JP3976390B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3976390B2 JP3976390B2 JP07464498A JP7464498A JP3976390B2 JP 3976390 B2 JP3976390 B2 JP 3976390B2 JP 07464498 A JP07464498 A JP 07464498A JP 7464498 A JP7464498 A JP 7464498A JP 3976390 B2 JP3976390 B2 JP 3976390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- component
- resin composition
- semiconductor
- rubber particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、均一な低応力性を備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに、信頼性の高い半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
トランジスタ,IC等の半導体装置は、外部環境からの保護および素子のハンダリングを可能にする観点から、セラミックパッケージやプラスチックパッケージにより封止され半導体装置化されている。上記セラミックパッケージは、構成材料そのものが耐湿性に優れ、しかも中空パッケージのため半導体素子にかかる応力を無視することができる。このため、信頼性の高い封止が可能であるが、構成材料が高価であり、量産性に劣るという問題を有している。
【0003】
このようなことから、最近ではエポキシ樹脂組成物を用いたプラスチックパッケージが主流となっている。このエポキシ樹脂組成物による樹脂封止では、量産性に優れ安価に作製することができるものの、半導体素子に比べて大きい線膨張係数を有するため、低応力性の改良が大きな課題であった。このような課題を解決すべく、例えば、上記エポキシ樹脂組成物中に、ブタジエン系ゴム粒子を配合することにより低応力化を図ることが行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、単に、ブタジエン系ゴム粒子を他の成分とともに配合すると、上記ブタジエン系ゴム粒子の二次凝集物が生成してしまい、ブダジエン系ゴム粒子の一次粒子が均一に分散されたエポキシ樹脂組成物が得られなかった。このような問題を解決するために、例えば、予めエポキシ樹脂組成物の一構成成分であるフェノール樹脂を溶融し、これにブタジエン系共重合樹脂を加えて分散混合させ、ついでこの混合物にエポキシ樹脂および残りの成分を配合することによりエポキシ樹脂組成物を製造する方法が提案されている。しかし、このような方法をもってしても、上記ブタジエン系共重合樹脂を充分均一に分散させることは困難であった。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、配合成分の二次凝集物が生成せず、均一に分散された半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに半導体装置の提供をその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、予め上記(B)成分の少なくとも一部に、上記(C)成分の少なくとも一部および上記(D)成分の少なくとも一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、上記(A)成分を含む残余成分を配合して溶融混合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第1の要旨とする。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)ブタジエン系ゴム粒子。
(D)シランカップリング剤。
【0007】
また、下記の(A)〜(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、予め上記(B)成分の少なくとも一部に、上記(C)成分の少なくとも一部および上記(D)成分の少なくとも一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、上記(A)成分および(E)成分を含む残余成分を配合して溶融混合する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第2の要旨とする。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)ブタジエン系ゴム粒子。
(D)シランカップリング剤。
(E)下記の一般式(1)で表されるシリコーンオイル。
【0008】
【化3】
【0009】
さらに、上記第1の要旨である半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第3の要旨とする。一方、上記第2の要旨である半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(A)〜(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第4の要旨とする。
【0010】
さらに、上記第3の要旨または第4の要旨である半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第5の要旨とする。
【0011】
すなわち、本発明者らは、低応力化剤として作用を奏するブタジエン系ゴム粒子の配合に際して二次凝集物が生成せず、均一に分散された半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るために一連の研究を重ねた。その結果、上記ブタジエン系ゴム粒子を他の成分と同時に配合するのではなく、予めフェノール樹脂(B成分)に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)を配合するとともに、シランカップリング剤(D成分)を配合して溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)を含む残余成分を配合して溶融混合すると、上記予めフェノール樹脂にブタジエン系ゴム粒子とともに併用したシランカップリング剤の作用である、有機成分に対する相溶性の向上、および、その相溶した状態で凝次架橋すること等の作用により、上記ブタジエン系ゴム粒子(C成分)が凝集物を形成することなく均一に分散されることを見出し本発明に到達した。
【0012】
一方、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造において、予めフェノール樹脂(B成分)に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)を配合するとともに、シランカップリング剤(D成分)を配合して溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)とともに前記特定の構造を有するシリコーンオイル(E成分)を用い、これらを含む残余成分を配合して溶融混合すると、先に述べた作用効果から上記ブタジエン系ゴム粒子(C成分)が凝集物を形成することなく均一に分散されるとともに、得られる樹脂硬化体の耐湿性が向上することを見出した。
【0013】
そして、上記製法により得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物のうち、上記A〜D成分を含有するエポキシ樹脂組成物では、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)が均一に分散されているため、これを用いて樹脂封止される半導体装置の大幅な低応力性の向上効果が得られるようになる。
【0014】
さらに、上記製法により得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物のうち、上記A〜E成分を含有するエポキシ樹脂組成物では、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の均一分散による低応力性の向上効果に加えて、一層優れた耐湿信頼性が得られるようになる。
【0015】
そして、上記エポキシ樹脂(A成分)がビフェニル型エポキシ樹脂を含有し、しかもこのビフェニル型エポキシ樹脂の含有割合をA成分中特定範囲とすることにより、上記ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の配合による系全体の粘度の上昇に伴う流動性の低下傾向を抑制して、大幅な流動性の向上効果が得られるようになる。
【0016】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【0017】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成分)と、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)と、シランカップリング剤(D成分)とを用いて得ることができる、またはこれらA〜D成分に加えて特定のシリコーンオイル(E成分)を用いて得ることができるものであって、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状になっている。
【0018】
上記エポキシ樹脂(A成分)としては、特に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等があげられる。これらエポキシ樹脂のなかでも、特に融点が室温を超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の液状を示すものを用いることが好ましい。なかでも、常温で固体を示し、融点以上で粘度が極端に低い結晶性樹脂という点から、ビフェニル型エポキシ樹脂が特に好ましく用いられる。また、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂も好ましく用いられる。
【0019】
上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、下記の一般式(2)で表されるものがあげられる。
【0020】
【化4】
【0021】
上記一般式(2)中のR1 〜R4 で表される炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげられ、特にメチル基が好ましく、上記R1 〜R4 は互いに同一であっても異なっていてもよい。なかでも、上記R1 〜R4 が全てメチル基である下記の式(3)で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂を用いることが特に好適である。
【0022】
【化5】
【0023】
また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量150〜250、軟化点50〜130℃のものが好適に用いられる。
【0024】
そして、本発明において、上記ビフェニル型エポキシ樹脂の含有割合を、エポキシ樹脂(A成分)成分中、10〜70重量%(以下「%」と略す)に設定することが好ましい。特に好ましくは50〜70%である。すなわち、上記ビフェニル型エポキシ樹脂の含有割合が10%未満では、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低くするという効果が得られ難く、70%を超えると、硬化性が低下し、成形時における金型内での強度が得られ難くなる傾向がみられるからである。
【0025】
上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用いられるフェノール樹脂(B成分)は、上記エポキシ樹脂(A成分)の硬化剤として作用するものであり、特に限定するものではなく、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等があげられる。これらフェノール樹脂としては、水酸基当量が70〜150、軟化点が50〜110℃のものを用いることが好ましい。
【0026】
上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール樹脂(B成分)の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量あたり、フェノール樹脂中の水酸基当量が0.5〜2.0当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは0.8〜1.2当量である。
【0027】
上記エポキシ樹脂(A成分)およびフェノール樹脂(B成分)とともに用いられるブタジエン系ゴム粒子(C成分)は、メタクリル酸アルキル、アクリル酸アルキル、ブタジエン、スチレン等の共重合反応によって得られるものを用いることもできる。好適には、ブタジエンの組成比率が70%以下、メタクリル酸メチルの組成比率が15%以上のものが好ましく、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等が用いられる。また、平均粒径が0.1〜50μmのものが好ましく、特に好ましくは0.1〜5μmである。このブタジエン系ゴム粒子(C成分)の含有量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜5%の割合に設定することが好ましく、より好ましくは0.1〜2%である。すなわち、0.1%未満では、エポキシ樹脂組成物の充分な低応力化効果が得られ難く、5%を超えると、エポキシ樹脂組成物の粘度が極端に上昇する傾向がみられるからである。
【0028】
上記A〜C成分とともに用いられるシランカップリング剤(D成分)は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し、接着性を向上させることより信頼性を向上させるという効果を奏するものであって、例えば、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のアミノ系シランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ系シランカップリング剤、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト系シランカップリング剤等があげられる。なかでも、半導体素子と封止樹脂との接着性の向上という点を考慮すると、エポキシ系シランカップリング剤を用いることが好ましく、リードフレームと封止樹脂との接着性の向上という点を考慮すると、メルカプト系シランカップリング剤を用いることが好ましい。
【0029】
上記シランカップリング剤の含有割合は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜1%の範囲に設定することが好ましい。より好ましくは0.2〜0.5%である。すなわち、0.1%未満では、接着力向上の効果が乏しく、1%を超えると、粘度の上昇やゲル状物が生じる傾向がみられるからである。
【0030】
さらに、本発明では、上記A〜D成分に加えてシリコーンオイル(E成分)を用いることができる。このシリコーンオイルは、下記の一般式(1)で表されるものであって、このシリコーンオイルを用いることにより優れた耐湿信頼性を得ることができる。これは、上記シリコーンオイルが表面処理剤的な作用を奏し、エポキシ樹脂組成物硬化体と半導体素子の接着性がより一層向上するとともに、撥水性を有することに起因して耐湿性が向上するものであると考えられる。
【0031】
【化6】
【0032】
上記一般式(1)で表されるシリコーンオイルは、従来公知の製法により得ることができ、その配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の0.01〜1.0%の割合に設定することが好ましく、より好ましくは0.01〜0.3%である。すなわち、上記シリコーンオイルの配合量が0.01%未満では半導体装置の耐湿信頼性の充分な向上効果がみられず、また1.0%を超えるとエポキシ樹脂組成物の成形性が低下する傾向がみられるからである。上記シリコーンオイルとしては、分子量300〜2000程度のものが用いられ、具体的には上記一般式(1)で表されるシリコーンオイルにおいて、通常0〜40量体のジメチルシロキサンが用いられる。好ましくは0〜20量体のものが用いられる。また、上記式(1)中のRは、アミノ基を有する一価の有機基であるが、より好ましくはアミノ基を有する炭素数1〜8のアルキル基である。そして、特に好ましくは下記の構造式(4)で表される両末端アミノプロピル基変性ジメチルシロキサンがあげられる。
【0033】
【化7】
【0034】
さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記A〜D成分あるいはA〜E成分に加えて、必要に応じ無機質充填剤、硬化促進剤、難燃剤、難燃助剤、カーボンブラック等の顔料等、他の添加剤を適宜に用いることができる。
【0035】
上記無機質充填剤としては、従来から用いられている各種無機質充填剤、例えば、シリカ粉末,アルミナ,タンカル,チタン白等があげられる。なかでも、球状シリカ粉末,摩砕処理シリカ粉末,破砕状シリカ粉末が好ましく用いられ、特に溶融球状シリカ粉末を用いることが好ましい。上記無機質充填剤の含有割合は、エポキシ樹脂組成物全体の70〜95%の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは70〜90%である。
【0036】
上記硬化促進剤としては、アミン系、リン系等があげられ、例えば、アミン系硬化促進剤としては、2−イミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールアミン、ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等があげられる。また、リン系硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。そして、この硬化促進剤の含有割合は、エポキシ樹脂組成物全体の0.05〜0.5%の割合に設定することが好ましく、エポキシ樹脂組成物の流動性等を考慮すると特に好ましくは0.05〜0.35%である。
【0037】
上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤等があげられ、難燃助剤としては、三酸化アンチモン等があげられる。
【0038】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、より一層優れた低応力性が得られ、かつ、高い耐湿信頼性が得られるという点を考慮した場合、各成分としてつぎのような組み合わせが特に好ましい。すなわち、エポキシ樹脂(A成分)としてo−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を、フェノール樹脂(B成分)としてフェノールノボラック樹脂を、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)としてメタクリル酸ブチル−ブタジエン−スチレン共重合体を、シランカップリング剤(D成分)として、先に述べたアミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤をそれぞれ用い、さらに、これらに他の添加剤として、硬化促進剤であるジアザビシクロウンデセンを用い、さらに難燃剤であるブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、カーボンブラック、無機質充填剤である球状溶融シリカ粉末を用いた組み合わせが上記に述べた理由から特に好適である。
【0039】
一方、上記A〜D成分に加えてさらに特定のシリコーンオイル(E成分)を用いる場合の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の好ましい組み合わせとしては、上記A〜D成分および他の添加剤の好ましい組み合わせに加えて、特定のシリコーンオイル(E成分)として、前記構造式(4)で表される両末端アミノプロピル基変性ジメチルシロキサンを用いた組み合わせが、優れた低応力性および耐湿性等の観点から特に好ましい。
【0040】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして得ることができる。すなわち、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部、好ましくは全部に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、好ましくは全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部、好ましくは全部をミキシングロール機等の混練機に投入し溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)および他の添加剤を含む残余成分の全てを配合して溶融混合する。これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠することにより得ることができる。
【0041】
また、半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上記A〜D成分に加えてさらに特定のシリコーンオイル(E成分)を必須成分として用いる場合は、つぎのようにして得ることができる。すなわち、上記と同様、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部、好ましくは全部に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、好ましくは全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部、好ましくは全部をミキシングロール機等の混練機に投入し溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)および特定のシリコーンオイル(E成分)、ならびに他の添加剤を含む残余成分の全てを配合して溶融混合する。これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠することにより得ることができる。
【0042】
上記製造工程での、予めフェノール樹脂(B成分)に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)、および、シランカップリング剤(D成分)を溶融混合する工程としては、例えば、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部を加熱して熱溶融し、これに、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部を順次添加して溶融混合する工程があげられる。
