 비이온계면활성제가 적합한 바, 그 예를들어보면 SH-3749(도-레실리콘(주)제품, 점도 2900cst), SF-8421(도-레실리콘(주)제품, 점도 3500cst)등이 있다. 이들중에서 에폭시수지조성물의 성형성을 감안하면 SF-8421이 좋은데, 실리콘계 비이온계면활성제인 상기 SF-8421은 에폭시수지 함유 에테르 변성 실리콘오일로서 다음 구조식으로 표시된다.
Figure kpo00001
여기서, R'는 알킬기이고, POA는 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜-프로필렌글리콜 공중합체등의 폴리에테르를 나타낸다.
상기 이외에도 실리콘 계면활성제(2)로서는 "유기 합성화학" 40권, 6호, p576에 기재된 폴리에테르 변성실리콘오일을 사용할 수 있다.
본 발명에서 실리카분말을 처리하기 위한 세 번째 성분은 열경화성 실리콘고무(3)로서, 상온에서 유동성이 있고, 일반적으로 액상실리콘고무라고 불리워지는 것이면 어느것이나 좋다. 본 발명에서는 액상실리콘고무로서 상온에서는 경화성이 없고 경화추정온도가 100℃이상인 것이 좋다.
이러한 액상실리콘고무는 다음 반응식에 따라 경화된다.
Figure kpo00002
Figure kpo00003
Figure kpo00004
상기 A액은 비닐기를 갖고 있는 실리콘오일이고, B액은 ≡Si-H기를 갖고 있는 실리콘오일인데, 이들은 통상적으로 백금촉매를 이용하여 경화시킨다.
이와 같은 액체 실리콘오일의 예를들어보면 TSJ-3150(도시바 실리콘(주)제품, 25℃에서의 점도 1100cp, 경화추정온도 150℃), TSJ-3151(도시바 실리콘(주)제품, 25℃에서의 점도 3100cp, 경화추정온도 150℃), TSJ-3130(도시바 실리콘(주)제품, 25℃에서의 점도 3800cp, 경화추정온도 150℃), TSE-3051(도시바 실리콘(주)제품, 25℃에서의 점도 700cp, 경화추정온도 125℃) 등이 있다. 이들중에서는 전기특성등을 고려할 때 TSJ-3151 및 TSE-3051이 가장 좋다.
상기 표면처리성분(1) 내지 (3)에 의해 실리카분말을 처리할때는 상온(10℃ 내지 35℃)에서 실리카분말을 표면처리성분(1) 내지 (3)와 함께 헨셀믹서, 볼밀, V형 블렌더등의 혼합기로 수분동안 혼합시킨다.
이때 성분(1)은 실리카분말의 0.05중량% 내지 1.00중량%의 비율로 사용한다. 만일 상기량이 0.05%미만이면 충분한 내습성이 얻어지지 않고, 반대로 1.00중량%를 넘게되면 충분한 강도가 얻어지지 않는다. 성분(1)의 가장 바람직한 배합량은 0.3 내지 0.7중량%이다.
한편, 성분(2)의 배합비율은 실리카분말의 0.05중량% 내지 1.00중량%인바, 만일 상기량이 0.05중량%미만이면 반도체장치의 프레임소재등에 대한 충분한 밀착성이 얻어지지 않게되고, 반대로 1.00중량%를 넘으면 충분한 전기절연특성이 얻어지지 않게 된다. 성분(2)의 가장 바람직한 배합량은 0.3 내지 0.7중량%이다.
마지막으로 성분(3)의 배합비율은 실리카분말의 0.15중량% 내지 3.00중량%인데, 상기량이 0.15중량%미만이면 반도체장치의 프레임소재등에 대한 밀착성이 충분하게 얻어지지 않게되고, 3.00중량%이상이면 양호한 성형성이 얻어지지 않게 된다. 성분(3)의 바람직한 배합량은 0.6 내지 1.8중량%이다.
