JPS63245426A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明はエポキシ樹脂組成物および樹脂封止半導体装
置に関する。

（従来の技術〕 エポキシ樹脂は、電気絶縁特性１機械特性、耐湿性など
に優れているため、信頼性の高い絶縁材料として半導体
装置、電子部品、　Ｅ％部品。封止や含浸などに広く用
いられている。特Ｋ、半導体装置の封正については、こ
れまでおこなわれてきたラミックや金属を用いたハーメ
チック方式に比べて安価で大証生産ができることから、
樹脂特に工ｚｊｌ’キシ樹脂による封止が主流となって
きている。

半導体封止材料として樹脂に要求される特性は、半導体
素子上の金属（特にアルミニウム）配線を腐食による断
線不良から防止できるように耐腐食性が高いこと、およ
び半導体素子とフレームとを接続する金ワイヤを熱衝撃
による断線不良から防止できるように耐熱衝撃性が高い
ことが主なものである。最近、半導体素子の高＃！積化
に伴ない、アルミニウム配線はよシ微細化し、半導体チ
ップサイズも大型化してきておシ、樹脂バンケーソの小
型化、薄肉化も急激に進んできている。このよ５な小型
化、薄肉化した樹ＪＪＶＩパッケーソ（いわゆるフラノ
トパッケーソ）を半導体素子に実装する場合、パッケー
ジは、２６０℃の半田に５〜１０秒間耐える必要がある
。しかし、フラットノゞツケージは、半導体素子上下に
おける厚さが薄く、２６０℃の半田に浸漬するとパッケ
ージ材料である樹脂にクラックが生じたシ、あるいはそ
の耐湿性が低下する・これらの問題に対処する手法とし
て、樹脂材料の内部応力を下げることが挙げられる。内
部応力を下げるために、エポキシ樹脂に例えは天然ゴム
を添加することがおこなわれているが、そのような変性
樹脂は、耐湿性が低いという欠点がある。

Ｃ＠明が解決しようとする問題点〕 いずれにしろ、従来のエポキシ樹脂組成物は。

内部応力が大きく、そのため、大ノ；す素子を封止した
場合、熱Ｉｉ７撃により半導体素子の金ワイヤが破断し
たり、樹脂自体にクラックを生じやすい。また、牛田浸
漬処朋によシ（かＩ脂がフレームと容易に剥離し、樹脂
クラックや耐湿性低下のような不良発生の原因となる。

この発明の主目的は、従来のエポキシ樹脂組成物の難点
を改善し、低応力であり、フレーム木材に対する密着性
が良好であり、かつ耐湿性が高い工ｙｌ？キシ樹脂組成
物を提供することにあシ、また信頼性の高い樹脂封止半
導体装置を提供することにある。

また、この発明、α線量が低く、メモリ素子に適用して
ソフトエラーを防止できるエポキシ樹脂組成物を提供す
ることも目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明のエポキシ樹脂組成物は、 仏）エフＪビキシ樹脂１００重量部。

（１３）フェノール樹脂３０ないし７５重針部、（Ｃ）
（ｉ）シランカップリング剤０．０５ないし１．００重
量％。

（Ｂ）シリコーン系界面活性剤０．０５ないし１、ｏＯ
ｆｆｉｉ％および （Ｂ）熱硬化性シリコーンゴム０．　ｌ　５　すいしａ
、ｏｏｉ量チ によって常温で表面処理されたシリカ粉末３２０ないし
５７０重社部、並びに ０）スチレン−ブタノエン−メタクリル酸メチル共重合
体２ないし３０重油部 を含むものである。また、この発明の樹脂封止型半導体
装１ｄは、半導体装置を前記工ｉｊ？キシ樹脂組成物の
硬化物で封止したものである。

この発明のエポキシ樹脂は、４独の成分囚〜億）を必須
成分として含むものである。成分（Ａ）はエポキシ樹脂
であり、それ自体知られているどのようなものを用いて
もよい。その例を昂げると、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、フェノールノｌぎう′ツク型工４Ｍキシ樹脂、
クレゾール７７にラック型エポキシ樹脂→のグリシツル
エーテル型エポキシ４ｔ（脂、グリシツルエステル アミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族工１バキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複累環型エポキシ樹脂，〕１０ｒン
化二２ｊ？キシ樹脂等−分子中にエポキシ基を２個以上
有する工＋ｌ？キシ樹脂である。これらエポキシ樹脂は
、２種以上の混合物の形態で用いてもよい。