【0043】
上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造工程に関して、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部にブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部をそれぞれ配合して溶融混合物を作製する予備混合工程における、フェノール樹脂(B成分)、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)およびシランカップリング剤(D成分)の好ましい使用量は、それぞれつぎのように設定することが好ましい。すなわち、予備混合工程でのフェノール樹脂(B成分)の使用量は、製造工程全体で使用するフェノール樹脂量の全量を使用することが好ましい。つぎに、予備混合工程でのブタジエン系ゴム粒子(C成分)の使用量は、製造工程全体で使用するブタジエン系ゴム粒子の全量を使用することが好ましい。また、予備混合工程でのシランカップリング剤(D成分)の使用量は、製造工程全体で使用するシランカップリング剤の全量を使用することが好ましい。
【0044】
なお、上記A〜D成分を用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造工程において、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部を溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)および他の添加剤を含む残余成分を配合するとあるが、この残余成分とは、上記A成分および他の添加剤はもちろん、予めフェノール樹脂にブタジエン系ゴム粒子およびシランカップリング剤を溶融混合する際に、このフェノール樹脂の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのフェノール樹脂を含み、上記ブタジエン系ゴム粒子の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのブタジエン系ゴム粒子を含み、さらに上記シランカップリング剤の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのシランカップリング剤を含む。
【0045】
同様に、上記A〜E成分を用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造工程において、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の一部または全部、および、シランカップリング剤(D成分)の一部または全部を溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)および特定のシリコーンオイル(E成分)ならびに他の添加剤を含む残余成分を配合するとあるが、この残余成分とは、上記A成分およびE成分ならびに他の添加剤はもちろん、予めフェノール樹脂にブタジエン系ゴム粒子およびシランカップリング剤を溶融混合する際に、このフェノール樹脂の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのフェノール樹脂を含み、上記ブタジエン系ゴム粒子の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのブタジエン系ゴム粒子を含み、さらに上記シランカップリング剤の使用量が全使用量の一部であった場合は、残りのシランカップリング剤を含む。
【0046】
このような製造工程を経由して得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を使用した場合、スパイラルフロー値は好ましくは100〜200cm、より好ましくは110〜150cmに設定される。一方、ビフェニル型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を使用した場合は、スパイラルフロー値は70cm以上、通常、70〜100cmとなる。このスパイラルフロー値は、EMMI規格に準じた金型を用いて、成形温度175℃、成形圧力70kg/cm2 にて測定される。
【0047】
このような製造工程を経由して得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記ブタジエン系ゴム粒子(C成分)が50μm以上の2次凝集物を形成せず、系内に均一に分散されたエポキシ樹脂組成物が得られる。
【0048】
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
【0049】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【0050】
下記に示す成分を準備した。
【0051】
〔エポキシ樹脂a1〕
下記の構造式(5)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂
【0052】
【化8】
【0053】
〔エポキシ樹脂a2〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点85℃)
【0054】
〔フェノール樹脂〕
フェノールノボラック樹脂(水酸基当量105、軟化点85℃)
【0055】
〔ブタジエン系ゴム粒子〕
メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体(平均粒径0.2μm)
【0056】
〔シランカップリング剤d1〕
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【0057】
〔シランカップリング剤d2〕
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
【0058】
〔シリカ粉末〕
球状溶融シリカ粉末
【0059】
〔硬化促進剤〕
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
【0060】
〔難燃剤〕
ビスフェノールA型ブロム化エポキシ樹脂
【0061】
〔難燃助剤〕
三酸化アンチモン
【0062】
〔着色剤〕
カーボンブラック
【0063】
〔離型剤〕
カルナバワックス
【0064】
〔シリコーンオイル〕
下記の構造式(6)で表される両末端アミノプロピル変性ジメチルシロキサン
【化9】
【0065】
まず、実施例に先立って、下記の方法にしたがって予備混練による溶融混合物を作製した。
【0066】
〔溶融混合物〕
下記の表1に示す各成分を同表に示す割合で用い、つぎのようにして予備混練を行った。すなわち、下記の表1に示す成分のうち、フェノール樹脂全部をミキシングロール機(温度150℃)上で溶融し、これに残りの成分を順次添加し、30分間溶融混合した。つぎに、これを冷却した後、粉砕することにより溶融混合物を得た。
【0067】
【表1】
【0068】
【実施例1〜16、比較例1〜5】
下記の表2〜表4に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機(温度100℃)にかけて10分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【0069】
【表2】
【0070】
【表3】
【0071】
【表4】
【0072】