본 발명에 따른 에폭시수지조성물의 성분(D)는 스틸렌-부타디엔-메타크릴산메틸공중합체로서, 이 성분(D)를 표면처리된 실리카분말(C)과 조합하게 되면 바람직하게도 실리콘고무에 의해서 최종성형품의 표면이 흐려지게 되는 것을 막을 수가 있고, 최종제품의 내부응력을 낮출수가 있다. 이러한 성분(D)는 통상적으로 MBS수지로 불리워지는 비닐공중합형의 고무분말로서, 예컨대 다음과 같은 방법으로 합성된다.
우선, 부타디엔 75%와 스틸렌 25%로 이루어져 있고, 입경이 0.1μm인 스틸렌-부타디엔고무(SBR) 40중량%를 포함하는 라텍스 100중량부와, 물 150중량부의 혼합물에다 나트륨 술폭실레이트 포름알데히드 0.15중량부, 스틸렌 33중량부 및 쿠멘히드로퍼옥사이드 0.2중량부를 첨가한다. 이렇게 얻어진 혼합물을 밀폐용기에 넣고, 60℃에서 5시간동안 교반하여 SBR 라텍스에 혼입된 스틸렌의 거의 전량을 중합시킨다.
이어서, 여기에 메타크릴산 메틸 27중량부와 쿠멘히드로퍼옥사이드 0.2중량부를 첨가하여 상기와 동일한 방법으로 4시간 동안 중합시킨다. 이렇게 하여 얻어진 그래프트 라텍스를 응고, 여과, 세척, 건조시켜서 MBS 수지를 얻는다.
이러한 방법에 의거하여 통상 40중량% 내지 70중량%의 부타디엔 단위를 포함하고 있는 MBS수지를 합성할 수 있고, 이것을 본 발명의 성분(D)로 사용할 수 있다. 이와 같은 MBS수지는 현재 시판되고 있는데, 예를들면 카네스 B-22(가네가후찌 화학공업(주)제품, 부타디엔 함유량 약 45%), 카네스 B-28(가네가후찌 화학공업(주)제품, 부타디엔 함유량 약 45%), 카네스 B-56(가네가후찌 화학공업(주)제품, 부타디엔 함유량 약 65%), JSR MBS 66(일본합성고무(주)제품, 부타디엔 함유량 약 60%), JSR MBS 67(일본합성고무(주)제품, 부타디엔 함유량 약 60%), JSR MBS 68(일본합성고무(주)제품, 부타디엔 함유량 약 60%) 등이 있다. 이들중에서 본 발명에서 사용하기에는 부타디엔 함유량이 많은 JSR MBS 66,67 및 68과, 카네스 B-56이 좋다. 또한, MBS수지는 에폭시수지조성물중에 균일하게 분산되어지기 때문에 입경이 350μm이하인 분말형태인 것이 좋다.
본 발명의 에폭시수지조성물은 상기 성분(A) 내지 (D)를, 예컨대 믹서로 충분히 혼합시킨후, 다시 열롤러로 용융 혼합처리하거나, 또는 니이더등으로 혼합처리하여 균일하게 혼합시켜줌으로서 제조되게 된다.
본 발명에 있어서 각 성분의 바람직한 배합비율은 에폭시수지성분(A) 100중량부에 대하여 페놀수지성분(B) 30 내지 75중량부, 표면처리된 실리카분말 성분(C) 320 내지 570중량부 및 MBS수지 성분(D) 2 내지 30중량부로 이우러진 것이 가장 좋다. 만일, 상기 조성중에 페놀수지의 성분이 30중량부 미만이면 경화물이 충분한 강도를 얻을 수 없고, 반대로 75중량부 이상이면 흡습성이 증가하고 절연성능이 낮아질뿐만 아니라, 그것을 사용하여 반도체장치를 밀봉시킬 경우에는 반도체의 장치상의 배선(특히, 알루미늄배선)의 부식이 촉진되므로서 불량이 많이 발생하게 되므로 좋지 않다.
또한, 상기 조성중에 실리카분말 성분(C)의 함량이 320중량부 미만이면 열충격에 의해서 반도체소자의 금선이 단선되므로서 불량이 발생할 가능성이 많아지게 되고, 반대로 570중량부 이상아면 수지의 점도가 증가되기 때문에 성형성이 나빠지게 된다.
또한, MBS 수지성분(D)의 양이 2중량부 미만이면 충분한 내열충격성이 얻어지지 않게되고, 반대로 30중량부 이상이면 수지의 성형성이 나빠지게 된다.
한편, 본 발명의 에폭시수지조성물은 상기 필수성분(A) 내지 (D)에다 첨가제로서 이미다졸 또는 그 유도체, 제3아민 유도체, 포스핀 또는 그 유도체등의 경화제; 천연왁스, 합성왁스, 직쇄지방산의 금속염, 산 아미드 또는 에스테르, 파라핀등의 이형제 ; 브로모톨루엔, 헥사브로모벤젠, 3산화안티몬 등의 난연제; 카본블랙등의 착색제; 등 통상적으로 사용되고 있는 첨가제를 적당량 배합하여도 좋다.
본 발명의 에폭시수지조성물은 그 조성물을 압축성형, 트랜스퍼성형 또는 사출성형등에 의해 성형시킨후, 정화시켜줌으로서 원하는 성형품을 얻을 수가 있다.
본 발명의 에폭시수지조성물을 이용하여 반도체장치를 밀봉시켜주고자 할 때는 저압트랜스퍼 성형을 이용하는 것이 가장 일반적이나, 사출성형, 압축성형, 주형 등에 의해서 밀봉시켜줄 수도 있다. 또 밀봉된 후에는 에폭시수지조성물을 가열경화시키고, 경화후에 에폭시수지조성물을 150℃ 이상의 온도로 가열시켜주는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 에폭시수지조성물을 사용하여 밀봉시킨 반도체장치로는 집적회로장치, 대규모 집적장치, 트랜지스터장치, 싸이리스터장치, 다이오드장치, 기억장치 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
첨부한 도면 제 1 도는 평판형패키지의 일례를 나타낸 사시도로서, 경화된 본 발명의 에폭시수지조성물로된 패키지(1)를 나타내주고 있다. 여기서 참조부호(2)는 패키지(1)내에 밀봉된 반도체장치에서 도출된 외부리이드이다.
이하, 본 발명을 실시예에 따라 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
[실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 9]
우선, 충전재분말(용융실리카분말에 삼산화안티몬분말과 카본블랙분말을 첨가한 것)을 헨셀믹서로 혼합시킨 후, 여기에다 실란커플링제, 실리콘계 계면활성제 및 열경화성 실리콘고무를 첨가하고, 상온에서 충분히 교반시켜서 충전재분말을 표면처리한다.
이렇게 하여 표면처리된 충전재분말에다 나머지 성분을 첨가하고, 이를 충분히 혼합시킨 후, 75℃ 내지 110℃의 2축가열롤러로 혼련시켜서 모두 20종류의 에폭시수지조성물을 제조한다. 이때, 각 성분은 다음 성분표 및 표 1의 비율에 따라 사용하여 실시한다.(실시예 1 내지 20).
이어서, 상기 실시예와 동일한 방법으로 하되 표 2에 나타낸 비율로 각 성분들을 사용하여 모두 9종류의 에폭시수지조성물을 제조한다(비교예 1 내지 9).
상기 각 에폭시수지조성물을 이용하여 175℃에서 3분의 조건으로 트랜스퍼 성형에 의해 시편을 제조하고, 다시 180℃에서 4시간동안 후처리시킨 다음, 이 시편에 대하여 체적저항율, 열팽창율, 굴곡강도, 굴곡탄성율 등을 측정한다. 또한, 프레임 소재에 대한 밀착성을 조사하기 위하여 상기 각 에폭시수지조성물을 반도체장치의 프레임재료인 철-니켈합금(Ni 42%)판상에 도포시키고, 이를 경화시킨후, 이 판에 대하여 수직 방향으로 하중을 가하여 경화수지가 박리될때의 하중을 측정하고, 그 결과를 다음 표 3에 나타낸다.