この発明に用いるエポキシ樹脂は，半導体装置のワイヤ
等金属材料の腐食を低減するために，好１しくは、塩素
イオンの含有量がｌ　Ｏ　ｐｐｍ以下であり，また加水
分解性塩素の含有量が０．１重量％以下であることが好
ましい。さらに、工ｉＩ？キシ樹脂トしては、グリシツ
ルエーテル型工・」曾ギシ樹脂が最も適しており、特に
エダキシ当世１７０〜３０００ノボラック型エポキシ樹
脂を用いた場合に特に優れた特性が得られる。

成分（０）は、エポキシ樹脂成分囚の硬化削として作用
するフェノール樹脂である。フェノール樹脂の例を挙げ
ると，フェノールノボラック樹脂、クレゾールノゲラッ
ク樹脂，　　ｔａｒｔ−ブチルフェノール７Ｍラック樹
脂、ノニルフェノールノ）ぎラック樹脂などの７ボラツ
ク型フエノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ビス
フェノールＡ　８４　脂、フェノールアラルキル樹脂、
ソノクロペンタツエンフェノール樹脂，その他各種変注
フェノール樹脂である。これら樹脂は，２種以上の混合
物の形態で用いることができる。例えば、フェノールノ
ビラック樹脂の１０〜７０重ｆｆｉ％をフェノールアラ
ルキル樹脂で置換すると，半導体装置と・のｆ１Ｍ層性
がよ多肉上し，耐半田浸漬性が改善される。

エポキシ樹脂（Ａ）とフェノール樹脂（Ｂ）との配合比
率は、エポキシ樹脂のエポキシ自蛋と７エノール樹脂の
フェノール性水酸基当祉との当量比（工ＩＪ？キシ当１
１０Ｈ当量）が０．５〜１．　５となるようなものであ
ることが好ましい。この当量比がこの範囲から逸脱する
と，硬化後のエポキシ樹脂組成物の強度が低下する。

この発明のエポキシ樹脂組成物の成分（Ｃ）は、（ｉ）
シランカップリング剤、（Ｂ）シリコーン系界面活性剤
および仙）熱硬化性シリコーンゴムによって常温で処理
されたシリカ粉末である。シリカ粉末としては、溶融シ
リカや結晶性シリカの粉末を用いることができる。この
シリカ粉末ｅま，破砕状、球状。

繊維状のいずれの形態にあってもよい。−また、半導体
装置の損傷を防止し、成形性，低応力性を付与するため
に、２００メツシユや３００メツシユなど適当な粒径で
粗シリカをカットしたシリカ粉末を用いることが好まし
い。さらに、メモリー素子等の半導体装置を封止する場
合には、ンントエラーを軽減するために、シリカ粉末と
してウランおよびトリウムの含有量が１．Ｏｐｐｂ以下
の溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。

このシリカ粉末を処理するために用いるシランカップリ
ング剤り（１）には、ビニルトリス（βーメトキシエト
キシ〕シラン、ｒ−メタクリロキシゾロビルトリメトキ
シシラン、β−（３．４−エポキシシクロヘキシル）エ
チル−トリメトキシシラン。

ト ｒ−メルヵｆ駿グロピルトリメトキシシラン、ｒーアミ
ノグロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチ
ル〕−ｒ−アミノゾロピルトリメトキシシラン、ｒ−ウ
リイドプロピルトリエトジキシランなどが含まれる。こ
れらの内、β−（３。

４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、およびｒ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ンが最も好ましい。これらシランカップリング剤は，２
独以上組合せて用いてもよい。

シリカ粉末を処理するために用いるＭ２の成分０１）は
、シリコーン系界面活性剤である。シリコーン系界面活
性剤としては、シリコーン系非イオン界面活性剤が好凍
しい・その例を挙げると、５Ｈ−３７４９（東しシリコ
ーン（株〕製、粘度１３００ｃｐ　）、５Ｆ−８４１０
（東しシリコーン（株）裂、粘度２９００ｃｓｔ）、Ｓ
Ｆ’−８４２１（東しシリコーンＣ株）製、粘度３５０
０　ｃｓｔ）などである。

この内、エポキシ樹脂組成物の成形性の観点から、５Ｆ
−８４２１が特に好ましい。このシリコーン系非イオン
界面活性剤５Ｆ−８４２１は、エポキシ基含有エーテル
変性シリコーンオイルでｌ）、式 （ここで、Ｒ′はアルキル基、およびＰＯＡは、ポリエ
チレングリコール、／＋）ｆロビレングリコール、エチ
レングリコールーグロピレングリコール共重合体等のポ
リエーテル）で示される。その他、［有機合成化学Ｊ４
０巻、６号、ｐ５７６に記載されたポリエーテル変性シ
リコーンオイルを使用することもできる。

この発明に用いるシリカ粉末を処理する第３成分（ＢＤ
は熱硬化性シリコーンゴムである。この熱硬化性シリコ
ーンゴムは、常温で流動性を有し、一般に液状シリコー
ンゴムと称されるものであればいかなるものであっても
よい。この発明においては、液状シリコーンゴムとして
、常温硬化性のものでは危く、硬化推奨温度が１００℃
以上のものが好ましい。これらの液状シリコーンゴムは
、一般に以下の式に従って硬化する。

上記Ａ液はビニル基を持つシリコーンオイルであり、Ｂ
液はΣ８に−Ｈ基を有するシリコーンオイルである。両
者は、通常、白金触媒を用いて硬化させる。このような
液状シリコーンオイルの例を挙げると、　ＴＳＪ　−３
１５０（東芝シリコーン（株）製、２５Ｃにおける粘度
１１００　ｃｐ　、硬化推奨温度１５０℃）、ＴＳＪ〜
３１５１（東芝シリコーン〔株〕製、２５℃における粘
度２３００ｃｐ、硬化推奨温度１５０℃）、　’ｒｓＪ
−，３１７５（東芝シリコーン（株）Ｈ１２５℃におけ
る粘度３１００ｅｐ、硬化推奨温度１５０℃）、ＴＳＪ
　−３１３０（東芝シリコーン（株）製、２５℃におけ
る粘度３８００”Ｐ　％硬化推奨温度１５０℃）、ＴＳ
Ｅ　−３０５１（東芝シリコーン（株）製、２５℃にお
ける粘度７００ｃｐ、硬化推奨温度１２５℃）などであ
る。

これらの内、′電気特性等の観点から、ＴＳＪ　−３１
５１およびＴＳＥ　−３０５１が好ましい。

これら処理剤成分（１ン〜（Ｂンにより７リカ粉末を処
理するには、常Ｗ（１０℃ないし３５℃〕において、シ
リカ粉末を処理剤成分（１）〜（ｆｉｌｌとともに、ヘ
ンシェルミキサー、ボールミル、Ｖ型ブレンダー等の混
合機で、数分間混合すればよい。この場合、成分（１）
は、シリカ粉末Ｎｋの０．０５ｔＬｔ％ないし１．００
０重量％割合で用いられる。そのＲ１が０．０５チ未満
では、充分な耐湿性が得られず、また１、００重蓋チを
越えると、充分なり！ｉｔ度が得られない。成分（＋）
の配合量は、好ましくは、０．３〜０．７重量％である
。成分（ＩＩ）の配合割合は、シリカ粉末の重量のｏ、
ｏｓｉｉチないしｉ、ｏｏｘｆＪｋ％である。その量が
０．０５重ｆ−未満では、半導体装置のフレーム素材な
どに対する充分な密着性が得られず、゛また１、００重
量％を越えると、光分な電気絶縁特性が得られない。成
分（Ｂ）の配合量は０．３ないし０．７ｉｎチであるこ
とが好゛ましい。また、成分Ｏ１０の配合割合は、シリ
カ粉末の重量の０．１５本上協ないし３．００重量％で
ある。その量が０．１５重１ｌｌｔチ未満では、半導体
装置のフレーム素材などに対する光分な密着性が得られ
ず、゛また３、００真ｊｌｌｔ％を越えると、良好な成
形性が得られない。好ましい配合量は０．６ないし１．
８　ｍ麓チである・この発明のエン背キシ樹脂組成物の
第４の必須成分の）は、スチレン−ブタノエン−メタク
リル酸メチル共重合体である。この成分■は、上記表面
処理シリカ粉末（Ｃ）と組合せた場合Ｋ、シリコーンゴ
ムによる最終成形品の表面のくもりを低減し、また最終
製品の低応力化に寄与するものである。成分■）は、通
常Ｍｉｓ樹脂と称されるビニル共重合タイプのゴム粉末
、であり、例えば、以下の方法によって合成される。

ブタツエン７５チとスチレン２５チとからなるＨ径ｏ、
ｉμＩｎのスチレン−ブタノエンゴム（５ＯＩＬ　）４
０重量部を含むラテックス１００重ＭＬ部と水ｔ５０ｔ
ｋｉｆｔＮとの混合物に、ナトリウムスルホキシレート
ホルムアルデヒド０．１５　重ｊＪｋ　部、スｆ　Ｌ’
７３３重量部、およびクメンヒドロペルオキシド０．２
１慧部を添加する。得られた混合物を密閉容器に仕込み
、６０℃で５時間攪拌して５ＩＩＲラテツクスに仕込ん
だスチレンのほぼ全量を重合させる。

ついで、これにメタクリル酸メチル２７重量部とクメン
ヒドロペルオキシド０．２重量部を加え、同様に４時間
重合させる。こうして得たグラフトラテックスを凝固、
ろ過、洗浄、乾燥してＭＢＳ樹脂を得る。

この方法に準じて、通常４０重ｆｆｉ％ないし７０重４
ｉ％のブタツエン単位を含むＭＢＳ樹Ｊ］ｕを合成する
ことができ、これをこの発明の成分（Ｄ）として用いる
ことができる。このようなＭＢＳ樹脂は市販されており
、例えば、カネエースＢ−２２（鐘ｖ１）１化学工業（
株〕製、ゲタツエン含有量約４５％）。

カネエースＢ−２８（鐘淵化学工業（株）製、ブタノエ
ン含有世約４５％）、カネエースＢ−５６（鐘淵化学工
業（株）製、ブタノエン含有倣約６５チ）、ＪＳＩＬ　
ＭＢＳ　６６　（日本合成ゴム（株）製、ブタソエ／含
有量約６０％）、ＪＳＲＭＢＳ　６７　（日本合成ゴム
（株）製、ブタノエン含有量約６０％）、ＪＳＲＭＢＳ
　６８　（日本合成コ゛ム（株）喪、／タヅエン含有量
約６０％）などがある。これらの内、ブタノエン含有量
の多いＪＳＲＭＢＳ　６６．６７および６８、並びにカ
ネエースＢ−５６が好ましい・なお・ＭＢＳ樹脂は、エ
ポキシ樹脂組成物中に均一に分散されるためには、粒径
が３５０肉以下の粉末の形態にあることが好ましい・ さて、この発明のエポキシ樹脂組成物は、上記成分（４
）〜■）を、例えばミキサーによって充分に混合した後
、さらに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ−な
どによる混合処理をおこなうことにより均一に混合する
ことによって準備される。

各成分の配合割合は、エポキシ樹脂成分（Ａ）１００重
量部に対し、フェノール樹脂成分（Ｂ）　３０〜７５重
量部、表面処理シリカ粉末成分（０３２０〜５７０Ｔｆ
Ｘ量部およびＭＢＳ樹脂成分ａ））２〜３０亘量部であ
ることが望ましい。フェノール樹脂の割合が３０重１よ
部未満では、充分な硬化物強度が得られず、その割合が
７５重量部を越えると、吸湿性が工・ａ加し、絶縁性能
が低下し、半導体装置を封止した場合に、半導体装置上
の配線（特にアルミニウム配線）の腐食が加速され、不
良が多発する。シリカ粉末成分（Ｑの旦が３２０重世部
未満では、熱衝撃による半導体素子の金ワイヤの断線不
良が多発し、５７０血量部を越えると、樹脂の粘度が増
大し、成形性が悪くなる。またＭＢＳ樹脂成分（ｒ））
の量が２重量部未満では、十分な耐熱衝撃性が得られず
。

３０　Ｍ低部を越えると、　ｌ（脂の成形性が悪くなる
。

なお、この発明のニア１？ギシ樹脂組成物は、上記必須
成分囚〜（鴎に加えて、イミダゾールもしくはその誘導
体、第三アミン誘導体、ホスフィンもしくはその誘導体
等の硬化剤；天然ワックス、合成ワックス、直鎖脂肪酸
の金属塩、酸アミドもしくＦｉ：Ｉ−スｆル、パラフィ
ン等の離型剤；フロモトルエン、ヘキサブロモベンゼン
、三酸化アンチモン等〕難燃剤；カーボンブラック等の
着色剤４ど、通常用いられている添加剤を効果址配合し
てもよい。

この発明の工７バキシ樹脂組成物は、これを圧縮成形、
トランスファー成形あるいはインソエクシ璽ン成形等に
よシ成形した後、硬化させることによって所望の成形品
を得ることができる。

この発明のエポキシ樹脂組成物を用いだ半導体装置の封
止には、最も一般的には低圧トランスファー成形を用い
ることができるが、インソエクシ目ン成形、圧縮成形、
注凰などによって封止をおこなうこともできる。封止後
、エポキシ樹脂組成物を加熱硬化させる。硬化は、エポ
キシ樹脂組成物を１５０℃以上の温度に加熱しておこな
うことが特に好ましい。

この発明のエポキシ樹脂組成物によって封止される半導
体装置には、集積回路装置、大規模集積装置ｉ＆、）ラ
ンノスタ装置、サイリスタ装置、グイオード装置、メモ
リ装置等が會まれるが、これらに限定されるものではな
い。

添付の図は、フラットパッケージの一例を示す斜視図で
あり、硬化したこの発明のエポキシ樹脂組成物からなる
パッケージｌが示されている。ε照符合２は、パッケー
ジ１内に封止された半導体装置から専用された外部リー
ドである。

（実施例） 以下、この発明を実施例によりさらに具体的に説明する
。

実施例１〜２０および比較例１〜９ 表１に示す各成分を同表に示す割合で用いた。

まず、充填材粉末（溶融シリカ粉末に三酸化アンチモン
粉末およびカー＋Ｎンブラノク粉末を加えたもの）をヘ
ンシェルミキサー中で混合した後、シランカップリング
剤、シリコーン系界面活性剤および熱硬化性シリコーン
ゴムを加え、常温で充分に攪拌して充填材粉末表面を処
理した。この表面処理充填材粉末に残りの成分を添加し
て充分に混合した後、７５℃〜１１０℃の二軸加熱ロー
ルで混練し、２０種類の工ｚｌｔ’キシ樹脂組成物を調
製し六（実施例１〜２０〕。

同様に１表２に示す各成分を用いて９柚類の工ｄ？キシ
樹脂組成物を調製した（比較例１〜９）。

上記各エポキシ樹脂組成物を用い、１７５許℃。

３分の条件でトランスファー成形によ〃試験片を作シ、
１８０℃で４時間アフターキュアーした。

この試験片について、体積抵抗率、熱膨張率、曲げ強さ
、曲げ弾性率のｄｌｌＪ定をおこなった。また、７レ一
人材料に対するＷ層性を調べるために、上記各エポキシ
樹脂組成物を、半導体装置のフレーム材料である鉄−ニ
ッケル合金（Ｎ１４２Ｔｏ）の板の上に適用し、硬化さ
せた。この板に垂直方向に荷１ｋを加え、硬化樹脂が剥
離する時の荷重を測定した。これらの結果を表３に示す
。

また、耐半田浸漬性をｉｌ＋、ｌべるために、上記各エ
フ１”キシ樹脂組成物を用いて、１７５℃、３分の条件
で、アルミニウム配線腐食チェック用の耐湿性試験用半
導体装置を厚さ２ｍ＋のフラットパッケージに封止し、
１８０℃で４時間アフターキュアーをおこなった。つい
で、このパッケージを８５℃、相対湿度８０％の雰囲気
中７２時間放置して吸湿処理をおこなった後、これを２
６０℃の半田浴に５秒間浸漬した。しかる後、この半田
浸漬パッケージを１２７℃の飽和水蒸気雰囲気中に所定
時間放置し、不良発生率を調べた（耐湿性試験）。結果
を衣４に示す。

さらに、上記各エポキシ樹脂組成物を用い、上記と同様
、大型の耐熱衝撃性試験用デバイス（８朋Ｘ　８　ｍｍ
　）を封止した後、−６５℃→至温→１５０℃の冷熱サ
イクルに供し、デバイスの動作特性チェックにより不良
発生率をｉＵ、’４べた（耐熱衝撃性試験）。結果を表
５に示す。

表３〜５に示されるように、この発明のエポキシＩｆｆ
ｊ脂組成物は、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ、フレ
ーム材への密着性が良好で、低弾性化されておシ、信頼
性の高い低応力高密着性樹脂として、電子部品、電気部
品の封止および含浸用イヒ（脂として好適であることが
わかる。

−また、この発明のエポキシ樹脂組成物は樹脂封止型半
導体装置に用いて好適なものであり、高い耐湿性を有し
、フレーム−樹脂密着性が良好であることから、特に半
田浸漬に供されるフラットパッケージ用（台１月旨とし
て適していることがわかる。

［発明の効果］ 以上述べたように、この発明の工、Ｊ？キシ樹脂組成物
は、耐湿性、耐半田浸漬性、耐熱衝！Ｉ３性等の特性に
優れ、電子部品、電気部品の封正に用いて好適である。

また、この発明の樹脂封止型半導体装置は、このような
二４？キシ樹脂組成物を用いていることから、高湿、高
温、熱衝撃下でも信頼性の高いものとなる。

【図面の簡単な説明】

添付の図面は、半導体装１ｕのフラットパッケージを示
す斜視図。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部、 （Ｂ）フェノール樹脂３０ないし７５重量部、 （Ｃ）（ｉ）シランカップリング剤０．０５ないし１．
   ００重量％、 （ｉｉ）シリコーン系界面活性剤０．０５ないし１．０
   ０重量％および （ｉｉｉ）熱硬化性シリコーンゴム０．１５ないし３．
   ００重量％ によって常温で表面処理されたシリカ粉末３２０ないし
   ５７０重量部、並びに （Ｄ）スチレン−ブタジエン−メタクリル酸メチル共重
   合体２ないし３０重量部 を含んでなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
2. （２）フェノール樹脂（Ｂ）が、１０ないし７０重量％
   のフェノールアラルキル樹脂を含有するノボラック型フ
   ェノール樹脂である特許請求の範囲第１項記載のエポキ
   シ樹脂組成物。
3. （３）シリカ粉末が溶融シリカからなり、ウランおよび
   トリウムの合計含有量が１．０重量ｐｐｂ以下である特
   許請求の範囲第１項または第２項記載のエポキシ樹脂組
   成物。
4. （４）エポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止
   半導体装置であって、該エポキシ樹脂が、 （Ａ）エポキシ樹脂１００重量部、 （Ｂ）フェノール樹脂３０ないし７５重量部、 （Ｃ）（ｉ）シランカップリング剤０．０５ないし１．
   ００重量％、 （ｉｉ）シリコーン系界面活性剤０．０５ないし１．０
   ０重量％および （ｉｉｉ）熱硬化性シリコーンゴム０．１５ないし３．
   ００重量％ によって常温で表面処理されたシリカ粉末３２０ないし
   ５７０重量部、並びに （Ｄ）スチレン−ブタジエン−メタクリル酸メチル共重
   合体２ないし３０重量部 を含んでなることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
5. （５）フェノール樹脂（Ｂ）が、１０ないし７０重量％
   のフェノールアラルキル樹脂を含有するノボラック型フ
   ェノール樹脂である特許請求の範囲第４項記載の樹脂封
   止半導体装置。
6. （６）シリカ粉末が溶融シリカからなり、ウランおよび
   トリウムの合計含有量が１．０重量ｐｐｂ以下である特
   許請求の範囲第４項または第５項記載の樹脂封止半導体
   装置。