このようにして得られた実施例品および比較例品について、つぎのような測定を行った。まず、ゴム粒子の凝集物形成の有無の確認および形成された場合の凝集物の計測を下記の方法に従って行った。すなわち、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、28ピン−スモールアウトラインJリードパッケージ(SOJ−28p)の半導体パッケージを成形した。このパッケージを超音波探傷装置を用いてスキャンして、ゴム粒子の凝集体である黒点の個数をカウントした。
【0073】
また、各半導体封止用エポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー値を前述の方法に従って測定した。
【0074】
さらに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体特性(強度、弾性率、撓み量)を、つぎのようにして測定した。
【0075】
〔強度、弾性率、撓み量〕
JIS K−6911に準拠した曲げ試験を行い、そのチャートより曲げ強度および撓み量を求めた。さらに、チャートの傾きから曲げ弾性率を求めた。
【0076】
つぎに、各半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止により半導体装置を作製した。そして、上記半導体装置における信頼性テスト(低応力性、耐湿性)を下記のようにして行った。
【0077】
〔低応力性〕
80ピン四方向フラットパッケージ(QFP−80p・サイズ:20mm×14mm×厚み2.7mm)にチップ(サイズ:10mm×10mm×厚み370μm)を搭載し、175℃×2分間の成形条件により半導体パッケージを作製した。さらに、175℃×5時間のポストキュアを行った。そして、得られたパッケージを−65℃/30分〜150℃/30分の温度サイクル試験に供した。その後、パッケージを開封し、パッシベーションクラック数をカウントした。
【0078】
〔耐湿信頼性〕
デュアル・インライン・パッケージ(DIP−16p)に電食TEG〔テスト・エレメント・グループ(test element group,サイズ:6mm×3mm×370μm〕を搭載し、上記低応力性評価試験と同様にして半導体パッケージを得た。得られたパッケージを130℃×85%RH×2.3atmの環境下に放置し、5Vのバイアスを印加した。そして、300時間放置(実施例11〜16についてはさらに500時間放置)した後の断線不良の発生数をカウントした。
【0079】
これらの結果を下記の表5〜表8に併せて示した。
【0080】
【表5】
【0081】
【表6】
【0082】
【表7】
【0083】
【表8】
【0084】
上記表5〜表8から、実施例品は、ゴム粒子の凝集物の形成が非常に少なく、各成分が均一に分散混合されていることがわかる。また、流動性も良好であり、硬化物特性に関して、曲げ強度,曲げ弾性率および撓み量の各測定値からも封止用樹脂として非常に優れた硬化物であることがわかる。さらに、低応力性の評価となるパッシベーションクラック数が少なく、かつ耐湿性評価となる断線不良率が低いことからも、実施例品を用いて得られた半導体装置は信頼性に優れたものが得られたことがわかる。さらに、上記実施例品のなかでも、実施例13〜16品に関しては、300時間放置後の耐湿性評価はもちろん、特に500時間放置後の耐湿性評価においても、他の実施例品に比べてより一層優れた評価が得られていることは実施例11〜12品との比較からも明らかである。したがって、シリコーンオイルを用いることにより低応力性とともに一層優れた耐湿信頼性が得られたことはわかる。
【0085】
これらに対して、比較例1〜4品は、ゴム粒子の凝集物が多く形成されており、各成分が均一に分散混合されていないのは明らかである。また、全ての比較例品において、曲げ強度の値が低く、撓み量からも封止用樹脂として実施例品よりも劣ることがわかる。さらに、低応力性の評価となるパッシベーションクラック数が多く、かつ耐湿性評価となる断線不良率が高いことからも、比較例品を用いて得られた半導体装置は信頼性に劣っていることは明らかである。
【0086】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、予め上記フェノール樹脂(B成分)の少なくとも一部に、ブタジエン系ゴム(C成分)の少なくとも一部、および、シランカップリング剤(D成分)の少なくとも一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)を含む残余成分を配合して溶融混合することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。このような製法を経由することにより、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の2次凝集物が形成されず均一に分散されたエポキシ樹脂組成物が得られる。したがって、このような製法により得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記A〜D成分を含有し、しかもブタジエン系ゴム粒子が均一に分散されているため、これを用いて樹脂封止された半導体装置においては大幅な低応力性の向上が実現し、信頼性に優れた半導体装置が得られる。
【0087】
また、予めフェノール樹脂(B成分)の少なくとも一部に、ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の少なくとも一部、および、シランカップリング剤(D成分)の少なくとも一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分)および特定のシリコーンオイル(E成分)を含む残余成分を配合して溶融混合することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。したがって、このような製法により得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記A〜E成分を含有し、しかもブタジエン系ゴム粒子が均一に分散されているため、これを用いて樹脂封止された半導体装置においては大幅な低応力性の向上が実現し、信頼性に優れた半導体装置が得られる。しかも、上記特定のシリコーンオイル(E成分)を含有するため、耐湿信頼性に一層優れた半導体装置が得られる。
【0088】
そして、上記エポキシ樹脂(A成分)がビフェニル型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂成分であって、このビフェニル型エポキシ樹脂の含有割合を、A成分中10〜70%に設定することにより、上記ブタジエン系ゴム粒子(C成分)の配合による系全体の粘度の上昇に伴う流動性の低下傾向を抑制して、大幅な流動性の向上効果が得られるようになる。したがって、これを用いた半導体装置では、成形性に優れているため、例えば、厚み1.4mm以下の薄型パッケージのような成形時において大幅なダイシフトを低減する効果を奏するようになる。
Claims (8)
- 下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、予め上記(B)成分の少なくとも一部に、上記(C)成分の少なくとも一部および上記(D)成分の少なくとも一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、上記(A)成分を含む残余成分を配合して溶融混合することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)ブタジエン系ゴム粒子。
(D)シランカップリング剤。 - 予め(B)成分の少なくとも一部を熱溶融し、これに(C)成分の少なくとも一部および(D)成分の少なくとも一部を配合して溶融混合する請求項1または2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
- 請求項1または3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、下記の(A)〜(D)成分を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)ブタジエン系ゴム粒子。
(D)シランカップリング剤。 - 上記(A)成分がビフェニル型エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂成分であって、このビフェニル型エポキシ樹脂の含有割合が、(A)成分中10〜70重量%に設定されている請求項4または5記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- スパイラルフロー値が100〜200cmである請求項4〜6のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記請求項4〜7のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07464498A JP3976390B2 (ja) | 1997-07-25 | 1998-03-23 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20043497 | 1997-07-25 | ||
JP9-200434 | 1997-07-25 | ||
JP07464498A JP3976390B2 (ja) | 1997-07-25 | 1998-03-23 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1192634A JPH1192634A (ja) | 1999-04-06 |
JP3976390B2 true JP3976390B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=26415816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07464498A Expired - Lifetime JP3976390B2 (ja) | 1997-07-25 | 1998-03-23 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3976390B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000007890A (ja) * | 1998-04-23 | 2000-01-11 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびに半導体装置 |
JP4869721B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2012-02-08 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法ならびにそれを用いて得られる半導体装置 |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP07464498A patent/JP3976390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1192634A (ja) | 1999-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0697325A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
US6596813B2 (en) | Composition of epoxy resin, phenolic resin, butadiene particles and amino silicone oil | |
JP3976390B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
JPH11116775A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法 | |
JP2773955B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3867956B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3876944B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5938741B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法並びに半導体装置 | |
JPH02261856A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止形半導体装置 | |
JP2593503B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JP4379973B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3973139B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2002194064A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
JP3919162B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH08311159A (ja) | エポキシ樹脂組成物、その製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2003213095A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH04296046A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3478380B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3358447B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP4850599B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置 | |
JP4380237B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2001040179A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
KR100364244B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 | |
JPH0841292A (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH093168A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070619 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160629 Year of fee payment: 9 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |