KR910001931A - 집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 - Google Patents
집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910001931A KR910001931A KR1019890009235A KR890009235A KR910001931A KR 910001931 A KR910001931 A KR 910001931A KR 1019890009235 A KR1019890009235 A KR 1019890009235A KR 890009235 A KR890009235 A KR 890009235A KR 910001931 A KR910001931 A KR 910001931A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- manufacturing
- integrated circuit
- layer
- depositing
- stacked capacitor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
- H01L28/87—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A) 내지 제2도(G)는 본 발명의 캐패시터 제조공정을 나타낸 도면.
Claims (1)
- 집적회로의 스택트 캐피시터 제조방법에 있어서, 필트 산화층이 형성된 반도체상에, 질화층을 증착하고, 격셀단위로 제1매립접촉부를 형성하는 단계와, 제1폴리-Ⅱ층 증착후, 상기와 다른 격셀단위로 영역정의하며, LTO증착후, 상기 다른 격센단위상에 제2의 매립 접촉부를 정의하는 단계와, 제2폴리-Ⅱ층을 증착하여 영역을 정의하고, 형성된ITO를 제거하는 단계와, 유전체층과 전극판으로서의 폴리-Ⅲ층을 증착하는 단계로 이루어져 캐패시터 면적을 배가시키도록 한 것을 특징으로 하는 집접회로의 스택트 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009235A KR0157975B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009235A KR0157975B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001931A true KR910001931A (ko) | 1991-01-31 |
| KR0157975B1 KR0157975B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19287677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890009235A KR0157975B1 (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0157975B1 (ko) |
-
1989
- 1989-06-30 KR KR1019890009235A patent/KR0157975B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0157975B1 (ko) | 1998-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970030837A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR950021710A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR980005441A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR910001931A (ko) | 집적회로의 스택트 캐패시터 제조방법 | |
| KR890008918A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR970024212A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR910013526A (ko) | 배선용 콘택홀 형성방법 | |
| KR970052255A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법 | |
| KR920008862A (ko) | 고용량의 커패시터를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970052917A (ko) | 반도체소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR930003364A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| TW370726B (en) | Method of manufacturing capacitors | |
| KR910001764A (ko) | 이중 적층 캐패시터 다이나믹램셀 제조방법 및 구조 | |
| KR970012988A (ko) | 원통형 커패시터 제조방법 | |
| KR900015319A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
| KR970054163A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
| TW351018B (en) | Method of manufacturing of the figured capacitor in D-RAMs | |
| KR980005850A (ko) | 반도체 디바이스 및 제조 방법 | |
| KR950025983A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR930001494A (ko) | 반도체 소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR970054050A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960039373A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052361A (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 | |
| KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| KR940003049A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090727 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |