JP2000007890A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置Info
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- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
- C08L63/04—Epoxynovolacs
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Abstract
(57)【要約】
【課題】大きなゴム粒子の凝集物の形成が防止されて均
一にゴム粒子が分散され、優れた低応力性を付与するこ
とのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体封
止用エポキシ樹脂組成物である。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
一にゴム粒子が分散され、優れた低応力性を付与するこ
とのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む半導体封
止用エポキシ樹脂組成物である。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低応力性と耐湿信
頼性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およ
びその製法ならびにその半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いて樹脂封止された半導体装置に関するものであ
る。
頼性を兼ね備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およ
びその製法ならびにその半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いて樹脂封止された半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ等の半導体装置は、
外部環境からの保護および素子のハンドリングを可能に
する観点から、セラミックおよびプラスチックパッケー
ジ等により封止され半導体装置化されている。上記セラ
ミックパッケージは、構成材料そのものが耐湿性に優
れ、しかも中空パッケージのため半導体素子にかかる応
力を無視することができる。このため、信頼性の高い封
止が可能であるが、構成材料そのものが高価であり、量
産性に劣るという問題を有している。
外部環境からの保護および素子のハンドリングを可能に
する観点から、セラミックおよびプラスチックパッケー
ジ等により封止され半導体装置化されている。上記セラ
ミックパッケージは、構成材料そのものが耐湿性に優
れ、しかも中空パッケージのため半導体素子にかかる応
力を無視することができる。このため、信頼性の高い封
止が可能であるが、構成材料そのものが高価であり、量
産性に劣るという問題を有している。
【０００３】このようなことから、最近ではエポキシ樹
脂組成物を用いたプラスチックパッケージが主流となっ
てきている。このエポキシ樹脂組成物による封止では、
量産性に優れ安価に作製することができるものの、プラ
スチックパッケージの有する透湿性と、半導体素子に比
べて大きい線膨張係数を有するため、耐湿性および低応
力性の改良が大きな課題である。
脂組成物を用いたプラスチックパッケージが主流となっ
てきている。このエポキシ樹脂組成物による封止では、
量産性に優れ安価に作製することができるものの、プラ
スチックパッケージの有する透湿性と、半導体素子に比
べて大きい線膨張係数を有するため、耐湿性および低応
力性の改良が大きな課題である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体封止用樹脂の低
応力化としては、従来から、ブタジエン系ゴム粒子等の
ゴム粒子を添加し分散させて低応力化を図る方法が採ら
れている。しかしながら、上記方法では、つぎのような
問題があった。すなわち、ゴム粒子は、それ自体が高い
凝集性を有し、通常、市販のブタジエン系ゴム粒子にお
ける二次粒子の平均粒径は１００〜５００μｍ程度とな
ることから、上記ゴム粒子を配合して得られる半導体封
止材料中にゴム粒子を均一かつ充分に分散させることが
できないという問題があった。したがって、半導体封止
材料として要求される低応力性に限界があった。
応力化としては、従来から、ブタジエン系ゴム粒子等の
ゴム粒子を添加し分散させて低応力化を図る方法が採ら
れている。しかしながら、上記方法では、つぎのような
問題があった。すなわち、ゴム粒子は、それ自体が高い
凝集性を有し、通常、市販のブタジエン系ゴム粒子にお
ける二次粒子の平均粒径は１００〜５００μｍ程度とな
ることから、上記ゴム粒子を配合して得られる半導体封
止材料中にゴム粒子を均一かつ充分に分散させることが
できないという問題があった。したがって、半導体封止
材料として要求される低応力性に限界があった。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、煩雑な工程を経由することなく大きなゴム粒子
の凝集物の形成を防止することのできる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに上記エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる低応力性
に優れた半導体装置の提供をその目的とする。
もので、煩雑な工程を経由することなく大きなゴム粒子
の凝集物の形成を防止することのできる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに上記エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる低応力性
に優れた半導体装置の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
【０００７】また、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第２
の要旨とする。
物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第２
の要旨とする。
【０００８】さらに、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、少な
くとも上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を配合し混合する半導体
封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第３の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、少な
くとも上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を配合し混合する半導体
封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第３の要旨とする。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。
【０００９】そして、上記半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用い、半導体素子を封止してなる半導体装置を
第４の要旨とする。
成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用い、半導体素子を封止してなる半導体装置を
第４の要旨とする。
【００１０】すなわち、本発明者らは、低応力化と耐湿
信頼性を図り、しかも外観に支障をきたさない封止材料
を得るために鋭意検討を行った。その過程において、ブ
タジエン系ゴム粒子の添加による低応力化方法に際し
て、煩雑な工程を経由することなく、配合したブタジエ
ン系ゴム粒子が大きな凝集物を形成せずにエポキシ樹脂
組成物中に均一に分散させるための手段について、配合
成分およびブタジエン系ゴム粒子そのもの等様々な角度
から研究を重ねた。そして、配合するブタジエン系ゴム
粒子が凝集物を形成し易いことから、その凝集物である
二次粒子の平均粒径および特定の二次粒子径の含有量を
中心に研究を重ねた結果、上記特定範囲の平均粒径であ
り、しかもその９７重量％以上が二次粒子径２５０μｍ
以下で、かつ二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０
重量％以上となるブタジエン系ゴム粒子を用いると、上
記ブタジエン系ゴム粒子がエポキシ樹脂組成物中に均一
に分散されて低応力化が図られることを見出し本発明に
到達した。
信頼性を図り、しかも外観に支障をきたさない封止材料
を得るために鋭意検討を行った。その過程において、ブ
タジエン系ゴム粒子の添加による低応力化方法に際し
て、煩雑な工程を経由することなく、配合したブタジエ
ン系ゴム粒子が大きな凝集物を形成せずにエポキシ樹脂
組成物中に均一に分散させるための手段について、配合
成分およびブタジエン系ゴム粒子そのもの等様々な角度
から研究を重ねた。そして、配合するブタジエン系ゴム
粒子が凝集物を形成し易いことから、その凝集物である
二次粒子の平均粒径および特定の二次粒子径の含有量を
中心に研究を重ねた結果、上記特定範囲の平均粒径であ
り、しかもその９７重量％以上が二次粒子径２５０μｍ
以下で、かつ二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０
重量％以上となるブタジエン系ゴム粒子を用いると、上
記ブタジエン系ゴム粒子がエポキシ樹脂組成物中に均一
に分散されて低応力化が図られることを見出し本発明に
到達した。
【００１１】そして、上記ブタジエン系ゴム粒子ととも
に、１分子中に少なくとも１個のアミノ基を有するシリ
コーンオイルを混合することにより、一層優れた耐湿信
頼性が得られるようになる。
に、１分子中に少なくとも１個のアミノ基を有するシリ
コーンオイルを混合することにより、一層優れた耐湿信
頼性が得られるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【００１３】本発明にて得られる半導体封止用エポキシ
樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール
樹脂（Ｂ成分）と、特定のブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成
分）とを用いて得ることができるものであり、通常、粉
末状もしくはそれを打錠したタブレット状になってい
る。
樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール
樹脂（Ｂ成分）と、特定のブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成
分）とを用いて得ることができるものであり、通常、粉
末状もしくはそれを打錠したタブレット状になってい
る。
【００１４】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特
に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型，ク
レゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビス
フェノール型，ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を
用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用い
てよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエポ
キシ樹脂のなかでも、特に融点または軟化点が室温を超
えていることが好ましい。例えば、ノボラック型エポキ
シ樹脂としては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０、
軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０
〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いら
れる。
に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型，ク
レゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビス
フェノール型，ビフェニル型等の各種のエポキシ樹脂を
用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用い
てよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエポ
キシ樹脂のなかでも、特に融点または軟化点が室温を超
えていることが好ましい。例えば、ノボラック型エポキ
シ樹脂としては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０、
軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０
〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いら
れる。
【００１５】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用い
られるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂
（Ａ成分）の硬化剤として作用するものであり、特に限
定するものではなく、ジシクロペンタジエン型フェノー
ル樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラ
ック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があげられる。
これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし２種以上
併用してもよい。そして、これらフェノール樹脂として
は、水酸基当量が７０〜２５０，軟化点が５０〜１１０
℃のものを用いることが好ましい。
られるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂
（Ａ成分）の硬化剤として作用するものであり、特に限
定するものではなく、ジシクロペンタジエン型フェノー
ル樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラ
ック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があげられる。
これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし２種以上
併用してもよい。そして、これらフェノール樹脂として
は、水酸基当量が７０〜２５０，軟化点が５０〜１１０
℃のものを用いることが好ましい。
【００１６】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール
樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量あたり、フェノール樹脂中の水酸基当量が
０．５〜２．０当量となるように配合することが好まし
い。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基１当量あたり、フェノール樹脂中の水酸基当量が
０．５〜２．０当量となるように配合することが好まし
い。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００１７】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
るブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）は、通常、メタクリ
ル酸アルキル，アクリル酸アルキル，ブタジエン，スチ
レン等の共重合反応によって得られるものが用いられ
る。例えば、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
共重合体、アクリル酸メチル−ブタジエン−ビニルトル
エン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−ビニルトルエン共重合体、
メタクリル酸メチル−アクリル酸エチル−ブタジエン−
スチレン共重合体、ブタジエン−ビニルトルエン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体等をあげる
ことができる。そして、上記共重合体のなかでも、メタ
クリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体を用い
ることが好ましく、特にブタジエンの組成比率が７０重
量％以下、メタクリル酸メチルの組成比率が１５重量％
以上のメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重
合体が好適に用いられる。特に好ましくはブタジエンの
組成比率が４０〜７０重量％であり、メタクリル酸メチ
ルとスチレンの合計組成比率が３０〜６０重量％であ
る。この場合、メタクリル酸メチルとスチレンの組成比
率（重量比）はメタクリル酸メチル１に対してスチレン
が０．５〜２．０の範囲となることが好ましい。また、
本発明における上記（Ｃ）成分は、市販品の三菱レーヨ
ン社製のメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共
重合体の粉体である商品名メタブレンを凍結粉砕等を行
って、微粉砕化して得ることもできる。
るブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）は、通常、メタクリ
ル酸アルキル，アクリル酸アルキル，ブタジエン，スチ
レン等の共重合反応によって得られるものが用いられ
る。例えば、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
共重合体、アクリル酸メチル−ブタジエン−ビニルトル
エン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−ビニルトルエン共重合体、
メタクリル酸メチル−アクリル酸エチル−ブタジエン−
スチレン共重合体、ブタジエン−ビニルトルエン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体等をあげる
ことができる。そして、上記共重合体のなかでも、メタ
クリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体を用い
ることが好ましく、特にブタジエンの組成比率が７０重
量％以下、メタクリル酸メチルの組成比率が１５重量％
以上のメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重
合体が好適に用いられる。特に好ましくはブタジエンの
組成比率が４０〜７０重量％であり、メタクリル酸メチ
ルとスチレンの合計組成比率が３０〜６０重量％であ
る。この場合、メタクリル酸メチルとスチレンの組成比
率（重量比）はメタクリル酸メチル１に対してスチレン
が０．５〜２．０の範囲となることが好ましい。また、
本発明における上記（Ｃ）成分は、市販品の三菱レーヨ
ン社製のメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共
重合体の粉体である商品名メタブレンを凍結粉砕等を行
って、微粉砕化して得ることもできる。
【００１８】さらに、上記ブタジエン系ゴム粒子とし
て、コア−シェル構造を有するものが好ましく用いられ
る。このコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム粒
子は、核となるコア部分がブタジエン系ゴム類からなる
粒子で形成され、この核を被覆するよう核の外表面に、
重合体樹脂からなるシェル部分（外層）が形成されたゴ
ム粒子である。上記核の形成材料であるブタジエン系ゴ
ム類としては、スチレン−ブタジエン共重合体ラテック
ス、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックス
等があげられる。また、上記核を被覆する外層の形成材
料となる重合体樹脂としては、例えば、ガラス転移温度
が７０℃以上となる重合体樹脂があげられ、この重合体
樹脂は不飽和二重結合を有する不飽和単量体の重合によ
って得られる。上記不飽和単量体としては、メタクリル
酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等があげられ
る。このようなコア−シェル構造を有するブタジエン系
ゴム粒子は、例えば、水媒体重合法によって得られる。
詳しく述べると、上記核の形成材料であるブタジエン系
ゴム類と水を配合し重合させて核となるブタジエン系ゴ
ム粒子を調製する。ついで、この水媒体中に、外層の形
成材料となる不飽和単量体を添加して上記核であるブタ
ジエン系ゴム類の表面に不飽和単量体をグラフト共重合
させ、重合体樹脂を上記核の外周面上に積層形成するこ
とによってコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム
粒子が得られる。このようなコア−シェル構造を有する
ブタジエン系ゴム粒子としては、コア（核）部分がスチ
レン−ブタジエン共重合体からなり、シェル部分がメタ
クリル酸メチルあるいはメタクリル酸メチルとスチレン
からなるものが特に好ましく、その組成比は、前述のよ
うに、ブタジエンの組成比率が７０重量％以下、メタク
リル酸メチルの組成比率が１５重量％以上のものが好ま
しい。特に好ましくはブタジエンの組成比率が４０〜７
０重量％であり、メタクリル酸メチルとスチレンの合計
組成比率が３０〜６０重量％である。この場合、メタク
リル酸メチルとスチレンの組成比率（重量比）はメタク
リル酸メチル１に対してスチレンが０．５〜２．０の範
囲となることが好ましい。
て、コア−シェル構造を有するものが好ましく用いられ
る。このコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム粒
子は、核となるコア部分がブタジエン系ゴム類からなる
粒子で形成され、この核を被覆するよう核の外表面に、
重合体樹脂からなるシェル部分（外層）が形成されたゴ
