JP4850599B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)無機質充填剤。
(D)下記の一般式(1)で表される硬化促進剤。
ビフェニル型エポキシ樹脂〔4,4′−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3′,5,5′−テトラメチルビフェニル、エポキシ当量194、融点106℃〕
ビフェニル変性フェノールノボラック樹脂(150℃でのICI粘度0.07Pa・s、水酸基当量203、軟化点69℃)
キシレン変性フェノールノボラック樹脂(150℃でのICI粘度0.10Pa・s、水酸基当量170、軟化点62℃)
フェノールノボラック樹脂(150℃でのICI粘度0.28Pa・s、水酸基当量105、軟化点83℃)
前記一般式(1)において、R1 がウンデシル基,R2 が3,5−ジアミノ−2,4,6−トリアジニルエチル基、R3 ,R4 はそれぞれ水素原子である化合物
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
前記一般式(1)において、R1 がフェニル基,R2 が水素原子、R3 がメチル基、R4 がヒドロキシメチル基である化合物
カルナバワックス
球状溶融シリカ粉末(球形度0.90、平均粒径18μm、比表面積3.0m2 /g、粒子径75μm以上のものが0.5重量%以下)
上記各成分を下記の表1〜表3に示す割合で配合し、連続混練機を用いて110℃で2分間溶融混練を行なった。つぎに、この溶融物を冷却固化した後、粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。なお、表中の数値は、配合成分全体に占める各成分の重量割合(重量%)である。
上記各エポキシ樹脂組成物を用いタブレット状に打錠成形し、これを用いて低圧トランスファー成形機(TOWA社製の自動成型機、CPS−40L)にて成形温度175℃×成形時間90秒の成形条件でパッケージを封止し、さらに175℃×5時間で後硬化することにより半導体装置を作製した。この半導体装置は、ボールグリッドアレイ(BGA)タイプのパッケージ(樹脂封止部分サイズ:35mm×35mm×厚み1.2mm)であり、チップサイズは7.5mm×7.5mm×厚み0.3mmである。また、金線ワイヤーは、金線ワイヤー径18μm、平均金線ワイヤー長さが6mmである。そして、作製した半導体装置を軟X線解析装置を用いて、金線ワイヤーの変形状態を観察し金線ワイヤーの流れ率(変形率)を測定・算出した。すなわち、図1に示すように、金線ワイヤー2の流れ量の最大部分となる値(変形した弧の頂点から金線ワイヤー2両端を結んだ直線に引いた垂線の長さ)をそのパッケージの金線ワイヤー流れ量の値(dmm)とし、この値を金線ワイヤー長さ(Lmm)で除して金線流れ率〔(d/L)×100(%)〕を算出した。
Claims (6)
- 上記(B)フェノール樹脂が、150℃でのICI粘度が0.002〜0.3Pa・sを有する樹脂である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記(B)フェノール樹脂が、水酸基当量180未満のものである請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記(B)フェノール樹脂が、キシレン変性フェノールノボラック樹脂である請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
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