또한, 땜납침지에 대한 내성을 조사하기 위하여 상기 각 에폭시수지조성물을 이용하여 175℃에서 3분 동안 알루미늄 배선부식 점검용 및 내습성 시험용 반도체장치를 밀봉시켜서 두께가 2mm인 평판형 패키지로 제조하고, 이를 180℃에서 4시간후 처리해준다. 이어서, 각 패키지를 85℃의 온도와 상도 습도가 80%인 분위기하에서 72시간 동안 방치하여 흡습처리시킨 후, 이것을 260℃의 땜납조에다 5초동안 침지시킨다. 그후, 상기 땜납침지 패키지를 127℃의 포화수증기 분위기중에 일정시간 방치하고, 불량발생율을 조사(흡습성 시험)시킨후, 그 결과를 다음 표 4에 나타낸다.
또한, 각 에폭시수지조성물을 이용하여 상기와 같은 방법으로 대형 내열충격성 시험용장치(8mm×8mm)를 밀봉시키고, 이 장치를 -65℃→실온→150℃의 냉각사이클로 처리시켜서 그 작동특성을 점검한 다음, 불량발생율을 조사(내열충격성시험)하여 그 결과를 표 5에 나타낸다.
[성분표]
Figure kpo00005
[표 1]
Figure kpo00006
[표 2]
Figure kpo00007
[표 3]
Figure kpo00008
[표 4]
Figure kpo00009
[표 5]
Figure kpo00010
상기 표 3 내지 표 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 에폭시수지조성물은 종래의 에폭시수지조성물에 비해 프레임 재료에 대한 밀착성이 양호하고, 탄성율 및 내부응력이 낮은 신뢰성 높은 수지로서, 각종 전자제품이나 전기제품의 밀봉 및 함침용수지로 매우 적합한 것이다.
또한, 본 발명의 에폭시수지조성물은 수지밀봉형 반도체장치에 사용하기가 매우 적합한 것으로서, 내습성이 높고 프레임 수지밀착성이 양호하기 때문에 특히 땜납침지를 하게되는 평판형 패키지수지로 적합한 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 에폭시수지조성물은 내습성, 땜납침지에 대한 내성, 내열충격성 등의 특성이 뛰어나고, 전자제품, 전기제품의 밀봉에 매우 적합한 것이다. 그리고 본 발명의 수지밀봉형 반도체장치는 상기와 같은 에폭시수지조성물을 이용한 것으로서, 고습, 고열, 열충격하에서도 신뢰성이 매우 높은 것이다.

Claims (6)

  1. (A) 에폭시수지 100중량부, (B) 페놀수지 30 내지 75중량부, (C)(1) 실란커플링제 0.05 내지 1.00중량%와 (2) 실리콘계 계면활성제 0.05 내지 1.00중량% 및 (3) 열경화성 실리콘고무 0.15 내지 3.00중량%로 상온에서 표면처리시킨 실리카분말 320 내지 570중량부, (D) 스틸렌-부타디엔-메타크릴산메틸공중합체 2 내지 30중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시수지조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 페놀수지(B)는 10 내지 70중량%의 페놀아르알킬 수지를 함유하는 노보락형 페놀수지인 것을 특징으로 하는 에폭시수지조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 실리카분말(C)은 용융실리카로부터 얻어진 것으로서, 우라늄과 토륨의 전체함유량이 1.0중량ppb이하인 것을 특징으로 하는 에폭시수지조성물.
  4. 에폭시수지조성물에 의해서 밀봉된 수지밀봉형 반도체장치에 있어서, (A) 에폭시수지 100중량부, (B) 페놀수지 30 내지 75중량부, (C)(1) 실란커플링제 0.05 내지 1.00중량%와 (2) 실리콘계 계면활성제 0.05 내지 1.00중량% 및 (3) 열경화성 실리콘고무 0.15 내지 3.00중량%로 상온에서 표면처리시킨 실리카분말 320 내지 570중량부, (D) 스틸렌-부타디엔-메타크릴산메틸공중합체 2 내지 30중량부를 포함하는 에폭시수지조성물로 밀봉된 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 페놀수지(B)는 10 내지 70중량%의 페놀아르알킬수지를 포함하는 노보락형 페놀수지인 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 실리카분말(C)은 용융실리카로부터 얻어진 것으로서, 우라늄과 토륨의 전체함유량이 1.0중량ppb이하인 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치.
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