ム粒子である。上記核の形成材料であるブタジエン系ゴ
ム類としては、スチレン−ブタジエン共重合体ラテック
ス、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックス
等があげられる。また、上記核を被覆する外層の形成材
料となる重合体樹脂としては、例えば、ガラス転移温度
が７０℃以上となる重合体樹脂があげられ、この重合体
樹脂は不飽和二重結合を有する不飽和単量体の重合によ
って得られる。上記不飽和単量体としては、メタクリル
酸メチル、アクリロニトリル、スチレン等があげられ
る。このようなコア−シェル構造を有するブタジエン系
ゴム粒子は、例えば、水媒体重合法によって得られる。
詳しく述べると、上記核の形成材料であるブタジエン系
ゴム類と水を配合し重合させて核となるブタジエン系ゴ
ム粒子を調製する。ついで、この水媒体中に、外層の形
成材料となる不飽和単量体を添加して上記核であるブタ
ジエン系ゴム類の表面に不飽和単量体をグラフト共重合
させ、重合体樹脂を上記核の外周面上に積層形成するこ
とによってコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム
粒子が得られる。このようなコア−シェル構造を有する
ブタジエン系ゴム粒子としては、コア（核）部分がスチ
レン−ブタジエン共重合体からなり、シェル部分がメタ
クリル酸メチルあるいはメタクリル酸メチルとスチレン
からなるものが特に好ましく、その組成比は、前述のよ
うに、ブタジエンの組成比率が７０重量％以下、メタク
リル酸メチルの組成比率が１５重量％以上のものが好ま
しい。特に好ましくはブタジエンの組成比率が４０〜７
０重量％であり、メタクリル酸メチルとスチレンの合計
組成比率が３０〜６０重量％である。この場合、メタク
リル酸メチルとスチレンの組成比率（重量比）はメタク
リル酸メチル１に対してスチレンが０．５〜２．０の範
囲となることが好ましい。
【００１９】そして、本発明に用いられるブタジエン系
ゴム粒子としては、その二次粒子の平均粒径が１００μ
ｍ以下となるものでなければならない。より好ましくは
平均粒径が２０〜１００μｍであり、特に好ましくは平
均粒径が２０〜５０μｍである。このように、上記二次
粒子の平均粒径が２０〜１００μｍの範囲内では、粉体
としてのハンドリングおよび分散性がより一層良好とな
る。さらに、本発明に用いられるブタジエン系ゴム粒子
としては、上記二次粒子における特定の平均粒径ととも
に、その９７重量％以上が二次粒子径２５０μｍ以下で
なければならず、しかも８０重量％以上が二次粒子径１
５０μｍ以下でなければならない。特に好ましくは二次
粒子の最大粒径が２５０μｍ以下であり、二次粒子径１
５０μｍ以下が１００重量％である。すなわち、二次粒
子径１５０μｍ以下が８０重量％未満では、例えば、混
練機で溶融混合する際に充分な分散状態が得られないか
らである。また、上記二次粒子径２５０μｍ以下のもの
が９７重量％未満では、半導体装置内において、金線ワ
イヤー／リードピンの狭部において目詰まりを起こし、
金線ワイヤー／リードピンの変形もしくは断線を生起す
るからである。なお、上記二次粒子は、例えば、Ｘ線装
置による写真や超音波顕微鏡写真を用い、樹脂成形物中
に黒点として観察されるものである。
ゴム粒子としては、その二次粒子の平均粒径が１００μ
ｍ以下となるものでなければならない。より好ましくは
平均粒径が２０〜１００μｍであり、特に好ましくは平
均粒径が２０〜５０μｍである。このように、上記二次
粒子の平均粒径が２０〜１００μｍの範囲内では、粉体
としてのハンドリングおよび分散性がより一層良好とな
る。さらに、本発明に用いられるブタジエン系ゴム粒子
としては、上記二次粒子における特定の平均粒径ととも
に、その９７重量％以上が二次粒子径２５０μｍ以下で
なければならず、しかも８０重量％以上が二次粒子径１
５０μｍ以下でなければならない。特に好ましくは二次
粒子の最大粒径が２５０μｍ以下であり、二次粒子径１
５０μｍ以下が１００重量％である。すなわち、二次粒
子径１５０μｍ以下が８０重量％未満では、例えば、混
練機で溶融混合する際に充分な分散状態が得られないか
らである。また、上記二次粒子径２５０μｍ以下のもの
が９７重量％未満では、半導体装置内において、金線ワ
イヤー／リードピンの狭部において目詰まりを起こし、
金線ワイヤー／リードピンの変形もしくは断線を生起す
るからである。なお、上記二次粒子は、例えば、Ｘ線装
置による写真や超音波顕微鏡写真を用い、樹脂成形物中
に黒点として観察されるものである。
【００２０】上記ブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）の配
合量は、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜４．０重量
％の割合に設定することが好ましく、より好ましくは
０．１〜２重量％である。すなわち、０．１重量％未満
ではエポキシ樹脂組成物の充分な低応力化効果が得られ
ず、４．０重量％を超えるとゴム粒子に含まれるイオン
性不純物に起因する半導体素子の信頼性の低下がみら
れ、さらにゴム粒子が充分かつ均一に分散しなくなる傾
向がみられるからである。
合量は、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜４．０重量
％の割合に設定することが好ましく、より好ましくは
０．１〜２重量％である。すなわち、０．１重量％未満
ではエポキシ樹脂組成物の充分な低応力化効果が得られ
ず、４．０重量％を超えるとゴム粒子に含まれるイオン
性不純物に起因する半導体素子の信頼性の低下がみら
れ、さらにゴム粒子が充分かつ均一に分散しなくなる傾
向がみられるからである。
【００２１】さらに、本発明における半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分とともに、特定の
シリコーンオイル（Ｄ成分）を用いてもよい。この特定
のシリコーンオイルは、１分子中に少なくとも１個のア
ミノ基を有するものである。上記シリコーンオイルを用
いることにより一層優れた耐湿信頼性を得ることができ
る。これは、上記シリコーンオイルが表面処理剤的な作
用を奏し、エポキシ樹脂組成物硬化体と半導体素子の接
着性がより一層向上するとともに、撥水性を有すること
に起因して耐湿性が向上するものであると考えられる。
上記シリコーンオイルとして、具体的に、下記の一般式
（１）で表されるシリコーンオイルを用いることが好ま
しい。
キシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分とともに、特定の
シリコーンオイル（Ｄ成分）を用いてもよい。この特定
のシリコーンオイルは、１分子中に少なくとも１個のア
ミノ基を有するものである。上記シリコーンオイルを用
いることにより一層優れた耐湿信頼性を得ることができ
る。これは、上記シリコーンオイルが表面処理剤的な作
用を奏し、エポキシ樹脂組成物硬化体と半導体素子の接
着性がより一層向上するとともに、撥水性を有すること
に起因して耐湿性が向上するものであると考えられる。
上記シリコーンオイルとして、具体的に、下記の一般式
（１）で表されるシリコーンオイルを用いることが好ま
しい。
【００２２】
【化１】
【００２３】上記一般式（１）で表されるシリコーンオ
イル等に代表されるシリコーンオイルは、従来公知の製
法により得ることができ、その配合量は、エポキシ樹脂
組成物全体の０．０１〜１．０重量％の割合に設定する
ことが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．３重量
％である。すなわち、上記シリコーンオイルの配合量が
０．０１重量％未満では半導体装置の耐湿信頼性の充分
な向上効果がみられず、また１．０重量％を超えるとエ
ポキシ樹脂組成物の成形性が低下する傾向がみられるか
らである。上記シリコーンオイルとしては、分子量３０
０〜２０００程度のものが用いられ、上記一般式（１）
のものを用いる場合、通常、繰り返し数ｎが０〜４０の
整数の末端アミノプロピル基変性ジメチルシロキサンが
用いられる。好ましくは繰り返し数ｎが０〜２０のもの
が用いられる。また、上記式（１）中のＲは、アミノ基
を有する一価の有機基であるが、より好ましくはアミノ
基を有する炭素数１〜８のアルキル基である。そして、
特に好ましくは下記の構造式（２）で表される両末端ア
ミノプロピル基変性ジメチルシロキサンがあげられる。
イル等に代表されるシリコーンオイルは、従来公知の製
法により得ることができ、その配合量は、エポキシ樹脂
組成物全体の０．０１〜１．０重量％の割合に設定する
ことが好ましく、より好ましくは０．０１〜０．３重量
％である。すなわち、上記シリコーンオイルの配合量が
０．０１重量％未満では半導体装置の耐湿信頼性の充分
な向上効果がみられず、また１．０重量％を超えるとエ
ポキシ樹脂組成物の成形性が低下する傾向がみられるか
らである。上記シリコーンオイルとしては、分子量３０
０〜２０００程度のものが用いられ、上記一般式（１）
のものを用いる場合、通常、繰り返し数ｎが０〜４０の
整数の末端アミノプロピル基変性ジメチルシロキサンが
用いられる。好ましくは繰り返し数ｎが０〜２０のもの
が用いられる。また、上記式（１）中のＲは、アミノ基
を有する一価の有機基であるが、より好ましくはアミノ
基を有する炭素数１〜８のアルキル基である。そして、
特に好ましくは下記の構造式（２）で表される両末端ア
ミノプロピル基変性ジメチルシロキサンがあげられる。
【００２４】
【化２】
【００２５】なお、本発明にて得られるエポキシ樹脂組
成物の材料には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に必要に応じて硬
化促進剤、無機質充填剤や、ノボラック型ブロム化エポ
キシ樹脂等のハロゲン系の難燃剤や三酸化アンチモン等
の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルアミノプロ
ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤等他
の添加剤が適宜に用いられる。
成物の材料には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に必要に応じて硬
化促進剤、無機質充填剤や、ノボラック型ブロム化エポ
キシ樹脂等のハロゲン系の難燃剤や三酸化アンチモン等
の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルアミノプロ
ピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤等他
の添加剤が適宜に用いられる。
【００２６】上記硬化促進剤としては、アミン型，リン
型等のものがあげられる。アミン型としては、２−イミ
ダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールアミン，
ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等があげら
れる。また、リン型としては、トリフェニルホスフィン
等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いら
れる。そして、上記硬化促進剤の配合割合は、エポキシ
樹脂組成物全体の０．１〜１．０重量％の割合に設定す
ることが好ましい。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動
性を考慮すると好ましくは０．１５〜０．３５重量％で
ある。
型等のものがあげられる。アミン型としては、２−イミ
ダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールアミン，
ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等があげら
れる。また、リン型としては、トリフェニルホスフィン
等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いら
れる。そして、上記硬化促進剤の配合割合は、エポキシ
樹脂組成物全体の０．１〜１．０重量％の割合に設定す
ることが好ましい。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動
性を考慮すると好ましくは０．１５〜０．３５重量％で
ある。
【００２７】上記無機質充填剤としては、特に限定する
ものではなく、一般に用いられる石英ガラス粉末，シリ
カ粉末，アルミナ，タルク等があげられる。特に好まし
くは球状溶融シリカ粉末があげられる。上記無機質充填
剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重
量％の範囲に設定することが好ましい。
ものではなく、一般に用いられる石英ガラス粉末，シリ
カ粉末，アルミナ，タルク等があげられる。特に好まし
くは球状溶融シリカ粉末があげられる。上記無機質充填
剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重
量％の範囲に設定することが好ましい。
【００２８】本発明において、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物は、例えばつぎのようにして製造することがで
きる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分および必要に応じてシ
リコーンオイル（Ｄ成分）ならびに他の添加剤を、同時
に配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機に
かけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、
公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するとい
う一連の工程により製造することができる。なお、本発
明において、上記ブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）の二
次粒子径は、通常の混合方法であれば、配合等の仕込み
時と得られるエポキシ樹脂組成物中とではそれほど変わ
るものではない。さらに、このエポキシ樹脂組成物から
なる封止樹脂（硬化体）中においても、上記二次粒子径
はさほど変化しないものと考えられる。また、本発明の
エポキシ樹脂組成物の他の製造方法としては、予め上記
Ｃ成分をＡ成分またはＢ成分の全部もしくは一部と予備
混合（予備溶融混合）し、ついでこれに残余成分を配合
して溶融混合して、上記と同様、冷却、粉砕し、必要に
応じて打錠するという一連の工程により製造することも
できる。
脂組成物は、例えばつぎのようにして製造することがで
きる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分および必要に応じてシ
リコーンオイル（Ｄ成分）ならびに他の添加剤を、同時
に配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機に
かけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、
公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するとい
う一連の工程により製造することができる。なお、本発
明において、上記ブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）の二
次粒子径は、通常の混合方法であれば、配合等の仕込み
時と得られるエポキシ樹脂組成物中とではそれほど変わ
るものではない。さらに、このエポキシ樹脂組成物から
なる封止樹脂（硬化体）中においても、上記二次粒子径
はさほど変化しないものと考えられる。また、本発明の
エポキシ樹脂組成物の他の製造方法としては、予め上記
Ｃ成分をＡ成分またはＢ成分の全部もしくは一部と予備
混合（予備溶融混合）し、ついでこれに残余成分を配合
して溶融混合して、上記と同様、冷却、粉砕し、必要に
応じて打錠するという一連の工程により製造することも
できる。
【００２９】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
【００３０】このようにして得られる半導体装置は、封
止用樹脂組成物として用いられるエポキシ樹脂組成物中
に、前記特定の二次粒子からなるブタジエン系ゴム粒子
（Ｃ成分）が均一に分散されているため、低応力性に優
れたものである。
止用樹脂組成物として用いられるエポキシ樹脂組成物中
に、前記特定の二次粒子からなるブタジエン系ゴム粒子
（Ｃ成分）が均一に分散されているため、低応力性に優
れたものである。
【００３１】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００３２】下記に示す各成分を準備した。
【００３３】〔エポキシ樹脂〕 ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２００、軟化点８５℃）
量２００、軟化点８５℃）
【００３４】〔フェノール樹脂Ａ〕 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１１０、軟化点
８０℃）
８０℃）
【００３５】〔フェノール樹脂Ｂ〕 下記の構造式（３）で表されるフェノールアラルキル樹
脂（水酸基当量１７０、軟化点８０℃）
脂（水酸基当量１７０、軟化点８０℃）
【化３】
【００３６】〔ブロム化エポキシ樹脂〕 ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂（エポキシ当量２７
５、軟化点８５℃）
５、軟化点８５℃）
【００３７】〔難燃助剤〕 三酸化アンチモン
【００３８】〔シリコーンオイル〕下記の構造式（４）
で表される両末端アミノプロピル変性ジメチルシロキサ
ン
で表される両末端アミノプロピル変性ジメチルシロキサ
ン
【化４】
【００３９】〔離型剤〕 カルナバワックス
【００４０】〔硬化促進剤〕 ＤＢＵ〔１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７〕
セン−７〕
【００４１】〔顔料〕カーボンブラック
【００４２】〔シリカ粉末〕 球状溶融シリカ粉末（平均粒径２５μｍ）
【００４３】〔シランカップリング剤Ａ〕 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００４４】〔シランカップリング剤Ｂ〕 γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
【００４５】〔ブタジエン系ゴム粒子ｃ１〕 メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体 〔一次粒子径：０．２μｍ、平均粒径（平均二次粒
径）：１５０μｍ、二次粒子径１５０μｍ以下の含有量
が５０重量％、二次粒子径２５０μｍを超える二次粒子
の含有量が２５重量％、二次粒子径５００μｍ以上の含
有量が１５重量％、ブタジエン含有量：約５０重量％、
メタクリル酸メチル含有量：約２０重量％〕
径）：１５０μｍ、二次粒子径１５０μｍ以下の含有量
が５０重量％、二次粒子径２５０μｍを超える二次粒子
の含有量が２５重量％、二次粒子径５００μｍ以上の含
有量が１５重量％、ブタジエン含有量：約５０重量％、
メタクリル酸メチル含有量：約２０重量％〕
【００４６】〔ブタジエン系ゴム粒子ｃ２〜ｃ６〕上記
メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体ｃ
１を用い、液体窒素を用いた凍結粉砕を行って微粉化し
た後、篩別分級した。これらを適宜に配合することによ
り、下記の表１に示すブタジエン系ゴム粒子ｃ２〜ｃ６
を調製した。
メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体ｃ
１を用い、液体窒素を用いた凍結粉砕を行って微粉化し
た後、篩別分級した。これらを適宜に配合することによ
り、下記の表１に示すブタジエン系ゴム粒子ｃ２〜ｃ６
を調製した。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【実施例１〜１１、比較例１〜７】下記の表２〜表４に
示す各原料を同表に示す割合で同時に配合し、１００〜
１２０℃に加熱したロール混練機（５分間）にかけて溶
融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、
さらにタブレット状に打錠することにより半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
示す各原料を同表に示す割合で同時に配合し、１００〜
１２０℃に加熱したロール混練機（５分間）にかけて溶
融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、
さらにタブレット状に打錠することにより半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４９】
【表２】
【００５０】
【表３】
【００５１】
【表４】
【００５２】このようにして得られた実施例品および比
較例品について、つぎのような測定を行った。まず、ゴ
ム粒子の凝集物を計測するため、各エポキシ樹脂組成物
を用い、トランスファー成形（成形条件：１７５℃×２
分間）により２８ピン−スモールアウトラインＪリード
パッケージ（ＳＯＪ−２８ｐ）の半導体パッケージを作
製した。そして、超音波探傷装置を用いて上記パッケー
ジ中のゴム粒子の凝集物である黒点の個数を計測した。
その結果を下記の表５〜表７に示した。
較例品について、つぎのような測定を行った。まず、ゴ
ム粒子の凝集物を計測するため、各エポキシ樹脂組成物
を用い、トランスファー成形（成形条件：１７５℃×２
分間）により２８ピン−スモールアウトラインＪリード
パッケージ（ＳＯＪ−２８ｐ）の半導体パッケージを作
製した。そして、超音波探傷装置を用いて上記パッケー
ジ中のゴム粒子の凝集物である黒点の個数を計測した。
その結果を下記の表５〜表７に示した。
【００５３】また、封止樹脂の耐湿信頼性を評価するた
めに、アルミニウム電極を蒸着した半導体素子（サイ
ズ：３ｍｍ×５ｍｍ）を、１６ピンのデュアルインライ
ンパッケージ（ＤＩＰ−１６）用のフレームに組み立て
て、ワイヤーボンディングを行った。ついで、各半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止することに
より半導体装置を得た。そして、この半導体装置の初期
の導通試験を行った後、さらにその合格品を１２５℃／
８５％ＲＨの高温高湿条件下に曝してバイアス電圧３０
Ｖをかけて〔プレッシャークッカーバイアス試験（ＰＣ
ＢＴテスト）〕、一定時間毎の抵抗値を測定した。この
抵抗値が初期の２倍以上になったものを導通不良とし、
全体の試験個数の半分が不良となる時間を求めた。この
結果を下記の表５〜表７に示した。
めに、アルミニウム電極を蒸着した半導体素子（サイ
ズ：３ｍｍ×５ｍｍ）を、１６ピンのデュアルインライ
ンパッケージ（ＤＩＰ−１６）用のフレームに組み立て
て、ワイヤーボンディングを行った。ついで、各半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止することに
より半導体装置を得た。そして、この半導体装置の初期
の導通試験を行った後、さらにその合格品を１２５℃／
８５％ＲＨの高温高湿条件下に曝してバイアス電圧３０
Ｖをかけて〔プレッシャークッカーバイアス試験（ＰＣ
ＢＴテスト）〕、一定時間毎の抵抗値を測定した。この
抵抗値が初期の２倍以上になったものを導通不良とし、
全体の試験個数の半分が不良となる時間を求めた。この
結果を下記の表５〜表７に示した。
【００５４】さらに、樹脂硬化物の線膨張係数（α）と
曲げ弾性率（Ε）を測定するための試験片を作製し、そ
れぞれ熱機械分析装置（リガク社製、ＭＪ−８００Ｇ
Ｍ）および曲げ試験装置（島津製作所社製、オートグラ
フＡＧ−５００Ｃ）によりその物性を計測した。さら
に、樹脂硬化物の応力指数を線膨張係数（α）と曲げ弾
性率（Ε）の積（α×Ε）により求めた。その結果を下
記の表５〜表７に併せて示した。
曲げ弾性率（Ε）を測定するための試験片を作製し、そ
れぞれ熱機械分析装置（リガク社製、ＭＪ−８００Ｇ
Ｍ）および曲げ試験装置（島津製作所社製、オートグラ
フＡＧ−５００Ｃ）によりその物性を計測した。さら
に、樹脂硬化物の応力指数を線膨張係数（α）と曲げ弾
性率（Ε）の積（α×Ε）により求めた。その結果を下
記の表５〜表７に併せて示した。
【００５５】
【表５】
【００５６】
【表６】
【００５７】
【表７】
【００５８】上記表５〜表７の結果から、比較例品は実
施例品に比べて硬化物中にゴム粒子の凝集物である黒点
が数多く確認された。さらに、耐湿信頼性を評価するＰ
ＣＢＴテストでは平均寿命は実施例品に比べて比較例品
は短かった。このことから比較例品は耐湿信頼性にも劣
っていることがわかる。そして、実施例品は比較例品に
比べて平均寿命時間が長く、また線膨張係数および応力
指数の全てに低い値であった。
施例品に比べて硬化物中にゴム粒子の凝集物である黒点
が数多く確認された。さらに、耐湿信頼性を評価するＰ
ＣＢＴテストでは平均寿命は実施例品に比べて比較例品
は短かった。このことから比較例品は耐湿信頼性にも劣
っていることがわかる。そして、実施例品は比較例品に
比べて平均寿命時間が長く、また線膨張係数および応力
指数の全てに低い値であった。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、本発明では、特定の二次
粒子からなるブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）を、前記
エポキシ樹脂（Ａ成分）およびフェノール樹脂（Ｂ成
分）とともに含有させることにより半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物が得られる。このように、ブタジエン系ゴ
ム粒子（Ｃ成分）を他の成分とともに含有させるにも関
わらず、上記特定の二次粒子であるため、本発明の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物におけるブタジエン系ゴム
粒子（Ｃ成分）は、エポキシ樹脂組成物中に均一に分散
されることになる。したがって、従来のように、ブタジ
エン系ゴム粒子が凝集し粒径の大きなゴム粒子が形成さ
れることもなく、しかも、煩雑な工程を経由する必要も
ないことから、容易かつ低コストで上記半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を得ることができるようになる。そし
て、本発明の半導体装置は、上記ブタジエン系ゴム粒子
（Ｃ成分）が均一に分散された特殊なエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を樹脂封止したものである。この
ため、本発明の半導体装置では、上記特定の二次粒子か
らなるブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）が封止樹脂中に
均一に分散されることから、優れた低応力性を備えるよ
うになる。
粒子からなるブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）を、前記
エポキシ樹脂（Ａ成分）およびフェノール樹脂（Ｂ成
分）とともに含有させることにより半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物が得られる。このように、ブタジエン系ゴ
ム粒子（Ｃ成分）を他の成分とともに含有させるにも関
わらず、上記特定の二次粒子であるため、本発明の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物におけるブタジエン系ゴム
粒子（Ｃ成分）は、エポキシ樹脂組成物中に均一に分散
されることになる。したがって、従来のように、ブタジ
エン系ゴム粒子が凝集し粒径の大きなゴム粒子が形成さ
れることもなく、しかも、煩雑な工程を経由する必要も
ないことから、容易かつ低コストで上記半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を得ることができるようになる。そし
て、本発明の半導体装置は、上記ブタジエン系ゴム粒子
（Ｃ成分）が均一に分散された特殊なエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を樹脂封止したものである。この
ため、本発明の半導体装置では、上記特定の二次粒子か
らなるブタジエン系ゴム粒子（Ｃ成分）が封止樹脂中に
均一に分散されることから、優れた低応力性を備えるよ
うになる。
【００６０】さらに、前記Ａ〜Ｃ成分に加えて、１分子
中に少なくとも１個のアミノ基を有するシリコーンオイ
ル（Ｄ成分）を配合し混合することにより、一層優れた
耐湿信頼性が得られるようになる。
中に少なくとも１個のアミノ基を有するシリコーンオイ
ル（Ｄ成分）を配合し混合することにより、一層優れた
耐湿信頼性が得られるようになる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ // Ｃ０８Ｇ 59/62
Claims (8)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。 - 【請求項２】 上記（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに下記の
（Ｄ）成分を含有する請求項１記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 （Ｄ）１分子中に少なくとも１個のアミノ基を有するシ
リコーンオイル。 - 【請求項３】 上記（Ｃ）成分の配合量が、半導体封止
用エポキシ樹脂組成物全体中０．１〜４．０重量％の範
囲に設定されている請求項１または２記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 上記請求項１〜３のいずれか一項に記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止してなる半導体装置。 - 【請求項５】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含む成分を
配合し混合することを特徴とする半導体封止用エポキシ
樹脂組成物の製法。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）下記（イ）を備えたブタジエン系ゴム粒子。 （イ）二次粒子の平均粒径が１００μｍ以下で、二次粒
子径２５０μｍ以下の含有量が９７重量％以上で、かつ
二次粒子径１５０μｍ以下の含有量が８０重量％以上。 - 【請求項６】 上記（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに下記の
（Ｄ）成分を配合し混合する請求項５記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の製法。 （Ｄ）１分子中に少なくとも１個のアミノ基を有するシ
リコーンオイル。 - 【請求項７】 上記（Ｃ）成分の配合量が、半導体封止
用エポキシ樹脂組成物全体中０．１〜４．０重量％の範
囲に設定されている請求項５または６記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の製法。 - 【請求項８】 上記請求項５〜７のいずれか一項に記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得ら
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素
子を封止してなる半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6465599A JP2000007890A (ja) | 1998-04-23 | 1999-03-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 |
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| MYPI99001571A MY121060A (en) | 1998-04-23 | 1999-04-22 | Butadiene rubber particles with secondary particle sizes for epoxy resin encapsulant, composition of epoxy resin, phenolic resin, butadiene particles and amino silicone oil. |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003012761A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2005078013A1 (ja) | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 樹脂用改質剤及びこれを用いた樹脂組成物、成形品 |
| JP2009167327A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | グラフト共重合体、それを含有する樹脂組成物及び成形体 |
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|---|---|---|---|---|
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| US20080206622A1 (en) * | 2006-06-06 | 2008-08-28 | Naoki Mitsuta | Sealing member for fuel cell, method for producing the same and separator for fuel cell |
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| CN110028759A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-07-19 | 许文强 | 一种基于多孔凝胶改性的环氧树脂电子封装材料的制备方法 |
Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3059776B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2000-07-04 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | シリコーンゴム粉状物の製造方法 |
| JP3171507B2 (ja) * | 1993-04-14 | 2001-05-28 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0841171A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH093168A (ja) | 1995-06-23 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
| WO1997014280A1 (en) * | 1995-10-10 | 1997-04-17 | Alliedsignal Inc. | Laminates having improved dielectric properties |
| JPH09208667A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-12 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
| JP3976390B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2007-09-19 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
| JPH11100488A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Nitto Denko Corp | 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012761A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2005078013A1 (ja) | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | 樹脂用改質剤及びこれを用いた樹脂組成物、成形品 |
| JPWO2005078013A1 (ja) * | 2004-02-16 | 2007-10-18 | 三菱レイヨン株式会社 | 樹脂用改質剤及びこれを用いた樹脂組成物、成形品 |
| KR100805505B1 (ko) * | 2004-02-16 | 2008-02-20 | 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 | 수지용 개질제 및 이것을 이용한 수지 조성물, 및 성형품 |
| JP5069857B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2012-11-07 | 三菱レイヨン株式会社 | 樹脂用改質剤及びこれを用いた樹脂組成物、成形品 |
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